Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор GK110N20S ( HGK110N20S ) оригінал, TO247
235,00 ₴
48 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
48 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GK110N20S (HGK110N20S) – N-канальний польовий транзистор Hunteck у корпусі TO-247, оригінал. Застосовується в блоках живлення, UPS і керуванні двигунами.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Hunteck |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 132 А (обмеження кремнієм) |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 93 А |
| Rds(on) | 8,7 мОм тип., 10,9 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 20 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) |
| Заряд затвора Qg | 56 нКл (VDD = 100 В, ID = 20 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4970 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| trr | 140 нс (VR = 100 В, IF = 20 А, dIF/dt = 100 А/мкс) |
| Потужність Pd | 429 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
GK110N20S (HGK110N20S) – N-канальний MOSFET виробництва Hunteck у корпусі TO-247. За даташитом напруга Vds 200 В. Струм стоку Id 132 А при Tc 25 °C (обмеження кремнієм) і 93 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 8,7 мОм (тип.), 10,9 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 20 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В (тип. 3 В) при ID = 250 мкА. Заряд затвора Qg 56 нКл при VDD = 100 В, ID = 20 А, VGS = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 4970 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц). Час зворотного відновлення діода trr 140 нс при VR = 100 В, IF = 20 А, dIF/dt = 100 А/мкс. Потужність розсіювання Pd 429 Вт при Tc 25 °C, максимальна напруга затвор-витік Vgs ±20 В, максимальна температура переходу Tj 175 °C.
Оригінал, не демонтаж. Для заміни порівнюйте Vds, Id, Rds(on) при VGS = 10 В і корпус. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Синхронне випрямлення в імпульсних блоках живлення
- Швидкісні ключові схеми
- Електроінструмент
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Керування двигунами
Чим замінити GK110N20S?
Шукайте N-канальний MOSFET у TO-247 з Vds не нижче 200 В, Id і Rds(on) не гірше. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за даташитом.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Для яких схем підходить GK110N20S?
Для синхронного випрямлення в імпульсних блоках живлення, швидкісних ключових схем, електроінструменту, UPS і керування двигунами.
Що означає Id 132 А для GK110N20S?
Це струм при Tc 25 °C з обмеженням кремнієм. При Tc 100 °C даташит дає 93 А.
Документація виробника: HGK110N20S (Hunteck).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (постійний) | 20 А при Ta 25 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Напруга відсічки Vgs(off) | 2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 140 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура каналу Tch | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.) |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.