Сімістори
Симістори для роботи на змінному струмі, наприклад у корпусах SOT-223, TO-92, TO-220, TO-3P і TOP-3.
Сімістор ACST6108 ( ACST610-8T ) оригінал , TO220
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 800 В |
| Струм It(rms) | 6 А при Tc 106 °C |
| Ударний струм Itsm | 45 А, tp = 20 мс, Tj 25 °C |
| Струм керування Igt | 10 мА макс., квадранти I–II–III, Vout = 12 В, RL = 33 Ом, Tj 25 °C |
| Напруга керування Vgt | 1.0 В макс. |
| Спад напруги Vtm | 1.4 В макс., Iout = 2,1 А, tp = 500 мкс, Tj 25 °C |
| Статична dV/dt | 500 В/мкс мін., Tj 125 °C |
| Квадранти | 3Q (I, II, III) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Сімістор ACST67S оригінал , TO220
В наявності
251,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 700 В (Tj 125 °C) |
| Струм It(rms) | 6 А (Tcase 105 °C) |
| Ударний струм Itsm | 45 А (tp = 20 мс, Tj початкова 25 °C) |
| Струм керування Igt | 10 мА макс. (Vout = 12 В, RL = 33 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | 1.5 В макс. |
| Статична dV/dt | 200 В/мкс |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BT131-600 , to92
В наявності
7,05 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга Vdrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 1 А (повна синусоїда; Tlead ≤ 51,2 °C) |
| Ударний струм Itsm | 12,5 А (Tj(init) = 25 °C; tp = 20 мс) |
| Струм керування Igt | 3 мА (T2+ G+, T2+ G-, T2- G-); 7 мА (T2- G+); max, VD = 12 В, IT = 0,1 А |
| Квадранти | 4Q |
| Струм утримання Ih | 5 мА (max; VD = 12 В; Tj = 25 °C) |
| Напруга Vt | 1,5 В (max; IT = 1,4 А; Tj = 25 °C) |
| Tj max | 125 °C |
Сімістор BT134-600E оригінал, TO-126
В наявності
16,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
| Напруга Vdrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 4 А (повна синусоїда; Tmb ≤ 107 °C) |
| Ударний струм Itsm | 25 А (Tj(init) = 25 °C; tp = 20 мс) |
| Струм керування Igt | 10 мА (T2+ G+, T2+ G-, T2- G-); 25 мА (T2- G+); max, VD = 12 В, IT = 0,1 А, Tj = 25 °C |
| Квадранти | 4Q |
| Струм утримання Ih | 15 мА (max; VD = 12 В; Tj = 25 °C) |
| Напруга Vt | 1,7 В (max; IT = 5 А; Tj = 25 °C) |
| Напруга Vgt | 1 В (max; VD = 12 В; IT = 0,1 А; Tj = 25 °C) |
| dV/dt | 50 В/мкс (тип.; VDM = 402 В; Tj = 125 °C; затвор розімкнений) |
| Tj max | 125 °C |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BT136-600E оригінал(4А;600V,Igt=0.01A), ТО220
В наявності
28,67 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Philips Semiconductors (NXP) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга VDRM | 600 В |
| Струм IT(RMS) | 4 А (повна синусоїда; Tmb ≤ 107 °C) |
| Ударний струм ITSM | 25 А (t = 20 мс; Tj = 25 °C до імпульсу) |
| Струм керування IGT | макс. 10 мА (T2+ G+, T2+ G-, T2- G-); макс. 25 мА (T2- G+); VD = 12 В, IT = 0,1 А |
| Квадранти | 4Q |
| Струм утримання IH | тип. 2.2 / макс. 15 мА (VD = 12 В; IGT = 0,1 А) |
| Напруга VT | тип. 1.4 / макс. 1.70 В (IT = 5 А) |
| dVD/dt | 50 В/мкс (тип.; VDM = 67% VDRM(max); Tj = 125 °C; затвор розімкнений) |
| Rth j-mb | 3.0 К/Вт |
| Tj max | 125 °C |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BT137-600E ,ТО220
В наявності
19,74 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Сімістор, чутливий затвор, 4Q |
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга VDRM | 600 В |
| Струм IT(RMS) | 8 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 102 °C) |
| Ударний струм ITSM | 65 А (Tj(init) = 25 °C, t = 20 мс) |
| Струм керування IGT (T2- G+) | тип. 11 мА, макс. 25 мА (VD = 12 В, IT = 0,1 А) |
| Струм утримання IH | тип. 2.5 мА, макс. 20 мА (VD = 12 В, Tj = 25 °C) |
| Напруга VT | тип. 1.3 В, макс. 1.65 В (IT = 10 А, Tj = 25 °C) |
| dV/dt | 50 В/мкс тип. (VDM = 67% VDRM, Tj = 125 °C, затвор розімкнений) |
| Тепловий опір Rth(j-mb) | 2 К/Вт (повний період) |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
Сімістор BT137-800E ( BT137-800 ) ,ТО220
В наявності
23,03 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Сімістор, чутливий затвор, 4Q |
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга VDRM | 800 В |
| Струм IT(RMS) | 8 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 102 °C) |
| Струм керування IGT (T2- G+) | тип. 11 мА, макс. 25 мА (VD = 12 В, IT = 0,1 А) |
| Струм утримання IH | тип. 2.5 мА, макс. 20 мА (VD = 12 В, Tj = 25 °C) |
Сімістор BT138-600E ,ТО220
В наявності
28,67 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Сімістор, чутливий затвор, 4Q |
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга VDRM | 600 В |
| Струм IT(RMS) | 12 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 99 °C) |
| Ударний струм ITSM | 95 А (Tj(init) 25 °C, tp = 20 мс) |
| Струм керування IGT (T2- G+) | макс. 25 мА, тип. 11 мА (VD = 12 В, IT = 0,1 А, Tj 25 °C) |
| Напруга VT | макс. 1,65 В (IT = 15 А, Tj 25 °C); тип. 1,4 В |
| Струм утримання IH | макс. 30 мА (VD = 12 В, Tj 25 °C) |
| Напруга керування VGT | макс. 1 В; тип. 0,7 В (VD = 12 В, IT = 0,1 А, Tj 25 °C) |
| dV/dt | 150 В/мкс тип. (VDM = 402 В, Tj 125 °C, затвор розімкнений) |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Температура зберігання | -40…150 °C |
Сімістор BT139-600E оригінал (16А;600V,Igt=0.01A) ,ТО220
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Тип | Симістор 4Q, чутливий затвор (серія E) |
| Напруга VDRM | 600 В |
| Струм IT(RMS) | 16 А (повна синусоїда, Tmb ≤ 99 °C) |
| Ударний струм ITSM | 155 А (повна синусоїда, Tj 25 °C, tp = 20 мс) |
| Струм керування IGT | макс. 10 мА (T2+ G+, T2+ G-, T2- G-), 25 мА (T2- G+); VD = 12 В, IT = 0,1 А, Tj 25 °C |
| Напруга VT | макс. 1,6 В (IT = 20 А, Tj 25 °C) |
| Струм утримання IH | макс. 30 мА (VD = 12 В, Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTA06-600BW оригінал (заміна для BTA06-600B ), ТО220
В наявності
84,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Симістор |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм IT(RMS) | 6 А (Tc 100 °C) |
| Ударний струм Itsm | 65 А (tp 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм керування Igt | 50 мА макс. (VD 12 В, RL 33 Ом, Tj 25 °C) |
| Квадранти | 3Q |
| Корпус | TO-220A, ізольований |
| Заміна | може замінити BTA06-600B |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTA06-600C ( BTA06-600CW ) оригінал(6A;600V,Igt=0.025A) , ТО220
В наявності
69,56 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Симістор |
| Струм IT(RMS) | 6 А |
| Напруга | 600 В |
| Струм керування Igt (за назвою товару) | 0.025 А |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTA08-600B (8A,600V,Igt=0,03A) оригінал, ТО220
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм It(RMS) | 8 А (Tc = 100 °C) |
| Igt, квадранти I–II–III (макс.) | 50 мА (VD = 12 В, RL = 30 Ом, Tj = 25 °C) |
| Igt, квадрант IV (макс.) | 100 мА (VD = 12 В, RL = 30 Ом, Tj = 25 °C) |
| dV/dt (мін.) | 400 В/мкс (VD = 67 % VDRM, Tj = 125 °C) |
| Ізоляція корпусу | 2500 В (ефективне) |
| Тип | стандартний, 4 квадранти |
| Корпус | TO-220AB, ізольований |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTA08-600C ( BTA08-600CRG ) оригінал, ТО220
В наявності
71,44 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм It(RMS) | 8 А (Tc = 100 °C) |
| Igt, квадранти I–II–III (макс.) | 25 мА (VD = 12 В, RL = 30 Ом, Tj = 25 °C) |
| Igt, квадрант IV (макс.) | 50 мА (VD = 12 В, RL = 30 Ом, Tj = 25 °C) |
| Ih (макс.) | 25 мА (IT = 500 мА) |
| dV/dt (мін.) | 200 В/мкс (VD = 67 % VDRM, Tj = 125 °C) |
| Ізоляція корпусу | 2500 В (ефективне) |
| Тип | стандартний, 4 квадранти |
| Корпус | TO-220AB, ізольований |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTA12-600B оригінал (12A,600V,50mA), ТО220
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм IT(RMS) | 12 А (Tc 90 °C) |
| Ударний струм ITSM | 120/126 А (50/60 Гц, повний період) |
| Струм відкривання Igt | 50 мА макс. (квадранти I–II–III), 100 мА макс. (IV); VD 12 В, RL 30 Ом |
| Напруга відкривання Vgt | 1,3 В макс. |
| Напруга VTM | 1,55 В макс. (ITM 17 А, tp 380 мкс) |
| Струм утримання IH | 50 мА макс. |
| dV/dt | 400 В/мкс мін. (Tj 125 °C, VD 67 % VDRM) |
| Квадранти | 4Q (I, II, III, IV) |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 2,3 °C/Вт макс. |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Корпус (докладно) | TO-220AB Ins. (ізольована основа) |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTA12-600CW ( BTA12-600C ) (12A,600V,35mA) ,ТО220
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Симістор |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм IT(RMS) | 12 А (Tc 86 °C) |
| Ударний струм Itsm | 120 А (tp 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм керування Igt | 35 мА макс. (VD 12 В, RL 33 Ом, Tj 25 °C) |
| dV/dt | 1000 В/мкс мін. (VD 400 В, Tj 125 °C) |
| Квадранти | 3Q |
| Корпус | TO-220A, ізольований |
Сімістор BTA12-800B оригінал, ТО220
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Симістор |
| Напруга Vdrm/Vrrm | 800 В |
| Струм IT(RMS) | 12 А (повна синусоїда) |
| Ударний струм Itsm | 120 А (tp 20 мс) |
| Струм керування Igt | 50 мА макс. (VD 12 В, RL 30 Ом) |
| Напруга керування Vgt | 1,3 В макс. |
| Корпус | TO-220AB, ізольований |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTA12-800C ,ТО220
В наявності
40,42 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 800 В (Tj 25 °C) |
| Струм IT(RMS) | 12 А (Tc 80 °C) |
| Ударний струм Itsm | 120 А (50 Гц, tp 20 мс) |
| Струм керування Igt | до 50 мА (VD 12 В, RL 100 Ом) |
| Напруга керування Vgt | до 1,5 В (VD 12 В, RL 100 Ом) |
| Спад напруги Vtm | до 1,5 В (ITM 12 А, Tj 25 °C) |
| dV/dt | від 500 В/мкс (VD 2/3 Vdrm, Tj 150 °C) |
| Корпус | TO-220AB, ізольований |
Сімістор BTA140-600 (25A,600V,35mA) , TO220
В наявності
55,46 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | WeEn Semiconductors |
| Vdrm | 600 В (Tj 25 °C, повна синусоїда, 20 мс) |
| IT(RMS) | 25 А (повна синусоїда, Tmb 91 °C) |
| ITSM | 190 А (повна синусоїда, Tj 25 °C, 20 мс) |
| IGT | 35 мА макс. (T2+ G+, T2+ G-, T2- G-), 70 мА макс. (T2- G+); VD 12 В, IT 0,1 А, Tj 25 °C |
| Квадранти | 4Q |
| Корпус | TO-220 |
Сімістор BTA16-800B оригінал, ТО220
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 800 В |
| Струм IT(RMS) | 16 А (повна синусоїда, Tmb 112 °C) |
| Ударний струм Itsm | 160 А (tp 20 мс, Tj(init) 25 °C) |
| Струм керування Igt | 10–50 мА (VD 12 В, IT 0,1 А, Tj 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | до 1 В (VD 12 В, Tj 25 °C) |
| Спад напруги Vt | до 1,5 В (IT 20 А, Tj 25 °C) |
| Квадранти | 4Q |
| dVD/dt | від 500 В/мкс (VD 400 В, Tj 150 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Rth(j-mb) | до 1,9 К/Вт |
| Корпус | SOT78D (IITO-220), ізольований |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTA24-600BW ( BTA24-600B ) оригінал, ТО220
В наявності
75,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (Tj 25 °C) |
| Струм It(rms) | 25 А (Tc 79 °C) |
| Ударний струм Itsm | 250 А (tp 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм керування Igt | до 50 мА (VD 12 В, RL 33 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга керування Vgt | до 1 В (VD 12 В, RL 33 Ом) |
| Спад Vtm | до 1,5 В (Itm 35 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| dV/dt | від 2500 В/мкс (VD 400 В, Tj 125 °C) |
| Напруга ізоляції | 2500 В (RMS) |
| Rth(j-c) | 1.3 °C/Вт |
| Snubberless | так |
| Корпус | TO-220A, ізольований |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTA24-800B оригінал,ТО220
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 800 В (Tj 25 °C) |
| Струм It(rms) | 25 А (Tc 79 °C) |
| Ударний струм Itsm | 250 А (повна синусоїда, 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм керування Igt | 50 мА (квадранти I–III, VD 12 В, RL 33 Ом, макс.) |
| Струм керування Igt, квадрант IV | 70 мА (VD 12 В, RL 33 Ом, макс.) |
| Квадранти | 4Q |
| Критична dV/dt | 1000 В/мкс (VD 540 В, Tj 125 °C, мін.) |
| Напруга ізоляції | 2500 В (RMS) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-220A, ізольований |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTA41-600B ( BTA41-600BQ ) оригінал (40A,600V) , TOP3
В наявності
192,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В, Tj 25 °C |
| Струм It(rms) | 40 А при Tc 81 °C |
| Ударний струм Itsm | 420 А, tp = 20 мс, Tj 25 °C |
| Струм керування Igt | 50 мА макс., квадранти I–III (70 мА для IV), VD = 12 В, RL = 33 Ом |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В макс., VD = 12 В, RL = 33 Ом |
| Спад напруги Vt | 1.4 В макс., Itm = 60 А, tp = 380 мкс, Tj 25 °C |
| Квадранти | 4Q (I, II, III, IV) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TOP3 |
| Корпус (докладно) | TOP3, ізоляція 2500 В (діюче), UL |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTA41-800B оригінал , TOP3 (заміна для BTA41-800BW )
В наявності
241,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 800 В |
| Струм It(rms) | 40 А (Tc 110 °C) |
| Ударний струм Itsm | 400 А (50 Гц, 20 мс) |
| Струм керування Igt | 50 мА (квадранти I–III, VD 12 В, RL 30 Ом) |
| Спад Vtm | 1.55 В (It 23 А, tp 380 мкс) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-3P(N)IS |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTB04-600SL , ТО220
В наявності
38,54 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 4 А (повна синусоїда, Tc 105 °C) |
| Ударний струм Itsm | 35 А (50 Гц, 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм керування Igt | 10 мА (квадранти I–III, VD 12 В, RL 30 Ом, макс.) |
| Струм керування Igt, квадрант IV | 25 мА (VD 12 В, RL 30 Ом, макс.) |
| Квадранти | 4Q |
| Струм утримання Ih | 15 мА (It 100 мА, макс.) |
| Критична dV/dt | 75 В/мкс (Tj 125 °C, мін.) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | STMicroelectronics |
Сімістор BTB08-600C ( BTB08-600CW )(8A;600V,Igt=0.035A) , ТО220
В наявності
44,65 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 8 А (повна синусоїда, Tj 110 °C) |
| Ударний струм Itsm | 80 А (tp 20 мс) |
| Струм керування Igt | 35 мА макс. (VD 12 В, RL 30 Ом) |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В макс. (VD 12 В, RL 30 Ом) |
| Спад Vtm | 1.55 В макс. (It 11 А, tp 380 мкс) |
| Струм утримання Ih | 35 мА макс. (Igt 0,1 А, затвор розімкнений) |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 1.6 °C/Вт |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
Сімістор BTB12-600B , ТО220 (Заміна для BTB08-600B )
В наявності
54,05 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 12 А (повна синусоїда, Tc 105 °C) |
| Струм керування Igt | 50 мА (VD 12 В, RL 33 Ом); 100 мА у квадранті T2-G+ |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В (VD 12 В, RL 33 Ом, усі квадранти) |
| Струм утримання Ih | 50 мА (Igt 0,5 А, керівний електрод розімкнений) |
| Напруга Vtm | 1.55 В (It 17 А, tp 380 мкс) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1.4 °C/Вт |
| Корпус | TO-220 |
Сімістор BTB12-600CW оригінал, ТО220
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 12 А (повний цикл синусоїди 50–60 Гц, Tc 90 °C) |
| Ударний струм Itsm | 95 А (один повний цикл, 60 Гц, Tj 110 °C) |
| Струм керування Igt | 35 мА (VD 12 В, It 0,1 А, квадранти T2+G+, T2+G-, T2-G-) |
| Напруга керування Vgt | 1.5 В (VD 12 В, RL 100 Ом, усі квадранти, Tj -40 °C) |
| Струм утримання Ih | 40 мА (Tj 25 °C, керівний електрод розімкнений) |
| Напруга Vtm | 1.65 В (Itm 15 А, tp 380 мкс) |
| dV/dt | 200 В/мкс мін. (VDM 67% Vdrm, Tj 125 °C, RGK 1 кОм) |
| Квадранти | 3Q |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 3.0 °C/Вт (змінний струм) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-220B, неізольований, 3 виводи |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTB12-800B , ТО220
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Повторювана пікова напруга Vdrm | 800 В (Tj 25 °C) |
| Повторювана зворотна напруга Vrrm | 800 В (Tj 25 °C) |
| Струм IT(RMS) | 12 А (Tc 103 °C) |
| Ударний струм Itsm | 120 А (повний період, tp 20 мс, Tj 25 °C) |
| Напруга відкривання Vgt | 1 В макс. |
| Напруга Vtm | 1.5 В макс. (Itm 17 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 1.3 °C/Вт (AC) |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
Сімістор BTB12-800CW ( BTB12-800C ) оригінал, ТО220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Vdrm/Vrrm | 800 В |
| It(RMS) | 12 А (Tc 105 °C) |
| Itsm | 120/126 А (tp 20 мс/16,7 мс) |
| Igt | 35 мА (клас C, Tj 25 °C) |
| Vt | 1,55 В (ITM 17 А, Tj 25 °C) |
| Квадранти | 3Q (I, II, III), snubberless |
| Корпус | TO-220 |
| Tj max | 125 °C |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTB16-600B , ТО220
В наявності
63,45 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В (Ta 25 °C) |
| Струм It(rms) | 16 А (Ta 25 °C) |
| Струм керування Igt | 50 мА (VAK 12 В, RL 30 Ом; T2+G+, T2+G-, T2-G-), 100 мА у T2-G+ |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В (VD 12 В, RL 30 Ом, усі квадранти) |
| Струм утримання Ih | 50 мА (It 0,5 А, Igt 20 мА) |
| Напруга Vtm | 1.55 В (It 22,5 А) |
| Струм витоку Idrm | 10 мкА (VDRM 520 В) |
| Квадранти | 4Q |
| Корпус | TO-220 |
Сімістор BTB16-600CW ( BTB16-600C ) ( 16A,600V,35mA ) оригінал , ТО220
В наявності
86,95 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм It(rms) | 16 А (повна синусоїда, Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Itsm | 160 А (повний цикл, 50 Гц, 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм керування Igt | 35 мА (VD 12 В, RL 33 Ом, квадранти I–II–III) |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В (квадранти I–II–III) |
| Струм утримання Ih | 35 мА (It 500 мА) |
| Напруга Vtm | 1.55 В (Itm 22,5 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Квадранти | 3Q |
| Макс. Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTB16-700BW оригінал ( заміна для BTB15-700BAK ) , ТО220
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Vdrm/Vrrm | 700 В |
| It(RMS) | 16 А (Tc 100 °C) |
| Itsm | 160/168 А (tp 20 мс/16,7 мс) |
| Igt | 50 мА (клас B, Tj 25 °C) |
| Vt | 1,55 В (ITM 22,5 А, Tj 25 °C) |
| Квадранти | 3Q (I, II, III), snubberless |
| Корпус | TO-220 |
| Tj max | 125 °C |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTB16-800B ( Заміна для BTB16-800BW ) оригінал, ТО220
В наявності
115,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 800 В (Ta 25 °C) |
| Струм It(rms) | 16 А (Ta 25 °C) |
| Струм керування Igt | 50 мА (VAK 12 В, RL 30 Ом; T2+G+, T2+G-, T2-G-), 100 мА у T2-G+ |
| Напруга керування Vgt | 1.3 В (VD 12 В, RL 30 Ом, усі квадранти) |
| Струм утримання Ih | 50 мА (It 0,5 А, Igt 20 мА) |
| Напруга Vtm | 1.55 В (It 22,5 А) |
| Струм витоку Idrm | 10 мкА (VDRM 720 В) |
| Квадранти | 4Q |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Сімістор BTB16-800CW оригінал (заміна для BTB16-800C , T1635T-8T , MAC8N , MAC8M , MAC12N , MAC12M ) , ТО220
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 800 В (Tj 25 °C) |
| Струм IT(RMS) | 16 А (Tc 100 °C) |
| Ударний струм ITSM | 160 А (повний період, tp 20 мс, Tj 25 °C; 176 А при tp 16,6 мс) |
| Струм керування Igt | 35 мА макс. (VD 12 В, RL 33 Ом, квадранти I/II/III) |
| Напруга керування Vgt | 1 В макс. (VD 12 В, RL 33 Ом) |
| Напруга Vtm | 1,5 В макс. (ITM 22,5 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| Струм утримання Ih | 40 мА макс. (IT 500 мА) |
| dV/dt | 1000 В/мкс мін. (VD 540 В, затвор розімкнений, Tj 125 °C) |
| Квадранти | 3Q (I, II, III) |
| Snubberless | так |
| Tj макс. | 125 °C |
| Корпус | TO-220C |
| Стан | Оригінал |
Сімістор JST41Z-800BW ( JST41Z-800B ) оригінал , TOP3
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 800 В (Tj 25 °C) |
| Напруга Vrrm | 800 В (Tj 25 °C) |
| Струм IT(RMS) | 40 А (Tc 81 °C) |
| Ударний струм Itsm | 420 А (повний період, tp 20 мс, Tj 25 °C) |
| Струм відкривання Igt | 50 мА макс. (три квадранти 50/50/50 мА, VD 12 В, RL 33 Ом, Tj 25 °C) |
| Напруга Vtm | 1.4 В макс. (Itm 60 А, tp 380 мкс, Tj 25 °C) |
| dV/dt | 2000 В/мкс мін. (VD 540 В, Tj 125 °C) |
| Струм утримання Ih | 100 мА макс. (IT 500 мА) |
| Напруга ізоляції Viso | 2500 В (ефект.) |
| Snubberless | так |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0.85 °C/Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-3P(N)IS |
| Корпус (докладно) | TO-3P (Ins) |
| Виробник | JieJie Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
Сімістор M10LZ47 ( SM10LZ47 ) оригінал, TO220F
В наявності
117,03 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 800 В |
| Струм IT(RMS) | 10 А (повна синусоїда) |
| Ударний струм ITSM | 100 А (50 Гц; 110 А при 60 Гц) |
| Струм керування Igt | 30 мА макс. (VD 12 В, RL 20 Ом, квадранти I/II/III) |
| Напруга керування Vgt | 1,5 В макс. (VD 12 В, RL 20 Ом) |
| Напруга Vtm | 1,5 В макс. (ITM 15 А) |
| Струм утримання Ih | 50 мА макс. (VD 12 В, ITM 1 А) |
| dV/dt | 300 В/мкс мін. (VDRM 600 В, Tj 125 °C, експоненційне наростання) |
| dV/dt при комутації | 10 В/мкс мін. (VDRM 400 В, Tj 125 °C, (di/dt)c -5,5 А/мс) |
| Квадранти | 3Q (I, II, III) |
| Напруга ізоляції Visol | 1500 В AC (1 хв) |
| Rth(j-c) | 3,4 °C/Вт (перехід-корпус, AC) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Сімістор M12JZ47 ( SM12JZ47 ) (600V,12A,Igt=0,03A) , TO220F
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм IT(RMS) | 12 А (Tc 72 °C, повна синусоїда) |
| Ударний струм ITSM | 120 А (50 Гц; 132 А при 60 Гц) |
| Струм керування Igt | 30 мА макс. (VD 12 В, RL 20 Ом, квадранти I/II/III) |
| Напруга керування Vgt | 1,5 В макс. (VD 12 В, RL 20 Ом) |
| Напруга Vtm | 1,5 В макс. (ITM 17 А) |
| Струм утримання Ih | 50 мА макс. (VD 12 В, ITM 1 А) |
| dV/dt | 300 В/мкс мін. (VDRM, Tj 125 °C, експоненційне наростання) |
| dV/dt при комутації | 10 В/мкс мін. (VDRM 400 В, Tj 125 °C, (di/dt)c -6,5 А/мс) |
| Квадранти | 3Q (I, II, III) |
| Напруга ізоляції Visol | 1500 В AC (1 хв) |
| Rth(j-c) | 3,0 °C/Вт (перехід-корпус, AC) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
Сімістор M2GZ47 , TO220F
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 400 В |
| Струм It(rms) | 2 А при Tc 110 °C |
| Ударний струм Itsm | 8 А при 50 Гц |
| Струм керування Igt | 8 мА макс. (5 мА для SM2GZ47A), VD = 12 В, RL = 20 Ом |
| Напруга керування Vgt | 1.5 В макс., квадрант I |
| Спад напруги Vt | 1.7 В макс., Itm = 3 А, Ta 25 °C |
| Квадранти | 3Q (I, II, III) |
| Макс. температура переходу | 125 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
Сімістор M2LZ47 ( SM2LZ47 ) оригінал демонтаж, TO220F
В наявності
90,24 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm | 800 В |
| Струм IT(RMS) | 2 А (повна синусоїда) |
| Ударний струм ITSM | 8 А (50 Гц; 8,8 А при 60 Гц) |
| Струм керування Igt | 10 мА макс. (VD 12 В, RL 20 Ом, квадранти I/II/III) |
| Напруга керування Vgt | 1,5 В макс. (VD 12 В, RL 20 Ом) |
| Напруга Vtm | 2,0 В макс. (ITM 3 А) |
| Струм утримання Ih | 10 мА макс. (VD 12 В, ITM 1 А) |
| dV/dt | 500 В/мкс мін. (VDRM 800 В, Tj 125 °C) |
| Квадранти | 3Q (I, II, III) |
| Напруга ізоляції Visol | 1500 В AC (1 хв) |
| Тепловий опір Rth(j-a) | 58 °C/Вт (перехід-повітря, AC) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Сімістор MAC97A6 , to92
В наявності
4,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdrm/Vrrm | 600 В |
| Струм IT(RMS) | 1 А (Tc 110 °C) |
| Ударний струм ITSM | 12 А (Tp 10 мс, Tj 125 °C) |
| Струм керування Igt | 3 мА (VD 12 В, квадранти I/II/III; квадрант IV – 7 мА) |
| Напруга керування Vgt | 1,2 В (VD 12 В) |
| Напруга Vtm | 1,5 В (IT 1,6 А, tp 380 мкс) |
| Струм утримання Ih | 5 мА (квадранти I/II/III; квадрант IV – 10 мА) |
| dV/dt при комутації | 30 В/мкс (Tj 110 °C, VD 2/3 VDRM) |
| Квадранти | 4Q (I, II, III, IV) |
| Макс. температура переходу Tj | 125 °C |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | KY |
Симістори: параметри, корпуси і моделі, які замовляють найчастіше
Серед симісторів у розділі є, наприклад, моделі на напругу Vdrm 400, 600 і 800 В і на діюче значення струму It(rms) 1, 12, 16 і 40 А. Виробники – STMicroelectronics, WeEn Semiconductors, Toshiba, NXP Semiconductors та інші.
Які параметри симістора вказано в картках
- Напруга Vdrm – найчастіше 600 або 800 В.
- Діюче значення струму It(rms) – найчастіше 12 і 16 А.
- Струм керування Igt – найчастіше 50 і 10 мА. У частини моделей у картці позначено чутливий затвор.
- Квадранти запуску – у картках вказано 3Q або 4Q.
- Snubberless – така позначка є в картках частини моделей.
Корпуси симісторів
Найбільше симісторів у корпусах TO-220AB, TO-220 і TO-92. Трапляються й інші, наприклад TO-220F, SOT-223, TO-3P і TOP-3. Серед ізольованих у картках позначено, наприклад, TO-220A, частину TO-220AB і частину TO-3P.
Симістори, які замовляють найчастіше
- Z9M (Z0109MN) – 1 А, 600 В, Igt 10 мА, корпус SOT-223.
- Z3M (Z0103MN) – 1 А, 600 В, 3 мА, корпус SOT-223.
- BTB16-700BW – корпус TO-220. У назві вказано, що він замінює BTB15-700BAK.
- BTB16-800CW – корпус TO-220. У назві вказано, що він замінює BTB16-800C, T1635T-8T, MAC8N, MAC8M, MAC12N і MAC12M.
- BTB12-800CW (BTB12-800C) – корпус TO-220.
Є в наявності й моделі, які часто шукають: BT136-600E (4 А, 600 В, Igt 10 мА), BT137-600E, BT137-800E і BTA16-800B, усі в корпусі TO-220.
Оптрони, тиристори та інше поруч із симісторами
Запуск потужних тиристорів і симісторів – одна з функцій керуючих оптронів. Їх шукайте в розділі Оптрони. Інші тиристори – у розділі Тиристори. У тих самих замовленнях, що й симістори, бувають мікросхеми, диністори та електролітичні конденсатори.
Є нові симістори і демонтаж: деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Відправляємо Новою Поштою по Україні з Запоріжжя, в день оплати або наступного дня.
Часті запитання
Що таке симістор?
Це симетричний тиристор. Так у підручнику називають тиристор, у якого вольт-амперна характеристика симетрична відносно початку координат.
Чим симістор відрізняється від звичайного тиристорного ключа?
Тиристорний ключ зазвичай проводить струм тільки в одному напрямку. Тому для підвищення ефективності роботи тиристорів на змінному струмі їх вмикають зустрічно-паралельно або застосовують симістори.
Для чого потрібні симістори?
Симістор дозволяє регулювати напругу на навантаженні протягом обох півперіодів напруги мережі.
Які характеристики BTA16-600B?
У назві товару вказано: 16 А, 600 В, 50 мА, корпус TO-220. Там само вказано позначення BTA16-600BW.
Які характеристики BT139-600E?
За назвою товару це симістор на 16 А і 600 В зі струмом керування Igt 10 мА у корпусі TO-220.