Сімістори

Симістори для роботи на змінному струмі, наприклад у корпусах SOT-223, TO-92, TO-220, TO-3P і TOP-3.

Показано 1–40 із 66

Показати 20 40 80

Сімістор ACST6108 ( ACST610-8T ) оригінал , TO220

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm/Vrrm800 В
Струм It(rms)6 А при Tc 106 °C
Ударний струм Itsm45 А, tp = 20 мс, Tj 25 °C
Струм керування Igt10 мА макс., квадранти I–II–III, Vout = 12 В, RL = 33 Ом, Tj 25 °C
Напруга керування Vgt1.0 В макс.
Спад напруги Vtm1.4 В макс., Iout = 2,1 А, tp = 500 мкс, Tj 25 °C
Статична dV/dt500 В/мкс мін., Tj 125 °C
Квадранти3Q (I, II, III)
Макс. температура переходу125 °C
КорпусTO-220
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал

Сімістор ACST67S оригінал , TO220

В наявності

251,45 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга Vdrm/Vrrm700 В (Tj 125 °C)
Струм It(rms)6 А (Tcase 105 °C)
Ударний струм Itsm45 А (tp = 20 мс, Tj початкова 25 °C)
Струм керування Igt10 мА макс. (Vout = 12 В, RL = 33 Ом, Tj 25 °C)
Напруга керування Vgt1.5 В макс.
Статична dV/dt200 В/мкс
Макс. температура переходу125 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Сімістор BT131-600 , to92

В наявності

7,05 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWeEn Semiconductors
КорпусTO-92
Напруга Vdrm600 В
Струм It(rms)1 А (повна синусоїда; Tlead ≤ 51,2 °C)
Ударний струм Itsm12,5 А (Tj(init) = 25 °C; tp = 20 мс)
Струм керування Igt3 мА (T2+ G+, T2+ G-, T2- G-); 7 мА (T2- G+); max, VD = 12 В, IT = 0,1 А
Квадранти4Q
Струм утримання Ih5 мА (max; VD = 12 В; Tj = 25 °C)
Напруга Vt1,5 В (max; IT = 1,4 А; Tj = 25 °C)
Tj max125 °C

Сімістор BT134-600E оригінал, TO-126

В наявності

16,45 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникNXP Semiconductors
КорпусSOT-32 (TO-126)
Напруга Vdrm600 В
Струм It(rms)4 А (повна синусоїда; Tmb ≤ 107 °C)
Ударний струм Itsm25 А (Tj(init) = 25 °C; tp = 20 мс)
Струм керування Igt10 мА (T2+ G+, T2+ G-, T2- G-); 25 мА (T2- G+); max, VD = 12 В, IT = 0,1 А, Tj = 25 °C
Квадранти4Q
Струм утримання Ih15 мА (max; VD = 12 В; Tj = 25 °C)
Напруга Vt1,7 В (max; IT = 5 А; Tj = 25 °C)
Напруга Vgt1 В (max; VD = 12 В; IT = 0,1 А; Tj = 25 °C)
dV/dt50 В/мкс (тип.; VDM = 402 В; Tj = 125 °C; затвор розімкнений)
Tj max125 °C
СтанОригінал

Сімістор BT136-600E оригінал(4А;600V,Igt=0.01A), ТО220

В наявності

28,67 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникPhilips Semiconductors (NXP)
КорпусTO-220
Напруга VDRM600 В
Струм IT(RMS)4 А (повна синусоїда; Tmb ≤ 107 °C)
Ударний струм ITSM25 А (t = 20 мс; Tj = 25 °C до імпульсу)
Струм керування IGTмакс. 10 мА (T2+ G+, T2+ G-, T2- G-); макс. 25 мА (T2- G+); VD = 12 В, IT = 0,1 А
Квадранти4Q
Струм утримання IHтип. 2.2 / макс. 15 мА (VD = 12 В; IGT = 0,1 А)
Напруга VTтип. 1.4 / макс. 1.70 В (IT = 5 А)
dVD/dt50 В/мкс (тип.; VDM = 67% VDRM(max); Tj = 125 °C; затвор розімкнений)
Rth j-mb3.0 К/Вт
Tj max125 °C
СтанОригінал

Сімістор BT137-600E ,ТО220

В наявності

19,74 ₴
ПараметрЗначення
ТипСімістор, чутливий затвор, 4Q
ВиробникWeEn Semiconductors
КорпусTO-220
Напруга VDRM600 В
Струм IT(RMS)8 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 102 °C)
Ударний струм ITSM65 А (Tj(init) = 25 °C, t = 20 мс)
Струм керування IGT (T2- G+)тип. 11 мА, макс. 25 мА (VD = 12 В, IT = 0,1 А)
Струм утримання IHтип. 2.5 мА, макс. 20 мА (VD = 12 В, Tj = 25 °C)
Напруга VTтип. 1.3 В, макс. 1.65 В (IT = 10 А, Tj = 25 °C)
dV/dt50 В/мкс тип. (VDM = 67% VDRM, Tj = 125 °C, затвор розімкнений)
Тепловий опір Rth(j-mb)2 К/Вт (повний період)
Макс. температура переходу Tj125 °C

Сімістор BT137-800E ( BT137-800 ) ,ТО220

В наявності

23,03 ₴
ПараметрЗначення
ТипСімістор, чутливий затвор, 4Q
ВиробникWeEn Semiconductors
КорпусTO-220
Напруга VDRM800 В
Струм IT(RMS)8 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 102 °C)
Струм керування IGT (T2- G+)тип. 11 мА, макс. 25 мА (VD = 12 В, IT = 0,1 А)
Струм утримання IHтип. 2.5 мА, макс. 20 мА (VD = 12 В, Tj = 25 °C)

Сімістор BT138-600E ,ТО220

В наявності

28,67 ₴
ПараметрЗначення
ТипСімістор, чутливий затвор, 4Q
ВиробникWeEn Semiconductors
КорпусTO-220
Напруга VDRM600 В
Струм IT(RMS)12 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 99 °C)
Ударний струм ITSM95 А (Tj(init) 25 °C, tp = 20 мс)
Струм керування IGT (T2- G+)макс. 25 мА, тип. 11 мА (VD = 12 В, IT = 0,1 А, Tj 25 °C)
Напруга VTмакс. 1,65 В (IT = 15 А, Tj 25 °C); тип. 1,4 В
Струм утримання IHмакс. 30 мА (VD = 12 В, Tj 25 °C)
Напруга керування VGTмакс. 1 В; тип. 0,7 В (VD = 12 В, IT = 0,1 А, Tj 25 °C)
dV/dt150 В/мкс тип. (VDM = 402 В, Tj 125 °C, затвор розімкнений)
Макс. температура переходу Tj125 °C
Температура зберігання-40…150 °C

Сімістор BT139-600E оригінал (16А;600V,Igt=0.01A) ,ТО220

В наявності

47,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWeEn Semiconductors
ТипСимістор 4Q, чутливий затвор (серія E)
Напруга VDRM600 В
Струм IT(RMS)16 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 99 °C)
Ударний струм ITSM155 А (повна синусоїда, Tj 25 °C, tp = 20 мс)
Струм керування IGTмакс. 10 мА (T2+ G+, T2+ G-, T2- G-), 25 мА (T2- G+); VD = 12 В, IT = 0,1 А, Tj 25 °C
Напруга VTмакс. 1,6 В (IT = 20 А, Tj 25 °C)
Струм утримання IHмакс. 30 мА (VD = 12 В, Tj 25 °C)
Макс. температура переходу Tj125 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Сімістор BTA06-600BW оригінал (заміна для BTA06-600B ), ТО220

В наявності

84,60 ₴
ПараметрЗначення
ТипСимістор
Напруга Vdrm/Vrrm600 В (Tj 25 °C)
Струм IT(RMS)6 А (Tc 100 °C)
Ударний струм Itsm65 А (tp 20 мс, Tj 25 °C)
Струм керування Igt50 мА макс. (VD 12 В, RL 33 Ом, Tj 25 °C)
Квадранти3Q
КорпусTO-220A, ізольований
Замінаможе замінити BTA06-600B
СтанОригінал

Сімістор BTA06-600C ( BTA06-600CW ) оригінал(6A;600V,Igt=0.025A) , ТО220

В наявності

69,56 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипСимістор
Струм IT(RMS)6 А
Напруга600 В
Струм керування Igt (за назвою товару)0.025 А
КорпусTO-220
СтанОригінал

Сімістор BTA08-600B (8A,600V,Igt=0,03A) оригінал, ТО220

В наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга Vdrm/Vrrm600 В
Струм It(RMS)8 А (Tc = 100 °C)
Igt, квадранти I–II–III (макс.)50 мА (VD = 12 В, RL = 30 Ом, Tj = 25 °C)
Igt, квадрант IV (макс.)100 мА (VD = 12 В, RL = 30 Ом, Tj = 25 °C)
dV/dt (мін.)400 В/мкс (VD = 67 % VDRM, Tj = 125 °C)
Ізоляція корпусу2500 В (ефективне)
Типстандартний, 4 квадранти
КорпусTO-220AB, ізольований
СтанОригінал

Сімістор BTA08-600C ( BTA08-600CRG ) оригінал, ТО220

В наявності

71,44 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга Vdrm/Vrrm600 В
Струм It(RMS)8 А (Tc = 100 °C)
Igt, квадранти I–II–III (макс.)25 мА (VD = 12 В, RL = 30 Ом, Tj = 25 °C)
Igt, квадрант IV (макс.)50 мА (VD = 12 В, RL = 30 Ом, Tj = 25 °C)
Ih (макс.)25 мА (IT = 500 мА)
dV/dt (мін.)200 В/мкс (VD = 67 % VDRM, Tj = 125 °C)
Ізоляція корпусу2500 В (ефективне)
Типстандартний, 4 квадранти
КорпусTO-220AB, ізольований
СтанОригінал

Сімістор BTA12-600B оригінал (12A,600V,50mA), ТО220

В наявності

79,90 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm/Vrrm600 В
Струм IT(RMS)12 А (Tc 90 °C)
Ударний струм ITSM120/126 А (50/60 Гц, повний період)
Струм відкривання Igt50 мА макс. (квадранти I–II–III), 100 мА макс. (IV); VD 12 В, RL 30 Ом
Напруга відкривання Vgt1,3 В макс.
Напруга VTM1,55 В макс. (ITM 17 А, tp 380 мкс)
Струм утримання IH50 мА макс.
dV/dt400 В/мкс мін. (Tj 125 °C, VD 67 % VDRM)
Квадранти4Q (I, II, III, IV)
Тепловий опір Rth(j-c)2,3 °C/Вт макс.
Макс. температура переходу Tj125 °C
КорпусTO-220
Корпус (докладно)TO-220AB Ins. (ізольована основа)
СтанОригінал

Сімістор BTA12-600CW ( BTA12-600C ) (12A,600V,35mA) ,ТО220

В наявності

56,40 ₴
ПараметрЗначення
ТипСимістор
Напруга Vdrm/Vrrm600 В (Tj 25 °C)
Струм IT(RMS)12 А (Tc 86 °C)
Ударний струм Itsm120 А (tp 20 мс, Tj 25 °C)
Струм керування Igt35 мА макс. (VD 12 В, RL 33 Ом, Tj 25 °C)
dV/dt1000 В/мкс мін. (VD 400 В, Tj 125 °C)
Квадранти3Q
КорпусTO-220A, ізольований

Сімістор BTA12-800B оригінал, ТО220

В наявності

75,20 ₴
ПараметрЗначення
ТипСимістор
Напруга Vdrm/Vrrm800 В
Струм IT(RMS)12 А (повна синусоїда)
Ударний струм Itsm120 А (tp 20 мс)
Струм керування Igt50 мА макс. (VD 12 В, RL 30 Ом)
Напруга керування Vgt1,3 В макс.
КорпусTO-220AB, ізольований
СтанОригінал

Сімістор BTA12-800C ,ТО220

В наявності

40,42 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm/Vrrm800 В (Tj 25 °C)
Струм IT(RMS)12 А (Tc 80 °C)
Ударний струм Itsm120 А (50 Гц, tp 20 мс)
Струм керування Igtдо 50 мА (VD 12 В, RL 100 Ом)
Напруга керування Vgtдо 1,5 В (VD 12 В, RL 100 Ом)
Спад напруги Vtmдо 1,5 В (ITM 12 А, Tj 25 °C)
dV/dtвід 500 В/мкс (VD 2/3 Vdrm, Tj 150 °C)
КорпусTO-220AB, ізольований

Сімістор BTA140-600 (25A,600V,35mA) , TO220

В наявності

55,46 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWeEn Semiconductors
Vdrm600 В (Tj 25 °C, повна синусоїда, 20 мс)
IT(RMS)25 А (повна синусоїда, Tmb 91 °C)
ITSM190 А (повна синусоїда, Tj 25 °C, 20 мс)
IGT35 мА макс. (T2+ G+, T2+ G-, T2- G-), 70 мА макс. (T2- G+); VD 12 В, IT 0,1 А, Tj 25 °C
Квадранти4Q
КорпусTO-220

Сімістор BTA16-800B оригінал, ТО220

В наявності

75,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm800 В
Струм IT(RMS)16 А (повна синусоїда, Tmb 112 °C)
Ударний струм Itsm160 А (tp 20 мс, Tj(init) 25 °C)
Струм керування Igt10–50 мА (VD 12 В, IT 0,1 А, Tj 25 °C)
Напруга керування Vgtдо 1 В (VD 12 В, Tj 25 °C)
Спад напруги Vtдо 1,5 В (IT 20 А, Tj 25 °C)
Квадранти4Q
dVD/dtвід 500 В/мкс (VD 400 В, Tj 150 °C)
Tj макс.150 °C
Rth(j-mb)до 1,9 К/Вт
КорпусSOT78D (IITO-220), ізольований
СтанОригінал

Сімістор BTA24-600BW ( BTA24-600B ) оригінал, ТО220

В наявності

75,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm/Vrrm600 В (Tj 25 °C)
Струм It(rms)25 А (Tc 79 °C)
Ударний струм Itsm250 А (tp 20 мс, Tj 25 °C)
Струм керування Igtдо 50 мА (VD 12 В, RL 33 Ом, Tj 25 °C)
Напруга керування Vgtдо 1 В (VD 12 В, RL 33 Ом)
Спад Vtmдо 1,5 В (Itm 35 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C)
dV/dtвід 2500 В/мкс (VD 400 В, Tj 125 °C)
Напруга ізоляції2500 В (RMS)
Rth(j-c)1.3 °C/Вт
Snubberlessтак
КорпусTO-220A, ізольований
СтанОригінал

Сімістор BTA24-800B оригінал,ТО220

В наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm/Vrrm800 В (Tj 25 °C)
Струм It(rms)25 А (Tc 79 °C)
Ударний струм Itsm250 А (повна синусоїда, 20 мс, Tj 25 °C)
Струм керування Igt50 мА (квадранти I–III, VD 12 В, RL 33 Ом, макс.)
Струм керування Igt, квадрант IV70 мА (VD 12 В, RL 33 Ом, макс.)
Квадранти4Q
Критична dV/dt1000 В/мкс (VD 540 В, Tj 125 °C, мін.)
Напруга ізоляції2500 В (RMS)
Макс. температура переходу125 °C
КорпусTO-220A, ізольований
СтанОригінал

Сімістор BTA41-600B ( BTA41-600BQ ) оригінал (40A,600V) , TOP3

В наявності

192,70 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm/Vrrm600 В, Tj 25 °C
Струм It(rms)40 А при Tc 81 °C
Ударний струм Itsm420 А, tp = 20 мс, Tj 25 °C
Струм керування Igt50 мА макс., квадранти I–III (70 мА для IV), VD = 12 В, RL = 33 Ом
Напруга керування Vgt1.3 В макс., VD = 12 В, RL = 33 Ом
Спад напруги Vt1.4 В макс., Itm = 60 А, tp = 380 мкс, Tj 25 °C
Квадранти4Q (I, II, III, IV)
Макс. температура переходу125 °C
КорпусTOP3
Корпус (докладно)TOP3, ізоляція 2500 В (діюче), UL
СтанОригінал

Сімістор BTA41-800B оригінал , TOP3 (заміна для BTA41-800BW )

В наявності

241,11 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm/Vrrm800 В
Струм It(rms)40 А (Tc 110 °C)
Ударний струм Itsm400 А (50 Гц, 20 мс)
Струм керування Igt50 мА (квадранти I–III, VD 12 В, RL 30 Ом)
Спад Vtm1.55 В (It 23 А, tp 380 мкс)
Макс. температура переходу125 °C
КорпусTO-3P(N)IS
СтанОригінал

Сімістор BTB04-600SL , ТО220

В наявності

38,54 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm/Vrrm600 В
Струм It(rms)4 А (повна синусоїда, Tc 105 °C)
Ударний струм Itsm35 А (50 Гц, 20 мс, Tj 25 °C)
Струм керування Igt10 мА (квадранти I–III, VD 12 В, RL 30 Ом, макс.)
Струм керування Igt, квадрант IV25 мА (VD 12 В, RL 30 Ом, макс.)
Квадранти4Q
Струм утримання Ih15 мА (It 100 мА, макс.)
Критична dV/dt75 В/мкс (Tj 125 °C, мін.)
Макс. температура переходу125 °C
КорпусTO-220
ВиробникSTMicroelectronics

Сімістор BTB08-600C ( BTB08-600CW )(8A;600V,Igt=0.035A) , ТО220

В наявності

44,65 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm/Vrrm600 В
Струм It(rms)8 А (повна синусоїда, Tj 110 °C)
Ударний струм Itsm80 А (tp 20 мс)
Струм керування Igt35 мА макс. (VD 12 В, RL 30 Ом)
Напруга керування Vgt1.3 В макс. (VD 12 В, RL 30 Ом)
Спад Vtm1.55 В макс. (It 11 А, tp 380 мкс)
Струм утримання Ih35 мА макс. (Igt 0,1 А, затвор розімкнений)
Тепловий опір Rth(j-c)1.6 °C/Вт
Макс. температура переходу125 °C
КорпусTO-220

Сімістор BTB12-600B , ТО220 (Заміна для BTB08-600B )

В наявності

54,05 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm/Vrrm600 В
Струм It(rms)12 А (повна синусоїда, Tc 105 °C)
Струм керування Igt50 мА (VD 12 В, RL 33 Ом); 100 мА у квадранті T2-G+
Напруга керування Vgt1.3 В (VD 12 В, RL 33 Ом, усі квадранти)
Струм утримання Ih50 мА (Igt 0,5 А, керівний електрод розімкнений)
Напруга Vtm1.55 В (It 17 А, tp 380 мкс)
Тепловий опір перехід–корпус1.4 °C/Вт
КорпусTO-220

Сімістор BTB12-600CW оригінал, ТО220

В наявності

117,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm/Vrrm600 В
Струм It(rms)12 А (повний цикл синусоїди 50–60 Гц, Tc 90 °C)
Ударний струм Itsm95 А (один повний цикл, 60 Гц, Tj 110 °C)
Струм керування Igt35 мА (VD 12 В, It 0,1 А, квадранти T2+G+, T2+G-, T2-G-)
Напруга керування Vgt1.5 В (VD 12 В, RL 100 Ом, усі квадранти, Tj -40 °C)
Струм утримання Ih40 мА (Tj 25 °C, керівний електрод розімкнений)
Напруга Vtm1.65 В (Itm 15 А, tp 380 мкс)
dV/dt200 В/мкс мін. (VDM 67% Vdrm, Tj 125 °C, RGK 1 кОм)
Квадранти3Q
Тепловий опір Rth(j-c)3.0 °C/Вт (змінний струм)
Макс. температура переходу125 °C
КорпусTO-220B, неізольований, 3 виводи
СтанОригінал

Сімістор BTB12-800B , ТО220

В наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
Повторювана пікова напруга Vdrm800 В (Tj 25 °C)
Повторювана зворотна напруга Vrrm800 В (Tj 25 °C)
Струм IT(RMS)12 А (Tc 103 °C)
Ударний струм Itsm120 А (повний період, tp 20 мс, Tj 25 °C)
Напруга відкривання Vgt1 В макс.
Напруга Vtm1.5 В макс. (Itm 17 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C)
Тепловий опір перехід–корпус1.3 °C/Вт (AC)
Макс. температура переходу Tj125 °C
КорпусTO-220

Сімістор BTB12-800CW ( BTB12-800C ) оригінал, ТО220

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Vdrm/Vrrm800 В
It(RMS)12 А (Tc 105 °C)
Itsm120/126 А (tp 20 мс/16,7 мс)
Igt35 мА (клас C, Tj 25 °C)
Vt1,55 В (ITM 17 А, Tj 25 °C)
Квадранти3Q (I, II, III), snubberless
КорпусTO-220
Tj max125 °C
СтанОригінал

Сімістор BTB16-600B , ТО220

В наявності

63,45 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm/Vrrm600 В (Ta 25 °C)
Струм It(rms)16 А (Ta 25 °C)
Струм керування Igt50 мА (VAK 12 В, RL 30 Ом; T2+G+, T2+G-, T2-G-), 100 мА у T2-G+
Напруга керування Vgt1.3 В (VD 12 В, RL 30 Ом, усі квадранти)
Струм утримання Ih50 мА (It 0,5 А, Igt 20 мА)
Напруга Vtm1.55 В (It 22,5 А)
Струм витоку Idrm10 мкА (VDRM 520 В)
Квадранти4Q
КорпусTO-220

Сімістор BTB16-600CW ( BTB16-600C ) ( 16A,600V,35mA ) оригінал , ТО220

В наявності

86,95 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm/Vrrm600 В
Струм It(rms)16 А (повна синусоїда, Tc 100 °C)
Імпульсний струм Itsm160 А (повний цикл, 50 Гц, 20 мс, Tj 25 °C)
Струм керування Igt35 мА (VD 12 В, RL 33 Ом, квадранти I–II–III)
Напруга керування Vgt1.3 В (квадранти I–II–III)
Струм утримання Ih35 мА (It 500 мА)
Напруга Vtm1.55 В (Itm 22,5 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C)
Квадранти3Q
Макс. Tj125 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Сімістор BTB16-700BW оригінал ( заміна для BTB15-700BAK ) , ТО220

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Vdrm/Vrrm700 В
It(RMS)16 А (Tc 100 °C)
Itsm160/168 А (tp 20 мс/16,7 мс)
Igt50 мА (клас B, Tj 25 °C)
Vt1,55 В (ITM 22,5 А, Tj 25 °C)
Квадранти3Q (I, II, III), snubberless
КорпусTO-220
Tj max125 °C
СтанОригінал

Сімістор BTB16-800B ( Заміна для BTB16-800BW ) оригінал, ТО220

В наявності

115,62 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm/Vrrm800 В (Ta 25 °C)
Струм It(rms)16 А (Ta 25 °C)
Струм керування Igt50 мА (VAK 12 В, RL 30 Ом; T2+G+, T2+G-, T2-G-), 100 мА у T2-G+
Напруга керування Vgt1.3 В (VD 12 В, RL 30 Ом, усі квадранти)
Струм утримання Ih50 мА (It 0,5 А, Igt 20 мА)
Напруга Vtm1.55 В (It 22,5 А)
Струм витоку Idrm10 мкА (VDRM 720 В)
Квадранти4Q
КорпусTO-220
СтанОригінал

Сімістор BTB16-800CW оригінал (заміна для BTB16-800C , T1635T-8T , MAC8N , MAC8M , MAC12N , MAC12M ) , ТО220

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm/Vrrm800 В (Tj 25 °C)
Струм IT(RMS)16 А (Tc 100 °C)
Ударний струм ITSM160 А (повний період, tp 20 мс, Tj 25 °C; 176 А при tp 16,6 мс)
Струм керування Igt35 мА макс. (VD 12 В, RL 33 Ом, квадранти I/II/III)
Напруга керування Vgt1 В макс. (VD 12 В, RL 33 Ом)
Напруга Vtm1,5 В макс. (ITM 22,5 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C)
Струм утримання Ih40 мА макс. (IT 500 мА)
dV/dt1000 В/мкс мін. (VD 540 В, затвор розімкнений, Tj 125 °C)
Квадранти3Q (I, II, III)
Snubberlessтак
Tj макс.125 °C
КорпусTO-220C
СтанОригінал

Сімістор JST41Z-800BW ( JST41Z-800B ) оригінал , TOP3

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm800 В (Tj 25 °C)
Напруга Vrrm800 В (Tj 25 °C)
Струм IT(RMS)40 А (Tc 81 °C)
Ударний струм Itsm420 А (повний період, tp 20 мс, Tj 25 °C)
Струм відкривання Igt50 мА макс. (три квадранти 50/50/50 мА, VD 12 В, RL 33 Ом, Tj 25 °C)
Напруга Vtm1.4 В макс. (Itm 60 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C)
dV/dt2000 В/мкс мін. (VD 540 В, Tj 125 °C)
Струм утримання Ih100 мА макс. (IT 500 мА)
Напруга ізоляції Viso2500 В (ефект.)
Snubberlessтак
Тепловий опір перехід–корпус0.85 °C/Вт
Макс. температура переходу Tj125 °C
КорпусTO-3P(N)IS
Корпус (докладно)TO-3P (Ins)
ВиробникJieJie Microelectronics
СтанОригінал

Сімістор M10LZ47 ( SM10LZ47 ) оригінал, TO220F

В наявності

117,03 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm800 В
Струм IT(RMS)10 А (повна синусоїда)
Ударний струм ITSM100 А (50 Гц; 110 А при 60 Гц)
Струм керування Igt30 мА макс. (VD 12 В, RL 20 Ом, квадранти I/II/III)
Напруга керування Vgt1,5 В макс. (VD 12 В, RL 20 Ом)
Напруга Vtm1,5 В макс. (ITM 15 А)
Струм утримання Ih50 мА макс. (VD 12 В, ITM 1 А)
dV/dt300 В/мкс мін. (VDRM 600 В, Tj 125 °C, експоненційне наростання)
dV/dt при комутації10 В/мкс мін. (VDRM 400 В, Tj 125 °C, (di/dt)c -5,5 А/мс)
Квадранти3Q (I, II, III)
Напруга ізоляції Visol1500 В AC (1 хв)
Rth(j-c)3,4 °C/Вт (перехід-корпус, AC)
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Сімістор M12JZ47 ( SM12JZ47 ) (600V,12A,Igt=0,03A) , TO220F

В наявності

70,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm/Vrrm600 В
Струм IT(RMS)12 А (Tc 72 °C, повна синусоїда)
Ударний струм ITSM120 А (50 Гц; 132 А при 60 Гц)
Струм керування Igt30 мА макс. (VD 12 В, RL 20 Ом, квадранти I/II/III)
Напруга керування Vgt1,5 В макс. (VD 12 В, RL 20 Ом)
Напруга Vtm1,5 В макс. (ITM 17 А)
Струм утримання Ih50 мА макс. (VD 12 В, ITM 1 А)
dV/dt300 В/мкс мін. (VDRM, Tj 125 °C, експоненційне наростання)
dV/dt при комутації10 В/мкс мін. (VDRM 400 В, Tj 125 °C, (di/dt)c -6,5 А/мс)
Квадранти3Q (I, II, III)
Напруга ізоляції Visol1500 В AC (1 хв)
Rth(j-c)3,0 °C/Вт (перехід-корпус, AC)
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba

Сімістор M2GZ47 , TO220F

В наявності

94,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm/Vrrm400 В
Струм It(rms)2 А при Tc 110 °C
Ударний струм Itsm8 А при 50 Гц
Струм керування Igt8 мА макс. (5 мА для SM2GZ47A), VD = 12 В, RL = 20 Ом
Напруга керування Vgt1.5 В макс., квадрант I
Спад напруги Vt1.7 В макс., Itm = 3 А, Ta 25 °C
Квадранти3Q (I, II, III)
Макс. температура переходу125 °C
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba

Сімістор M2LZ47 ( SM2LZ47 ) оригінал демонтаж, TO220F

В наявності

90,24 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm800 В
Струм IT(RMS)2 А (повна синусоїда)
Ударний струм ITSM8 А (50 Гц; 8,8 А при 60 Гц)
Струм керування Igt10 мА макс. (VD 12 В, RL 20 Ом, квадранти I/II/III)
Напруга керування Vgt1,5 В макс. (VD 12 В, RL 20 Ом)
Напруга Vtm2,0 В макс. (ITM 3 А)
Струм утримання Ih10 мА макс. (VD 12 В, ITM 1 А)
dV/dt500 В/мкс мін. (VDRM 800 В, Tj 125 °C)
Квадранти3Q (I, II, III)
Напруга ізоляції Visol1500 В AC (1 хв)
Тепловий опір Rth(j-a)58 °C/Вт (перехід-повітря, AC)
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал, демонтаж б/в

Сімістор MAC97A6 , to92

В наявності

4,70 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdrm/Vrrm600 В
Струм IT(RMS)1 А (Tc 110 °C)
Ударний струм ITSM12 А (Tp 10 мс, Tj 125 °C)
Струм керування Igt3 мА (VD 12 В, квадранти I/II/III; квадрант IV – 7 мА)
Напруга керування Vgt1,2 В (VD 12 В)
Напруга Vtm1,5 В (IT 1,6 А, tp 380 мкс)
Струм утримання Ih5 мА (квадранти I/II/III; квадрант IV – 10 мА)
dV/dt при комутації30 В/мкс (Tj 110 °C, VD 2/3 VDRM)
Квадранти4Q (I, II, III, IV)
Макс. температура переходу Tj125 °C
КорпусTO-92
ВиробникKY

Симістори: параметри, корпуси і моделі, які замовляють найчастіше

Серед симісторів у розділі є, наприклад, моделі на напругу Vdrm 400, 600 і 800 В і на діюче значення струму It(rms) 1, 12, 16 і 40 А. Виробники – STMicroelectronics, WeEn Semiconductors, Toshiba, NXP Semiconductors та інші.

Які параметри симістора вказано в картках

  • Напруга Vdrm – найчастіше 600 або 800 В.
  • Діюче значення струму It(rms) – найчастіше 12 і 16 А.
  • Струм керування Igt – найчастіше 50 і 10 мА. У частини моделей у картці позначено чутливий затвор.
  • Квадранти запуску – у картках вказано 3Q або 4Q.
  • Snubberless – така позначка є в картках частини моделей.

Корпуси симісторів

Найбільше симісторів у корпусах TO-220AB, TO-220 і TO-92. Трапляються й інші, наприклад TO-220F, SOT-223, TO-3P і TOP-3. Серед ізольованих у картках позначено, наприклад, TO-220A, частину TO-220AB і частину TO-3P.

Симістори, які замовляють найчастіше

  • Z9M (Z0109MN) – 1 А, 600 В, Igt 10 мА, корпус SOT-223.
  • Z3M (Z0103MN) – 1 А, 600 В, 3 мА, корпус SOT-223.
  • BTB16-700BW – корпус TO-220. У назві вказано, що він замінює BTB15-700BAK.
  • BTB16-800CW – корпус TO-220. У назві вказано, що він замінює BTB16-800C, T1635T-8T, MAC8N, MAC8M, MAC12N і MAC12M.
  • BTB12-800CW (BTB12-800C) – корпус TO-220.

Є в наявності й моделі, які часто шукають: BT136-600E (4 А, 600 В, Igt 10 мА), BT137-600E, BT137-800E і BTA16-800B, усі в корпусі TO-220.

Оптрони, тиристори та інше поруч із симісторами

Запуск потужних тиристорів і симісторів – одна з функцій керуючих оптронів. Їх шукайте в розділі Оптрони. Інші тиристори – у розділі Тиристори. У тих самих замовленнях, що й симістори, бувають мікросхеми, диністори та електролітичні конденсатори.

Є нові симістори і демонтаж: деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Відправляємо Новою Поштою по Україні з Запоріжжя, в день оплати або наступного дня.

Часті запитання

Що таке симістор?

Це симетричний тиристор. Так у підручнику називають тиристор, у якого вольт-амперна характеристика симетрична відносно початку координат.

Чим симістор відрізняється від звичайного тиристорного ключа?

Тиристорний ключ зазвичай проводить струм тільки в одному напрямку. Тому для підвищення ефективності роботи тиристорів на змінному струмі їх вмикають зустрічно-паралельно або застосовують симістори.

Для чого потрібні симістори?

Симістор дозволяє регулювати напругу на навантаженні протягом обох півперіодів напруги мережі.

Які характеристики BTA16-600B?

У назві товару вказано: 16 А, 600 В, 50 мА, корпус TO-220. Там само вказано позначення BTA16-600BW.

Які характеристики BT139-600E?

За назвою товару це симістор на 16 А і 600 В зі струмом керування Igt 10 мА у корпусі TO-220.