Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
345,92 ₴
26 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
26 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
JT050N065WED (050N065WED) – IGBT-транзистор Trench FS з вбудованим діодом у корпусі TO-247. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
JT050N065WED – IGBT-транзистор Trench FS з антипаралельним діодом виробника Jilin Sino-Microelectronics (JSMC), корпус TO-247. Напруга колектор–емітер Vces 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В). Струм колектора Ic 100 А при Tc = 25 °C і 50 А при Tc = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) 1,6 В (тип.) і 2,2 В (макс.) при VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C. Потужність розсіювання 437 Вт при Tc = 25 °C, максимальна температура переходу 175 °C. Заряд затвора Qg 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В). Вхідна ємність Cies типово 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц).
Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність діода і заряд затвора, щоб драйвер впорався з новою деталлю. Корпус і розпіновка мають збігатися. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Інвертори загального призначення
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Керування двигунами
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| YGW75N65HP | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×50 = 40, Vce(sat) 25 °C (тип.) 1,65 ≤ 1.3×1,6 = 2,08, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Струм вищий, перевірте, що драйвер розрахований на більший заряд затвора | Купити |
| IHW40N120R3 | Vces 1200 ≥ 650, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×50 = 40, Vce(sat) 25 °C (тип.) 1,55 ≤ 1.3×1,6 = 2,08, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Драйвер: заряд затвора більш ніж удвічі більший; струм при 100 °C на межі правила | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити JT050N065WED?
У нашому каталозі в корпусі TO-247 є YGW75N65HP та IHW40N120R3, обидва мають вбудований діод. Порівняйте їх параметри з таблицею на сторінці та перевірте драйвер затвора.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити IGBT перед встановленням?
Мультиметром у режимі діода перевірте відсутність пробою між колектором, емітером і затвором, а також справність вбудованого діода між емітером і колектором.
Для яких схем підходить JT050N065WED?
Для інверторів загального призначення, джерел безперебійного живлення (UPS) і керування двигунами. Вбудований діод антипаралельний, окремий діод у схемі для зворотного струму не потрібен.
Документація виробника: JT050N065WED (Jilin Sino).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.