Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NSI6602BD оригінал ( NSI6602B-DSWR , NSI66 02BD , NS16602BD , NS166 02BD ), sow16
160,27 ₴
104 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
104 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
NSI6602BD – ізольований двоканальний драйвер затворів силових транзисторів NOVOSENSE у корпусі SOW16. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Призначення | Ізольований двоканальний драйвер затворів силових транзисторів |
| Піковий струм source | 4 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Піковий струм sink | 6 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Напруга VDDA, VDDB | 9,4–25 В (версія NSI6602B) |
| Напруга VDDI | 3–5,5 В |
| Затримка поширення | 25 нс (типово, VDDA=VDDB=12 В) |
| Напруга ізоляції | 5700 В (діюче), 1 хвилина, UL1577 |
| CMTI | 150 кВ/мкс (типово) |
| Температура | –40…125 °C |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
NSI6602BD (NSI6602B-DSWR) – ізольований двоканальний драйвер затворів силових транзисторів виробника NOVOSENSE у корпусі SOW16 з 16 виводами. Піковий вихідний струм на кожен канал: 4 А (source) і 6 А (sink) при VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C. Напруга живлення вихідної сторони (VDDA, VDDB) для версії NSI6602B – 9,4–25 В, вхідної сторони (VDDI) – 3–5,5 В. Типова затримка поширення – 25 нс при VDDA=VDDB=12 В, розбіжність затримок між каналами – не більше 5 нс. Напруга ізоляції – 5700 В (діюче) протягом 1 хвилини за UL1577, стійкість до синфазних перешкод CMTI – типово 150 кВ/мкс. Мертвий час задається резистором 1–200 кОм між виводами DT і GND: tDT (нс) = 10 × R (кОм). Робочий діапазон температур – –40…125 °C.
Оригінал, не демонтаж. Вирізняйте версії за літерою: NSI6602A, NSI6602B і NSI6602C мають різні пороги UVLO, тому для заміни звіряйте напругу живлення драйвера з даташитом. За даними виробника, прямі заміни – NSI6602B-DSWKR і NSI6602B-DSPNR (останній у корпусі SOP-16, тож перевіряйте посадкове місце на платі). Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Ізольовані DC-DC та AC-DC блоки живлення в серверах, телекомі та промисловості
- DC-AC інвертори для сонячних панелей
- Приводи двигунів і зарядки електромобілів
- ДБЖ та зарядні пристрої для акумуляторів
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| NSI6602AD | названо виробником (NSI6602A-DSWR в analog_hints) | Інша версія серії, той самий корпус SOW16; пороги UVLO відрізняються, звіряйте з даташитом. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити NSI6602BD?
За даними виробника, прямі заміни – NSI6602B-DSWKR і NSI6602B-DSPNR. У нашому каталозі є NSI6602AD, але це інша версія серії: порівняйте пороги UVLO і напругу живлення в даташиті.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Яка напруга живлення потрібна?
Вихідна сторона (VDDA, VDDB) для версії NSI6602B – 9,4–25 В, вхідна сторона (VDDI) – 3–5,5 В. Абсолютний максимум VDDA/VDDB – 30 В.
Як задати мертвий час?
Резистором 1–200 кОм між виводами DT і GND: tDT (нс) = 10 × R (кОм).
Документація виробника: NSI6602 Datasheet (EN) 1.8.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NSI6602BD оригінал ( NSI6602B-DSPNR , NSI66 02BD , NS16602BD , NS166 02BD ), sop-16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | ізольований двоканальний драйвер затворів |
| Виробник | NOVOSENSE |
| Кількість каналів | 2 |
| Піковий струм джерела | 4 А (на кожен канал) |
| Піковий струм стоку | 6 А (на кожен канал) |
| Ізоляція | 3.0 кВ rms (SOP16, 1 хв, UL1577) |
| Живлення VDDI | 3–5.5 В |
| Живлення VDDA/VDDB | 9.4–25 В (версія NSI6602B) |
| Затримка поширення | 25 нс (типове) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (типове, мінімум 100) |
| Частота перемикання | до 2 МГц |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Корпус | SO-16 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF100B201 ( F100B201 ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier), серія StrongIRFET |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) | 192 А |
| Струм Id (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) | 136 А |
| Rds(on) тип. (VGS = 10 В, ID = 115 А) | 3,5 мОм |
| Rds(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 115 А) | 4,2 мОм |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Qg тип. | 170 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 9500 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc = 25 °C) | 441 Вт |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Мікросхема 24C02 ( AT24C02B , ST24C02WP ) , DIP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність пам'яті | 2 Кбіт (256 x 8) |
| Інтерфейс | I2C (two-wire) |
| Корпус | DIP8 |
| Розмір сторінки запису | 8 байт |
| Напруга живлення (версія -1.8) | 1,8–5,5 В |
| Напруга живлення (версія -2.7) | 2,7–5,5 В |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В і 5 В) |
| Час циклу запису | 5 мс, макс. |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 100 років |
| Захист запису | вивід WP |
Мікросхема 24C04WP ( ST24C04WP , M24C04-WMN6TP ) оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність пам'яті | 4 Кбіт (512 x 8) |
| Інтерфейс | I2C (two-wire) |
| Корпус | SO-8 |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Напруга живлення (версія -1.8) | 1,8–5,5 В |
| Напруга живлення (версія -2.7) | 2,7–5,5 В |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В і 5 В) |
| Час циклу запису | 5 мс, макс. |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 100 років |
| Захист запису | вивід WP |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.