Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )

164,50 ₴

33 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

33 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

IGBT-транзистор STGP19NC60KD (маркування GP19NC60KD) з антипаралельним діодом у корпусі TO-220. Оригінал. Може замінити IGP15T60F.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)20 А
Струм Ic (25 °C)35 А (розрахунок за формулою виробника)
Імпульсний струм Icp75 А
Vce(sat)2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C)
Потужність Ptot125 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал
Опис

STGP19NC60KD (маркування GP19NC60KD) – IGBT-транзистор STMicroelectronics серії PowerMESH у корпусі TO-220, з антипаралельним надшвидким діодом, стійкий до короткого замикання. Напруга колектор-емітер Vces – 600 В при VGE = 0 В. Струм колектора Ic – 20 А при TC = 100 °C. Vce(sat) – 2,0 В (typ) і 2,75 В (max) при VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Ptot – 125 Вт при TC = 25 °C. Час витримки короткого замикання – 10 мкс при VCE = 300 В, Tj = 125 °C, RG = 10 Ом, VGE = 12 В.

Оригінал. За назвою товару GP19NC60KD може замінити IGP15T60F; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Для підбору іншої заміни порівнюйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat) і заряд затвора Qg (55 нКл при VCE = 480 В, Ic = 12 А), а також корпус та наявність діода. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Високочастотні інвертори
  • Приводи двигунів
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити STGP19NC60KD?

Шукайте IGBT у корпусі TO-220 з антипаралельним діодом, з Vces не нижче 600 В та Ic при 100 °C не нижче 20 А. Порівняйте Vce(sat) і заряд затвора Qg. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Чи може GP19NC60KD замінити IGP15T60F?

За назвою товару так, GP19NC60KD може замінити IGP15T60F. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Як довго цей IGBT витримує коротке замикання?

10 мкс при VCE = 300 В, Tj = 125 °C, RG = 10 Ом, VGE = 12 В.

Datasheet

Документація виробника: DocID14701 Rev 4 (STGB19NC60KDT4, STGF19NC60KD, STGP19NC60KD).

Параметри наведено за datasheet виробника STMicroelectronics.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

DocID14701 Rev 4 (STGB19NC60KDT4, STGF19NC60KD, STGP19NC60KD) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Мікросхема NSI6602AD оригінал ( NSI6602A-DSWR , NSI66 02AD , NS16602AD , NS166 02AD ), sow16

В наявності

86,01 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникNOVOSENSE
КорпусSOIC-16 (wide body)
Ізоляція5700 В (RMS), 1 хв, UL1577
Піковий струм (джерело)4 А на кожен вихід
Піковий струм (стік)6 А на кожен вихід
Живлення VDDI3–5,5 В
Живлення VDDA/VDDB7–25 В
Затримка поширення25 нс (тип.)
CMTI150 кВ/мкс (тип.)
Робоча температура-40…125 °C
СтанОригінал

Мікросхема NSI6602BD оригінал ( NSI6602B-DSWR , NSI66 02BD , NS16602BD , NS166 02BD ), sow16

В наявності

86,01 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникNOVOSENSE
ПризначенняІзольований двоканальний драйвер затворів силових транзисторів
Піковий струм source4 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C)
Піковий струм sink6 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C)
Напруга VDDA, VDDB9,4–25 В (версія NSI6602B)
Напруга VDDI3–5,5 В
Затримка поширення25 нс (типово, VDDA=VDDB=12 В)
Напруга ізоляції5700 В (діюче), 1 хвилина, UL1577
CMTI150 кВ/мкс (типово)
Температура–40…125 °C
КорпусSOIC-16 (wide body)
СтанОригінал

Схожі товари

IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникAlpha and Omega Semiconductor (AOS)
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (Product Summary)60 А
Vce(sat) typ1.85 В при Ic=60 А
Vge(th) typ5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА
Заряд затвора Qg75 нКл
Вхідна ємність Cies3288 пФ
Час спаду tf16 нс
Стійкість до КЗ tsc10 мкс
Тепловий опір перехід-корпус0.3 °C/Вт
Діапазон Tj, Tstg-55…150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247

В наявності

320,54 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (25 °C)240 А
Струм колектора Ic (100 °C)160 А
Напруга насичення Vce(sat)1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)
Час відновлення діода trr360 нс (Tj 175 °C)
Розсіювана потужність Pd750 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусSuper-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор IGW40T60U оригінал, TO-3P

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
НомерIGW40T60U
ТипIGBT-транзистор
КорпусTO-3P
СтанОригінал

IGBT-транзистор N1600 оригінал демонтаж б/в , TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ТипIGBT-транзистор з вбудованим діодом
Напруга Vces1600 В
Струм колектора Ic60 А (25 °C), 30 А (100 °C)
Потужність Ptot312 Вт (25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)1,8 В тип., 2,1 В макс. (IC = 30 А, VGE = 15 В)
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.