IGBT-транзистори
Демонтаж
Транзистор 60G65W ( FGW60N65W ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Тип | IGBT-транзистор без вбудованого діода |
| Напруга Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic при 25 °C | 83 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 60 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1.80 В тип. (Vge 15 В, Ic 60 А) |
| Потужність Pd | 405 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 4300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 60G65WE ( FGW60N65WE ) оригінал ( заміна для 60G65WD , RGT60TS65D ), TO247
В наявності
432,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fuji Electric |
| Напруга колектор-емітер Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 83 А (Tc 25 °C); 60 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.80 В (typ, Ic 60 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 405 Вт (Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 250 нКл (typ, Vcc 520 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 4300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 60U65FD1 ( SGT60U65FD1 , SGT60U65FD1PN ) оригінал, TO-3P
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 650 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 120 А (Tc 25 °C), 60 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 2,0 В (тип., Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Напруга Vge | ±20 В |
| Pd | 280 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 6730 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є (швидкий, FRD) |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 6R190C6 ( IPW60R190C6 ) оригінал, TO247
В наявності
352,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | N-канальний MOSFET, CoolMOS C6 |
| Напруга V(BR)DSS | 600 В (мін., VGS=0 В, ID=0,25 мА) |
| Струм стоку ID | 20,2 А при TC=25 °C; 12,8 А при TC=100 °C |
| Імпульсний струм стоку | 59 А при TC=25 °C |
| Опір Rds(on) | 0,17 Ом тип., 0,19 Ом макс. при VGS=10 В, ID=9,5 А, Tj=25 °C |
| Заряд затвора Qg | 63 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1400 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5 / 3 / 3,5 В (мін. / тип. / макс., VDS=VGS, ID=0,63 мА) |
| Корпус | TO-247 |
| Температура переходу і зберігання (Tj, Tstg) | -55…150 °C |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор AG50EF5 ( AIGW50N65F5 ) оригінал демонтаж б/в (заміна для G50EF5 , IGW50N65F5 ), TO247
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 650 В (Tvj 25 °C) |
| Струм Ic | 80 А (Tc 25 °C, обмежено виводами); 53.5 А (Tc 100 °C) |
| Потужність Ptot | 270 Вт (Tc 25 °C); 136 Вт (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1.66 В typ (Vge 15 В, Ic 50 А, Tvj 25 °C) |
| Vge(th) | 4.0 В typ (Ic 0.40 мА, Vce = Vge) |
| Qg | 108 нКл typ (Vcc 520 В, Ic 50 А) |
| Вхідна ємність Cies | 2800 пФ |
| Tvj max | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор AOK30B60D1 ( K30B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор–емітер Vce | 600 В (Ic=1 мА, Vge=0 В, Tj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 30 А (Tc 100 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vge | ±20 В |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.85 В тип. (Vge=15 В, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 5.6 В тип. (Vce=5 В, Ic=1 мА) |
| Пряма напруга діода Vf | 1.47 В тип. (If=15 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 34 нКл (Vge=15 В, Vce=480 В, Ic=30 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1324 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс (Tj 25 °C, Vge=15 В, Vce=400 В, Ic=30 А, Rg=10 Ом) |
| Енергія вимкнення Eoff | 0.24 мДж (Tj 25 °C, Vge=15 В, Vce=400 В, Ic=30 А, Rg=10 Ом) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 120 нс (Tj 25 °C, If=15 А, dI/dt=200 А/мкс, Vce=400 В) |
| Температура переходу і зберігання (Tj, Tstg) | -55…150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор BGN40T65HD ( 40T65HD ) оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 160 А |
| Vce(sat) тип. (Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C) | 1.85 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 312.5 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 5200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор BT60N60 ( BT60N60ANF ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 600 В |
| Vce(sat) | 2.2 В typ (макс. 2.9; Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Vge(th) | 5.0 В typ (Ic 1 мА, Vce = Vge) |
| Qg | 150 нКл typ (Vce 400 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2890 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Eoff | 1.13 мДж typ (Vce 400 В, Ic 60 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В) |
| tf | 45 нс typ (Vce 400 В, Ic 60 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В) |
| Діод | антипаралельний; Vf 1.8 В typ (If 30 А); trr 90 нс typ (If 20 А) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор BT60T60 ( BT60T60ANFK ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (TJ = 25 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Vce(sat) | 1.85 В typ, макс. 2.4 В (IC = 60 А, VGE = 15 В) |
| Vge(th) | 5.4 В typ |
| Qg | 117 нКл (VCE = 400 В, IC = 60 А) |
| Вхідна ємність Cies | 3398 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 403 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор DAXIN DXG40N65HSEU оригінал, TO247
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,70 В (тип.) |
| Вбудований діод | так |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | DAXIN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DHG50T65 оригінал (заміна для G50T65DS , DHG50T65DS ) , TO247
В наявності
432,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jiangsu Donghai Semiconductor (WXDH) |
| Корпус | TO-247S-3L |
| Напруга Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic | 100 А (Tc 25 °C); 50 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 200 А |
| Vce(sat) | 2.0 В тип. (Vge 15 В, Ic 50 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 86 нКл (тип., Vce 520 В, Ic 50 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2528 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DHG50T65D ( G50T65D ) оригінал , TO-3P
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jiangsu Donghai Semiconductor |
| Тип | IGBT FS Trench із діодом |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА, мін.) |
| Струм Ic | 100 А (Tj = 25 °C); 50 А (Tj = 100 °C) |
| Vce(sat) | 2,0 В тип. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 86 нКл (тип., VCE = 520 В, IC = 50 А) |
| Вхідна ємність Cies | 2528 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 320 Вт (Tj = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DXG15N65FSEK оригінал ( заміна для DXG15N65FSEU ), TO220F
В наявності
128,31 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Вбудований діод | так |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,0…5,5 В |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DXG20N65FS оригінал ( заміна для DXG20N65FSEK , DXG20N65FSEU ), TO220F
В наявності
80,37 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 40 А |
| Струм Ic при 100 °C | 20 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,80 В (тип.) |
| Вбудований діод | так |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DXG50N65HSEU ( DXG50N65HSE , DXG50N65HS ) оригінал(Заміна для CXG50N65HSEU ), TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 50 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,45 В (тип.) |
| Вбудований діод | так |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DXG75N120J оригінал, TO264
В наявності
470,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | DAXIN |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-264 |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (TC 25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (TC 100 °C) | 75 А |
| Напруга Vce(sat) | 2,2 В тип. (VGE 15 В, IC 75 А) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd | 833 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Заряд затвора Qg | 490 нКл (VCC 960 В, VGE 15 В, IC 75 А) |
| Вхідна ємність Cies | 3600 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Fair 00211 оригінал, DPAK
В наявності
192,23 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип приладу | IGBT |
| Виробник | Fairchild (за назвою товару) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор Fair G160N60UFD ( G160N60 , SGL160N60UFD , FGL160N60UFD ) оригінал демонтаж б/в, TO264
В наявності
385,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор з діодом |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 160 А |
| Струм Ic (100 °C) | 80 А |
| Напруга VCE(sat) | 2.1 В (тип., IC = 80 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 345 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Cies | 5000 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 250 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-264 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FGA30S120M ( FGA30S 120M ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 60 А (Tc 25 °C), 30 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Напруга Vges | ±25 В |
| Pd | 348 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FGA40N65SMD оригінал, TO-3P ( заміна для FGH40N65UFD , MP40N65BU , MP40N65BH )
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) | 1,9 В (тип.), 2,5 В (макс.) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 349 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1880 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є (антипаралельний) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FGA60N60UFD ( FGA60N60 ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | IGBT Field Stop з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic | 120 А (Tc 25 °C); 60 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 180 А (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.9 В тип., 2.4 В макс. (IC = 60 А, VGE = 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 298 Вт (Tc 25 °C); 119 Вт (Tc 100 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2855 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-емітер Vges | ±20 В |
| Порогова напруга Vge(th) | 4.0–6.5 В (IC = 250 мкА, VCE = VGE) |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FGA60N65SMD оригінал демонтаж б/в, TO-3P
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | IGBT Field Stop, з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм IC (25 °C) | 120 А |
| Струм IC (100 °C) | 60 А |
| Імпульсний струм ICM | 180 А |
| Vce(sat) | 1.9 В тип., 2.5 В макс. (IC = 60 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 189 нКл (VCE = 400 В, IC = 60 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2915 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 600 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FGA60N65SMD оригінал, TO-3P
В наявності
289,05 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Напруга Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic | 120 А при Tc 25 °C; 60 А при Tc 100 °C |
| Vce(sat) | 1,9 В типово (Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 600 Вт при Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 189 нКл типово (Vce 400 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2915 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FGD4536 , D-PAK
В наявності
58,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Корпус (докладно) | TO-252 (D-PAK), виводи G, C, E |
| Напруга Vces | 360 В (VGE = 0) |
| Імпульсний струм Icp | 220 А (TC = 25 °C, імпульс < 1 мс) |
| Vce(sat) | 1.59 В при IC = 50 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C |
| Vge(th) | 3.3 В (IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 47 нКл (VCE = 200 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1295 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | немає |
Демонтаж
Транзистор FGD4536 оригінал демонтаж б/в, D-PAK
В наявності
152,75 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vces | 360 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Імпульсний струм колектора | 220 А (TC = 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,59 В (макс. 1,8 В) при VGE = 15 В, IC = 50 А, TC = 25 °C |
| Qg | 47 нКл (VCE = 200 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1295 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 125 Вт при TC = 25 °C |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FGH40N60SMD оригінал, TO247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT Field Stop з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icm (TC = 25 °C) | 120 А |
| Vce(sat) (IC = 40 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) | 1,9 В тип., 2,5 В макс. |
| Заряд затвора Qg | 119 нКл тип. |
| Вхідна ємність Cies | 1880 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Pd (TC = 25 °C) | 349 Вт |
| Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор FGH50T65 ( FGH50T65UPD , FGH50T65SQD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT Field Stop Trench з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic | 100 А (Tc = 25 °C), 50 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (Ic = 50 А, VGE = 15 В, Tc = 25 °C) |
| Pd | 340 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Qg | 230 нКл тип. (Vce = 400 В, Ic = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3450 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FGH60N60SMD оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 60 А |
| Імпульсний струм Icm | 180 А |
| Vce(sat) (IC = 60 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) | 1.9 В (тип.), 2.5 В (макс.) |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 600 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2915 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Вбудований діод | є (антипаралельний) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FGH60N60UFD оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic | 120 А при Tc 25 °C; 60 А при Tc 100 °C |
| Vce(sat) | 1,9 В типово (IC 60 А, VGE 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 298 Вт при Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 188 нКл (VCE 400 В, IC 60 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2855 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FGH75T65 ( FGH75T65SQDT ) оригінал демонтаж б/в (заміна для FGH75T65SQD , FGH75T65SHD , FGH75T65SHDT , FGH75T65MQDT , FGH75T65UPD ), TO247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT Field Stop Trench 4-го покоління, з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм IC (25 °C) | 150 А |
| Струм IC (100 °C) | 75 А |
| Імпульсний струм ICM | 300 А |
| Vce(sat) | 1.6 В тип., 2.1 В макс. (IC = 75 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 128 нКл (VCE = 400 В, IC = 75 А) |
| Вхідна ємність Cies | 4845 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FGPF70N33 ( FGPF70N33BT ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 330 В |
| Імпульсний струм колектора Ic (імп.) | 160 А (TC 25 °C; імпульс 100 мкс, шпарність 0,1) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.7 В (typ., Ic 70 А, Vge 15 В, TC 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 49 нКл (typ., Vce 200 В, Ic 20 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1380 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 48 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA60T65C2DH ( FHA60T65 ) оригінал, TO-3P
В наявності
131,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Feihong |
| Тип | IGBT-транзистор (Trench Field Stop) |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vces | 650 В (TC 25 °C) |
| Струм Ic (TC 25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (TC 100 °C) | 60 А |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd | 465 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 254 нКл (VCE 520 В, IC 60 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 5500 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA75T65 ( FHA75T65V1DL ) оригінал, TO247
В наявності
385,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G15T60 ( IGP15N60T ) оригінал, TO220
В наявності
133,48 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vces | 600 В (Tj 25 °C) |
| Vce(sat) | 1.5 В (Vge 15 В, Ic 15 А, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 4.9 В (Ic 210 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 87 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 860 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G15T60A93L ( CRG15T60A93L ) оригінал, TO220F
В наявності
114,68 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В при VGE = 0 В |
| Струм Ic | 30 А при Tc 25 °C; 15 А при Tc 100 °C (TO-220F) |
| Vce(sat) | 1.7 В тип., 2.4 В макс. при Ic 15 А, Vge 15 В, Tj 25 °C |
| Vge(th) | 5.7 В тип. при Ic 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 59 нКл при Vce 480 В, Ic 15 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 1095 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 26 Вт при Tc 25 °C (TO-220F) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G20T60A83L ( CRG20T60A83L ) оригінал, TO220
В наявності
169,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (TJ = 25 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1.66 В typ, макс. 2.4 В (IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Vge(th) | 5.4 В typ |
| Qg | 86.4 нКл (VCE = 480 В, IC = 20 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1481 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 140 Вт (TC = 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G20T65FULA ( BLG20T65FULA-A ) оригінал , TO220F
В наявності
253,80 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Belling |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vces | 650 В (VGE=0 В, IC=250 мкА) |
| Струм Ic (Tc=25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (Tc=100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1.55 В (VGE=15 В, IC=20 А, Tj=25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 44 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 892 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TO-220F, Tc=25 °C) | 39 Вт |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G20T65FULA ( BLG20T65FULA-P ) оригінал, TO220
В наявності
263,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±30 В |
| Струм колектора Ic | 40 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 80 А (обмежено Tj max) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,55 В (Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C; макс. 1,95 В) |
| Порогова напруга Vge(th) | 5,1–6,5 В (Vce = Vge, Ic 1 мА) |
| Заряд затвора Qg | 44 нКл (Vcc 520 В, Ic 20 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 892 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є (м’який, швидкий) |
| Розсіювана потужність Pd | 136 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор G30N60A4 ( HGTG30N60A4 ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер BVCES | 600 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм колектора | 75 А при TC = 25 °C; 60 А при TC = 110 °C |
| Імпульсний струм ICM | 240 А (TC = 25 °C) |
| VCE(sat) типово | 1.8 В (IC = 30 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Заряд затвора QG(on) типово | 225 нКл |
| Розсіювана потужність | 463 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер VGES | ±20 В |
| Вбудований діод | немає |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор G30N60A4D ( HGTG30N60A4D ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер BVCES | 600 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм колектора | 75 А при TC = 25 °C; 60 А при TC = 110 °C |
| Імпульсний струм ICM | 240 А |
| VCE(sat) типово | 1.8 В (IC = 30 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Заряд затвора QG(on) типово | 225 нКл |
| Діод VEC типово | 2.2 В (IEC = 30 А) |
| Діод trr типово | 40 нс (IEC = 30 А, dIEC/dt = 200 А/мкс) |
| Розсіювана потужність | 463 Вт (TC = 25 °C) |
| Вбудований діод | антипаралельний швидкий |
| Корпус | TO-247-3LD (short lead) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |