Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
183,77 ₴
3 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
3 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
H40R1203 (IHW40N120R3) – IGBT-транзистор Infineon зі зворотно-провідним діодом у корпусі TO-247. Підходить для індукційних нагрівачів і резонансних перетворювачів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
H40R1203 – це маркування IGBT-транзистора IHW40N120R3 виробництва Infineon у корпусі TO-247. Це зворотно-провідний транзистор: діод вбудований у кристал, має низьку пряму напругу і призначений для м'якої комутації. Напруга колектор–емітер Vces – 1200 В (VGE = 0 В, IC = 0,2 мА). Струм колектора Ic – 80 А при Tc = 25 °C і 40 А при Tc = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1,55 В типово (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C). Вхідна ємність Cies типово 2708 пФ. Потужність розсіювання Pd – 429 Вт при Tc = 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.
Виводи: 1 – затвор, 2 і тильна сторона – колектор, 3 – емітер. Заряд затвора Qg – 335 нКл (VCC = 960 В, IC = 40 А, VGE = 15 В), тому драйвер затвора має бути розрахований на такий заряд. Якщо підбираєте заміну, порівнюйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat) за однакових умов, наявність вбудованого діода й розпіновку корпусу TO-247. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційні нагрівачі (плити)
- Мікрохвильові печі з інвертором
- Резонансні перетворювачі
- Схеми м'якого перемикання
Чим замінити H40R1203?
Підбирайте IGBT у корпусі TO-247 з вбудованим діодом, з Vces не нижче 1200 В і струмом при 100 °C не менше 40 А. Для резонансних схем важливі також Vce(sat) та заряд затвора. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Що означає H40R1203 і IHW40N120R3?
H40R1203 – маркування на корпусі, IHW40N120R3 – повний номер Infineon. Це один і той самий транзистор.
Як перевірити IGBT мультиметром?
Перевірте, що між затвором та іншими виводами немає зв'язку, а вбудований діод колектор–емітер проводить в одному напрямку. Розпіновка: 1 – затвор, 2 – колектор, 3 – емітер.
Для чого цей транзистор?
За документом Infineon, це зворотно-провідний IGBT для індукційних нагрівачів, мікрохвильових печей з інвертором та резонансних перетворювачів.
Документація виробника: IHW40N120R3 (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.