Діодні мости

Діодні мости для мостових випрямлячів, наприклад у корпусах GBJ, GBU, KBU і SIP.

Відображаються усі з 40 результатів

Показати 20 40 80

Діодний міст 2W10M круглий (2A,1000V)

В наявності

21,15 ₴
ПараметрЗначення
Vrrm1000 В
Vrms700 В
If(AV)2,0 А (TA 50 °C)
Ifsm50 А (8,3 мс)
Vf1,1 В (If 2,0 А)
Tj-55…+125 °C

Діодний міст D10XB60

В наявності

73,32 ₴
ПараметрЗначення
Зворотна напруга Vrrm600 В
Прямий струм If(AV)10 А (Tc 25 °C)
Струм з радіатором2,7 А (Tc 100 °C)
Ударний струм Ifsm120 А
КорпусКомпактний SIP («3S»)

Діодний міст D15SB80 оригінал

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Максимальна повторювана зворотна напруга Vrrm800 В
Максимальний середній струм If(AV)15 А (Tc 100 °C, з радіатором)
Ударний струм Ifsm250 А
Пряме падіння напруги Vf1,0 В (при 7,5 А)
Зворотний струм Ir10 мкА (25 °C)
Робоча температура переходу Tjдо 150 °C
КорпусSIP-4P
ВиробникLRC (Leshan Radio Company)
СтанОригінал

Діодний міст D15XB80 ( Заміна для D15XB60 )

В наявності

133,48 ₴
ПараметрЗначення
Vrrm800 В (Tc 25 °C)
If(AV) з радіатором15 А (Tc 100 °C)
If(AV) без радіатора3,2 А (Ta 25 °C)
Ifsm200 А
Vf1,1 В (If 7,5 А)
Tj/Tstg-40…+150 °C

Діодний міст D20SB80 оригінал

В наявності

133,48 ₴
ПараметрЗначення
Зворотна напруга Vrrm800 В
Середній прямий струм If(av)20 А
Ударний струм Ifsm300 А (напівхвиля 8,3 мс)
Пряма напруга Vf1,05 В (If 10 А)
Зворотний струм Irне більше 5 мкА
Робоча температура переходу-55…+150 °C
КорпусSIP-4P
ВиробникLRC
СтанОригінал

Діодний міст D20XB100

В наявності

133,48 ₴
ПараметрЗначення
Максимальна зворотна напруга Vrrm1000 В
Середній випрямлений струм Io20 А (Tc 110 °C)
Піковий ударний струм Ifsm240 А
Пряма напруга Vf0,98 В (при 10 А)
Робоча температура Tj/Tstg-55…+150 °C
КорпусSIP, 5 виводів

Діодний міст D20XB80 оригінал

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Зворотна напруга Vrrm800 В
Прямий струм If(AV)20 А (з радіатором)
Ударний струм Ifsm240 А
Пряма напруга Vf1,1 В (при 10 А)
КорпусТонкий SIP («5S»)
СтанОригінал

Діодний міст D25SB100 (Заміна для D20SB100 )

В наявності

133,48 ₴
ПараметрЗначення
Максимальна зворотна напруга Vrm1000 В
Середній струм Io (на тепловідводі)25 А (Tc 98 °C)
Середній струм Io (без тепловідводу)3,5 А (Ta 25 °C)
Піковий ударний струм Ifsm350 А
Пряма напруга Vf1,1 В (при 12,5 А)
Ізоляційна напруга2,5 кВ
КорпусSIP (D5-25SB, ~30,3×20,3 мм)

Діодний міст D25SB80

В наявності

133,48 ₴
ПараметрЗначення
Зворотна напруга Vrrm800 В
Прямий струм If(AV)25 А
Пряма напруга Vf1,05 В (при 12,5 А)
КорпусSIP-4P
Робоча температура-55…+150 °C

Діодний міст D25XB100

В наявності

133,48 ₴
ПараметрЗначення
Повторювана напруга Vrrm1000 В (50 Гц, з радіатором)
Середній прямий струм If(av)25 А
Робоча температура Tj/Tstg-55…+150 °C
Корпус5S (Compact SIP)

Діодний міст D25XB80 (Заміна для TS25P06G )

В наявності

133,48 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникShindengen Electric Manufacturing
Повторювана напруга Vrrm800 В
Струм If(av) з радіатором25 А
Струм If(av) на платі3,5 А (Ta 25 °C)
Ударний струм Ifsm350 А (1 цикл, Tj 25 °C)
Пряме падіння напруги Vf1,05 В (If 12,5 А)
Ізоляційна напруга Vdis2,5 кВ AC (1 хв)
КорпусSIP (House Name: 5S), однорядне розташування виводів
Робоча температура-40…+150 °C

Діодний міст D30XB100 оригінал

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Максимальна зворотна напруга Vrrm1000 В
Середній струм Io30 А (60 Гц, резистивне навантаження)
Ударний струм Ifsm350 А (8,3 мс)
Пряма напруга Vf1,0 В (при 15 А)
Зворотний струм Ir10 мкА (25 °C), 500 мкА (100 °C)
Температура переходу Tj-55…+150 °C
СтанОригінал

Діодний міст D35XB100

В наявності

133,48 ₴
ПараметрЗначення
Максимальна повторювана зворотна напруга Vrrm1000 В
Струм If(av) з радіатором35 А (Tc 100 °C)
Струм If(av) без радіатора10 А (Ta 25 °C)
Ударний струм Ifsm400 А
Пряме падіння напруги Vf1,1 В (при 10 А)
Зворотний струм Ir10 мкА (25 °C)
Робоча температура переходу Tjдо 150 °C
Показник плавкості I²t660 А²·с

Діодний міст GBJ2508 (800V,25A)(Заміна для GBJ2508A )

В наявності

126,90 ₴
ПараметрЗначення
Максимальна повторювана зворотна напруга Vrrm800 В (TJ 25 °C)
Середній прямий струм If(AV)25 А (з радіатором, TJ 150 °C)
Пряма напруга Vf1,05 В (If 12,5 А, TJ 25 °C, максимум)
Пік струму перевантаження Ifsm350 А (одна напівхвиля 8,3 мс)
I²t510 А²с (t = 8,3 мс)
Зворотний струм витоку Ir10 мкА (TJ 25 °C, максимум)
Робоча температура–55…+150 °C
КорпусGBJ
Корпус (докладно)GBJ (4-SIP, гвинтове кріплення на радіатор), маса 6,6 г

Діодний міст GBJ2510 (Заміна для GBJ2010 , GBK25M )(1000V,25A)

В наявності

70,50 ₴
ПараметрЗначення
Максимальна зворотна напруга Vrrm1000 В (TA=25°C)
Середній прямий струм If(av)25 А (з тепловідводом, Tj=150°C)
Пряма напруга Vf1,05 В (If=12,5А, Tj=25°C, макс.)
Ударний струм Ifsm350 А (8,3мс)
Зворотний струм Irдо 10 мкА (Tj=25°C)
Робоча температура-55…+150°C
КорпусGBJ
Маса6,6 г

Діодний міст GBJ3510 ( Заміна для D35XB80 , KBJ3510 )(1000V,35A)

В наявності

103,40 ₴
ПараметрЗначення
Vrrm / Vdc1000 В
If(av)35 А (з радіатором, Tc = +80 °C)
Ifsm400 А (8,3 мс)
Vf1,1 В (If = 17,5 А, Tc = +25 °C)
Ir10 мкА (Tc = +25 °C; до 500 мкА при +125 °C)
Робоча температура переходу-55…+150 °C
КорпусGBJ

Діодний міст GBJ5010 ( Заміна для KBJ5010 , D50XB100 )(1000V,50A)

В наявності

133,48 ₴
ПараметрЗначення
Зворотна напруга Vrrm1000 В
Діюча зворотна напруга Vrms700 В
Середній прямий струм If(av)50 А (Tc 100 °C)
Ударний струм Ifsm400 А (напівхвиля 8,3 мс)
Пряма напруга Vf1,0 В (If 25 А, Tj 25 °C, макс.)
Зворотний струм Ir5 мкА (Tj 25 °C) / 200 мкА (Tj 125 °C)
Робоча температура переходу-55…+150 °C
КорпусGBJ
ВиробникMCC

Діодний міст GBU1006 (600V,10A)

В наявності

70,50 ₴
ПараметрЗначення
Vrrm (макс. зворотна напруга)600 В
If(AV) (Tc 100 °C)10 А
Vf (If 5,0 А, Tj 25 °C)≤1,0 В
Ir (Tj 25 °C / 125 °C)≤5 мкА / ≤500 мкА
Ifsm (8,3 мс)220 А
I²t200 А²с
Rjc2,2 °C/Вт
Tj/Tstg-55…+150 °C
КорпусGBU
Корпус (докладно)GBU (4-SIP, гвинт)

Діодний міст GBU1510 ( Заміна для GBU15M , GBU15K , GBU1508 , GBU10K ) (1000V,15A)

В наявності

70,50 ₴
ПараметрЗначення
Vrrm / Vdc1000 В
If(av)15 А (з радіатором, Tc = +100 °C) / 3,2 А (без радіатора, Tc = +100 °C)
Ifsm200 А (8,3 мс)
Vf1,1 В (If = 7,5 А)
Ir5 мкА
Робоча температура переходу-55…+150 °C
КорпусGBU

Діодний міст GBU2510 ( Заміна для GBU25M ) (1000V,25A)

В наявності

70,50 ₴
ПараметрЗначення
Максимальна зворотна напруга Vrrm1000 В (TA=25°C)
Середній прямий струм If(av)25 А (з тепловідводом)
Пряма напруга Vf1,05 В (If=12,5А, Tj=25°C, макс.)
Ударний струм Ifsm (8,3мс)350 А (Tj=25°C) / 280 А (Tj=125°C)
Ударний струм Ifsm (1,0мс)700 А (Tj=25°C) / 560 А (Tj=125°C)
Робоча температура переходу-40…+150°C
КорпусGBU
Маса4,1 г

Діодний міст GBU810 ( Заміна для GBU8M , GBU8K) (1000V,8A)

В наявності

51,70 ₴
ПараметрЗначення
Vrrm (макс. зворотна напруга)1000 В
If(AV) (Tc 100 °C)8,0 А
Vf (If 4,0 А, Tj 25 °C)≤1,0 В
Ifsm (8,3 мс)200 А
Tj/Tstg-55…+150 °C
КорпусGBU
Корпус (докладно)GBU (4-SIP, гвинт №6)

Діодний міст HD35SB100 ( D35SB100 ) оригінал

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Максимальна зворотна напруга Vrrm1000 В
Середній випрямлений струм If(av)35 А (з радіатором, Tc 100 °C)
Ударний прямий струм Ifsm400 А (8,3 мс)
Пряме падіння напруги Vf1,05 В при 17,5 А
Зворотний струм Ir5 мкА (Ta 25 °C)
Робоча температура Tjдо 150 °C
КорпусSIP-4P
Середній випрямлений струм без радіатора10 А (Ta 25 °C)
Температура зберігання Tstg-55…+150 °C
СтанОригінал

Діодний міст HD35SB120 ( D35SB120 ) оригінал

В наявності

400,44 ₴
ПараметрЗначення
Максимальна зворотна напруга Vrrm1200 В
Середній випрямлений струм If(av)35 А
СтанОригінал

Діодний міст HD50SB100 ( D50SB100 ) оригінал

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Максимальна зворотна напруга Vrrm1000 В
Струм Io з тепловідводом50 А (Tc 100 °C)
Струм Io без тепловідводу5,0 А (Ta 25 °C)
Ударний струм Ifsm500 А
Пряма напруга Vf1,05 В (при 25 А)
Зворотний струм Ir10 мкА
Робоча температура переходу Tjдо 150 °C
Значення I²t830 А²с
Тепловий опір перехід – корпус1,0 °C/Вт
Тепловий опір перехід – середовище22 °C/Вт
Електрична міцність ізоляції2500 В
КорпусHD5, пластиковий, 4 виводи в ряд
СтанОригінал

Діодний міст KBP310 ( 1000V,3A )

В наявності

28,20 ₴
ПараметрЗначення
Vrrm1000 В
Vr(RMS)700 В
Io3,0 А (TA 50 °C)
Ifsm80 А (8,3 мс)
Vf1,1 В (If 2,0 А)
Tj/Tstg-55…+150 °C

Діодний міст KBPC3510 ( MB3510 )(1000V,35A)

В наявності

63,45 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMaster Instrument Corporation (MIC)
Повторювана напруга Vrrm1000 В
Максимальна діюча напруга Vrms700 В
Середній прямий струм If(av)35 А (Tc 50 °C)
Ударний струм Ifsm400 А (8,3 мс)
Пряме падіння напруги Vf1,1 В (If 17,5 А)
Ізоляційна напруга Viso2500 В AC
Корпуспластиковий, отвір під гвинт #10, Faston 0,25″
Робоча температура-55…+150 °C

Діодний міст KBPC5010 ( MB5010 , GBPC5010 , KBPC5010W )(1000V,50A)

В наявності

70,50 ₴
ПараметрЗначення
Повторювана напруга Vrrm1000 В
Максимальна діюча напруга Vrms700 В
Середній прямий струм If(av)50 А (Tc 55 °C)
Ударний струм Ifsm400 А (8,3 мс)
Пряме падіння напруги Vf1,1 В (If 25 А)
Корпусметалевий, болтове кріплення, Faston 0,25″ (6,35 мм)
Робоча температура-40…+150 °C

Діодний міст KBU1010 (заміна для KBU10M , RS1007 , KBU10J )

В наявності

42,30 ₴
ПараметрЗначення
Повторювана напруга Vrrm1000 В
Максимальна постійна зворотна напруга Vdc700 В
Середній прямий струм If(av)10 А при Tc 100 °C
Робоча температура Tj/Tstg-55…+150 °C
КорпусKBU, 4 виводи

Діодний міст RBV5010 оригінал

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Максимальна повторювана пікова зворотна напруга Vrrm1000 В (Ta 25 °C)
Діюча напруга Vrms700 В (Ta 25 °C)
Постійна блокувальна напруга Vdc1000 В (Ta 25 °C)
Середній прямий струм If(AV)50 А (Tc 55 °C)
Пряма напруга на діод Vf1,1 В (If 25 А, максимум)
Пік струму перевантаження Ifsm400 А (одна напівхвиля 8,3 мс)
I²t660 А²с (t < 8,3 мс)
Зворотний струм витоку Ir10 мкА (Ta 25 °C) / 200 мкА (Ta 100 °C)
Тепловий опір Rjc1,5 °C/Вт (типове, на радіаторі)
Робоча температура–40…+150 °C
Корпуспластиковий, гвинтове кріплення на радіатор, маса 8,17 г
СтанОригінал

Діодний міст RS207 ( заміна для KBP210 )

В наявності

14,10 ₴
ПараметрЗначення
Максимальна повторювана зворотна напруга Vrrm1000 В
Максимальна діюча напруга Vrms700 В
Максимальна постійна зворотна напруга Vdc1000 В
Максимальний середній струм If(AV)2 А (Ta 50 °C)
Ударний струм Ifsm50 А
Пряме падіння напруги Vf1 В (при 1 А)
Зворотний струм Ir10 мкА (25 °C)
Робоча температура переходу Tj-55…+125 °C
КорпусKBP

Діодний міст RS3506M оригінал

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Максимальна зворотна напруга Vrrm800 В
Середній випрямлений струм Io35 А (Ta 25 °C)
Піковий ударний струм Ifsm400 А
Пряма напруга Vf1,0 В (при 17,5 А)
Ізоляційна напруга Viso3000 В
Робоча температура Tj/Tstg-55…+150 °C
КорпусSIP (RS-35M, ~30,3×20,3 мм)
СтанОригінал

Діодний міст RS407 ( KBU4K ) (4A ,1000V )

В наявності

23,50 ₴
ПараметрЗначення
Макс. зворотна напруга Vrrm1000 В
Середній прямий струм If(av)4,0 А (Tc=75°C)
Пряма напруга Vfm (на елемент)1,0 В (If=2,0А)
Ударний струм Ifsm80 А (8,3мс, JEDEC)
Зворотний струм Ir2,0 мкА (Tc=25°C) / 1,0 мА (Tc=100°C)
Робоча температура-55…+150°C
КорпусKBU, 4 виводи
Маса5,6 г

Діодний міст S25VB100 оригінал

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Повторювана напруга Vrrm1000 В (TA 25 °C)
Середній прямий струм If(av)25 А (60 Гц, з радіатором, Tc 100 °C)
Робоча температура переходу Tjдо 125 °C
Температура зберігання Tstg-40…+150 °C
СтанОригінал

Діодний міст S35VB100 оригінал

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Vrrm (макс. зворотна напруга)1000 В
Vrms (діюча напруга)700 В
Vdc (макс. постійна зворотна напруга)1000 В
If(AV) (Tc = Ta)35 А
Ifsm (8,3 мс)400 А
Vf (If 17,5 А)1,05 В
Ir (Tj 25 °C / 125 °C)5 мкА / 500 мкА
I²t660 А²с
Cj (1,0 МГц, Vr 4,0 В)150 пФ
Rjc1,4 °C/Вт
Tj/Tstg-55…+150 °C
КорпусКвадратний, отвір під гвинт #10
СтанОригінал

Діодний міст S50VB100 оригінал

В наявності

173,43 ₴
ПараметрЗначення
Vrrm1000 В
If(AV)50,0 А
Vf (If 17,5 А DC)1,1 В
Ifsm (8,3 мс)450 А
Tj/Tstg-55…+150 °C
Корпуспластиковий, вбудований металевий тепловідвід, гвинт #10
СтанОригінал

Діодний міст D35SB100 (Заміна для D30SB100 )

Немає в наявності

133,48 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникLRC (Leshan Radio Company)
Конфігураціяоднофазний мостовий, в одну лінію, скляна пасивація
Напруга Vrrm1000 В
Діюча напруга Vrms700 В
Напруга Vdc1000 В
Середній струм Io35 А (з радіатором, Tc 100 °C)
Середній струм Io (без радіатора)10 А (на платі, Ta 25 °C)
Імпульсний струм Ifsm400 А (8,3 мс, напівсинусоїда, на номінальному навантаженні)
I2t660 А2с (t < 8,3 мс)
Пряма напруга Vf1.05 В (If 17,5 А)
Зворотний струм Ir10 мкА (Ta 25 °C, номінальна Vr)
Зворотний струм Ir (125 °C)500 мкА (Ta 125 °C, номінальна Vr)
Ізоляція Viso2.5 кВ (AC, 1 хв, 1 мА)
Тепловий опір Rth(j-c)0.8 °C/Вт (на радіаторі Al, на гілку)
Температура Tj-55…+150 °C
Корпуспластиковий, однорядний (SIP), 4 виводи

Діодний міст DB107

Немає в наявності

7,05 ₴
ПараметрЗначення
Конфігураціяоднофазний мостовий, скляна пасивація
Макс. повторювана зворотна напруга Vrrm1000 В
Макс. діюча напруга Vrms700 В
Макс. постійна блокувальна напруга Vdc1000 В
Середній прямий струм If(av)1,0 А (Tc 40 °C, активне або індуктивне навантаження 60 Гц)
Імпульсний прямий струм Ifsm30 А (8,3 мс, напівсинусоїда, на номінальному навантаженні)
Пряма напруга Vf на діод1,1 В (If 1 А)
Зворотний струм Ir10 мкА (Ta 25 °C, номінальна Vr); 500 мкА (Ta 100 °C, номінальна Vr)
Діапазон робочих температур Tj-55…+150 °C
КорпусDB (JEDEC DB, пластик, 4 виводи)

Діодний міст DB207

Немає в наявності

8,46 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникMDD (Microdiode Semiconductor)
Конфігураціяоднофазний мостовий, скляна пасивація
Напруга Vrrm1000 В
Діюча напруга Vrms700 В
Напруга Vdc1000 В
Прямий струм If(av)2.0 А (Tc 40 °C, активне або індуктивне навантаження 60 Гц)
Імпульсний струм Ifsm50 А (8,3 мс, напівсинусоїда, на номінальному навантаженні)
Пряма напруга Vf1.1 В (If 2 А, на діод)
Зворотний струм Ir10 мкА (Ta 25 °C, номінальна Vr)
Зворотний струм Ir (100 °C)500 мкА (Ta 100 °C, номінальна Vr)
Температура Tj-55…+150 °C
КорпусDB (JEDEC DB, пластик, 4 виводи)

Діодний міст KBU8M(RS807 , KBU810 )(8A,1000V)

Немає в наявності

33,37 ₴
ПараметрЗначення
Конфігураціяоднофазний мостовий, скляна пасивація кристала
Макс. повторювана зворотна напруга Vrrm1000 В
Макс. діюча напруга Vrms700 В
Макс. постійна блокувальна напруга Vdc1000 В
Середній вихідний струм If(av)8,0 А (60 Гц, синус, активне навантаження)
Імпульсний прямий струм Ifsm175 А (8,3 мс, напівсинусоїда, на номінальному навантаженні); 350 А (1,0 мс, напівсинусоїда)
Пряма напруга Vf1,0 В (If 4,0 А, Ta 25 °C)
Зворотний струм Ir5 мкА (Vr = Vdc, Tj 25 °C); 500 мкА (Vr = Vdc, Tj 100 °C)
Температура переходу Tj-55…+150 °C
КорпусKBU (пластик, UL 94V-0)

Діодний міст MB10S (0,8A 1000V soic-4 (корпус 3.8×4.7мм))

Немає в наявності

3,29 ₴
ПараметрЗначення
Конфігураціяоднофазний мостовий, скляна пасивація, SMD
Макс. повторювана зворотна напруга Vrrm1000 В
Діюча напруга Vrms700 В
Імпульсний прямий струм Ifsm30 А (8,3 мс, неповторюваний)
Пряма напруга Vf1,0 В (If 0,5 А, Ta 25 °C); 1,1 В (If 0,8 А, Ta 25 °C)
Зворотний струм Ir5 мкА (Vr = Vrrm, Ta 25 °C); 40 мкА (Vr = Vrrm, Ta 125 °C)
Ємність переходу Cj13 пФ (Vr 4 В, 1 МГц)
Тепловий опір перехід-середовище Rth(j-a)90 °C/Вт
Температура переходу Tj-55…+150 °C
КорпусMB-S (SMD, 4 виводи; 4,5-4,9 x 3,8-4,2 мм)

Діодні мости KBPC, GBU, GBJ та інші: як працює міст, корпуси і моделі з назвами аналогів

Найбільше тут шукають KBPC5010, і він є в наявності: діодний міст KBPC5010. Інші мости в розділі – це, наприклад, GBU2510, GBJ3510, KBU1010, RS207 і круглий 2W10M. Виробники – Diodes, Shindengen Electric Manufacturing, LRC, Kingtronics та інші.

Як міст випрямляє змінну напругу

У підручнику діодні мости названо поряд з окремими діодами: це діоди, ввімкнені за мостовою схемою. Змінну напругу подають на одну діагональ моста, а навантаження підключають до іншої. Діоди проводять струм попарно. Поки одна пара відкрита, друга закрита, і до неї прикладена зворотна напруга. У наступному півперіоді пари міняються ролями. Струм навантаження при цьому не змінює напрямку: міст пропускає через навантаження обидві півхвилі змінного струму.

Що вказано в назві моста і в його картці

У дужках після назви часто стоять напруга і струм. Так, KBPC3510 – це 1000 В і 35 А, KBP310 – 1000 В і 3 А. У картці ті самі величини підписано так:

  • Зворотна напруга Vrrm – здебільшого 1000 В, трапляються мости на 600, 800 і 1200 В.
  • Вихідний струм If(av) – найчастіше 25 або 35 А. Є й менші, як 2W10M на 2 А, і більші, як KBPC5010 на 50 А.
  • Ударний струм Ifsm – у багатьох картках 400 або 350 А.

Корпуси й кріплення на радіатор

Найчастіше мости мають корпус GBJ або GBU. Поширені й однорядні SIP-4P та компактний SIP. Є також KBU, KBP, RS-4, D5-25SB та інші корпуси. У картках частини GBJ вказано монтаж на радіатор гвинтом, у частини GBU – отвір під гвинт. Серед мостів трапляється й металевий корпус з болтовим кріпленням і виводами Faston.

Популярні мости та аналоги з назви

  • D25XB80 – у назві вказано, що він замінює TS25P06G.
  • GBJ2510 – 1000 В, 25 А. За назвою, він замінює GBJ2010 і GBK25M.
  • RS407 (KBU4K) – 4 А, 1000 В.

Окремі діоди зібрано в розділі Діоди, а діоди Шотткі – у розділі Діоди Шоттки. Покупці мостів часто додають до замовлення електролітичні конденсатори, IGBT-транзистори та оптрони. Посилку передаємо Новій Пошті в день оплати або наступного дня, доставка по всій Україні з Запоріжжя.

Часті запитання

Які характеристики KBPC5010?

У назві товару вказано 1000 В і 50 А. Там само наведено позначення MB5010, GBPC5010 і KBPC5010W.

Як підключити діодний міст: де плюс, мінус і змінна напруга?

У корпусі KBP, наприклад, чотири виводи стоять в ряд у такому порядку: +, AC, AC, –.

Навіщо після діодного моста ставлять конденсатор?

Випрямлена напруга, крім постійної складової, містить пульсації. Найпростіший фільтр, що їх згладжує, – конденсатор великої ємності, підключений паралельно навантаженню.

Чим міст відрізняється від схеми на двох діодах?

У схемі з нульовим виводом два діоди, а вторинна обмотка трансформатора має вивід від середини. Мостова схема краще використовує трансформатор, дає меншу зворотну напругу на діодах і може працювати без трансформатора. Її недолік – більше діодів.