Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор BGN40T65HD ( 40T65HD ) оригінал, TO247

345,92 ₴

1 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

1 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

BGN40T65HD (маркування 40T65HD) – IGBT-транзистор на 650 В з вбудованим діодом у корпусі TO247-3. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм Ic (Tc 25 °C)80 А
Струм Ic (Tc 100 °C)40 А
Імпульсний струм Icm160 А
Vce(sat) тип. (Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C)1.85 В
Потужність Pd (Tc 25 °C)312.5 Вт
Вхідна ємність Cies5200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj175 °C
Вбудований діодє
КорпусTO-247
СтанОригінал
Опис

BGN40T65HD – IGBT-транзистор з маркуванням 40T65HD у корпусі TO247-3. Напруга колектор–емітер Vces – 650 В. Струм колектора Ic – 80 А при Tc 25 °C і 40 А при Tc 100 °C, імпульсний Icm – 160 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1.85 В (тип., макс. 2.2 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 5200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 312.5 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Усередині корпусу є антипаралельний м'який швидкий діод; його пряма напруга Vf – 1.9 В (тип.) при If 40 А, Tj 25 °C, час зворотного відновлення trr – 55 нс.

Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vces, струм Ic при 100 °C, Vce(sat) і наявність діода в корпусі; корпус має бути TO247-3 з тією ж розпіновкою. Заряд затвора Qg – 238 нКл (тип.) при Vcc 400 В, Ic 40 А, Vge 15 В: якщо в заміни він набагато більший, перевірте драйвер затвора. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • ДБЖ (UPS)
  • Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
  • Зварювання
  • Промислові джерела живлення
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
JT050N065WED Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO247-3 Заряд затвора Qg 121 нКл проти 238 нКл у BGN40T65HD, драйвер затвора перевірте. Купити
IHW40N120R3 Vces 1200 ≥ 650, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.55 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO247-3 Qg 335 нКл більший, ніж 238 нКл у BGN40T65HD: драйвер затвора перевірте. Купити
YGW75N65HP Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO247-3 Струм Ic 75 А при 100 °C значно більший; Qg 145 нКл. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити BGN40T65HD?

Шукайте IGBT з напругою Vces не нижче 650 В, достатнім струмом Ic при 100 °C, порівнянною Vce(sat) і діодом у корпусі TO247-3. Кандидати з нашого каталогу – у таблиці аналогів.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи є в цьому IGBT вбудований діод?

Так, антипаралельний м'який швидкий діод: If 80 А при 25 °C і 40 А при 100 °C.

Для яких схем підходить BGN40T65HD?

За даними документа – ДБЖ (UPS), корекція коефіцієнта потужності (PFC), зварювання, промислові джерела живлення.

Datasheet

Документація виробника: BGN40T65HD.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникAlpha and Omega Semiconductor (AOS)
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (Product Summary)60 А
Vce(sat) typ1.85 В при Ic=60 А
Vge(th) typ5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА
Заряд затвора Qg75 нКл
Вхідна ємність Cies3288 пФ
Час спаду tf16 нс
Стійкість до КЗ tsc10 мкс
Тепловий опір перехід-корпус0.3 °C/Вт
Діапазон Tj, Tstg-55…150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P

В наявності

208,68 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип. / 2.5 В макс.
Заряд затвора Qg189 нКл тип. / 284 нКл макс.
Вбудований діодтак
Розсіювана потужність Pd600 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P

IGBT-транзистор K20T60 ( IKP20N60T ) оригінал, TO220

В наявності

213,85 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В
Струм Ic (100 °C)28 А
Струм Ic (25 °C)41 А
Імпульсний струм Icp60 А
Vce(sat)1,5 В typ, 2,05 В max (VGE = 15 В, Ic = 20 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot166 Вт (TC = 25 °C)
Tj max175 °C
СтанОригінал

IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А
Струм колектора Ic (100 °C)75 А
Напруга насичення Vce(sat)1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Розсіювана потужність Pd484 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
Вбудований діодтак (co-pack)
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.