Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW40N65F1 оригінал, TO247
164,50 ₴
77 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
77 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор YGW40N65F1 у корпусі TO-247 – оригінал Lu-Semi для інверторів, ДБЖ і зварювальних перетворювачів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,80 В тип. / 2,40 В макс. |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Lu-Semi |
| Стан | Оригінал |
YGW40N65F1 – IGBT-транзистор Lu-Semi у корпусі TO-247, з вбудованим антипаралельним діодом. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В (VGE=0 В, IC=250 мкА, Tj 25 °C). Струм колектора Ic – 80 А при TC 25 °C та 40 А при TC 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1,80 В тип. / 2,40 В макс. при VGE=15 В, IC=40 А, Tj=25 °C (при Tj 175 °C зростає до 2,60 В). Час зворотного відновлення вбудованого діода trr – 75 нс при IF=40 А, VR=400 В, di/dt=300 А/мкс, Tj=25 °C, заряд затвора Qg – 90 нКл при VCC=520 В, IC=40 А, VGE=15 В.
Транзистор – оригінал, новий, без демонтажу. Перед встановленням звірте параметри зі своєю схемою: напругу Vces, робочий струм Ic при потрібній температурі корпуса і напругу насичення Vce(sat) – від них залежить запас по напрузі й тепловій потужності. Для заміни підходить IGBT того самого класу, у корпусі TO-247, з Vces не нижче 650 В і не меншим струмом Ic при 100 °C, з вбудованим зворотним діодом, як у K50EEH5 (IKW50N65EH5) або KGF75N65KDF.
Де застосовують
- Джерела безперебійного живлення (ДБЖ)
- Інвертори
- Зварювальні перетворювачі
- Коректори коефіцієнта потужності (PFC)
- Перетворювачі з високою частотою перемикання
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| K50EEH5 (IKW50N65EH5) | IGBT: той самий корпус TO-247, Vces 650 В ≥ 650 В, Ic(100°C) 50 А ≥ 0.8×40 А, Vce(sat) порівнянне (1,65/2,1 В проти 1,80/2,40 В), вбудований діод в обох | запас за струмом (50 А проти 40 А) | Купити |
| KGF75N65KDF (75N65KDF) | IGBT: той самий корпус TO-247, Vces 650 В ≥ 650 В, Ic(100°C) 75 А ≥ 0.8×40 А, Vce(sat) порівнянне (1,77/2,2 В проти 1,80/2,40 В), вбудований діод в обох | великий запас за струмом (75 А), підходить із запасом | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити YGW40N65F1?
У наявності є IGBT-транзистори K50EEH5 (IKW50N65EH5) та KGF75N65KDF (75N65KDF) – той самий корпус TO-247, Vces не нижче 650 В і струм Ic з запасом відносно 40 А.
Як перевірити IGBT-транзистор перед встановленням?
Огляньте маркування на корпусі, перевірте цілісність виводів і заміряйте переходи мультиметром у режимі перевірки діодів – пробитий або обірваний перехід означає, що деталь несправна.
Для яких пристроїв підходить YGW40N65F1?
За даними виробника – для джерел безперебійного живлення, інверторів, зварювальних перетворювачів, коректорів PFC і перетворювачів з високою частотою перемикання.
Скільки струму витримує YGW40N65F1 при нагріві корпуса?
При TC 100 °C транзистор витримує Ic до 40 А (при TC 25 °C – до 80 А); напруга насичення Vce(sat) при цьому 1,80 В тип. / 2,40 В макс. (VGE=15 В, IC=40 А, Tj=25 °C).
Документація виробника: YGW40N65F1 datasheet, Rev4.3.
Точне значення робочої частоти перемикання виробник не наводить (лише словесно 'high switching frequency'); статус виробництва за LCSC позначено як тимчасово відсутній, офіційного EOL-статусу немає.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор GK110N20S ( HGK110N20S ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hunteck |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 132 А (обмеження кремнієм) |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 93 А |
| Rds(on) | 8,7 мОм тип., 10,9 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 20 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Заряд затвора Qg | 56 нКл (VDD = 100 В, ID = 20 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4970 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| trr | 140 нс (VR = 100 В, IF = 20 А, dIF/dt = 100 А/мкс) |
| Потужність Pd | 429 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SS8550C (2SC8550) , sot23
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | SOT-23 |
| Напруга колектор–емітер Vceo | –25 В (Ic –2 мА, Ib 0, Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–база Vcbo | –40 В (Ic –100 мкА, Ie 0) |
| Напруга емітер–база Vebo | –6 В (Ie –100 мкА, Ic 0) |
| Струм колектора Ic | –1.5 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 0.3 Вт (Ta 25 °C, SOT-23) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 120–400 (Vce –1 В, Ic –100 мА) |
| Напруга насичення Vce(sat) | –0.5 В макс. (Ic –800 мА, Ib –80 мА) |
| Гранична частота fT | 100 МГц мін. (Vce –10 В, Ic –50 мА, f 30 МГц) |
| Виробник | Galaxy Microelectronics |
Схожі товари
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.