Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал

IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247

164,50 ₴

32 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

32 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

NCE40TD60BT – IGBT-транзистор Wuxi NCE Power на 600 В з вбудованим діодом, корпус TO-247. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Потужність Pd (25 °C)286 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg176 нКл
Вхідна ємність Cies4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 40 А, 25 °C)1.65 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал
Опис

NCE40TD60BT – IGBT-транзистор Wuxi NCE Power технології Trench Field Stop (FS II) у корпусі TO-247. Напруга колектор-емітер Vces 600 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА). Струм колектора Ic 80 А при Tc = 25 °C і 40 А при Tc = 100 °C, потужність розсіювання Pd 286 Вт при Tc = 25 °C. Напруга насичення Vce(sat) 1.7 В (тип.) при IC = 40 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C. У корпусі є антипаралельний діод: Vf 1.65 В (тип.) при IF = 40 А, Tc = 25 °C. Деталь витримує коротке замикання 3 мкс при VGE = 15 В, VCC ≤ 400 В, Tj ≤ 150 °C. Вхідна ємність Cies типово 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц).

Це оригінал, не демонтаж. Vce(sat) має позитивний температурний коефіцієнт, тому транзистори легко вмикати паралельно. Шукаючи заміну, порівнюйте Vces, струм Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність діода і корпус. Заряд затвора Qg цієї деталі 176 нКл (VCC = 480 В, IC = 40 А, VGE = 15 В): якщо в заміни він удвічі більший, перевірте драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Кондиціонери
  • Інвертори
  • Приводи двигунів
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
RJH60F5 Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.37 ≤ 1.3×1.7=2.21, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Демонтаж б/в. Порівняйте заряд затвора та драйвер. Купити
45N60S1 Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 45 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 2 ≤ 1.3×1.7=2.21, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Демонтаж б/в. Vce(sat) вище, ніж у NCE40TD60BT. Купити
IRGP4068D-E Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 48 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.7=2.21, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Демонтаж б/в. Порівняйте драйвер. Купити
JT050N065WED Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×1.7=2.21, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Новий оригінал. Порівняйте драйвер. Купити
NCE60TD60BT Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 60 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×1.7=2.21, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Заряд затвора більший, ніж у NCE40TD60BT: перевірте драйвер. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити NCE40TD60BT?

Підійде IGBT з діодом у корпусі TO-247, у якого Vces не менше 600 В, Ic при 100 °C близько 40 А або більше, а Vce(sat) порівнянне. Кандидати з нашого каталогу – у таблиці аналогів на сторінці. Перед заміною порівняйте datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи є в корпусі діод?

Так, антипаралельний діод. Його Vf 1.65 В (тип.) при IF = 40 А, Tc = 25 °C.

Який струм витримує NCE40TD60BT?

Ic 80 А при Tc = 25 °C і 40 А при Tc = 100 °C. Для розрахунку орієнтуйтеся на значення при 100 °C.

Datasheet

Документація виробника: NCE40TD60BT (NCE).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

NCE40TD60BT (NCE) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Мікросхема NSI6602BD оригінал ( NSI6602B-DSPNR , NSI66 02BD , NS16602BD , NS166 02BD ), sop-16

В наявності

86,01 ₴
ПараметрЗначення
Типізольований двоканальний драйвер затворів
ВиробникNOVOSENSE
Кількість каналів2
Піковий струм джерела4 А (на кожен канал)
Піковий струм стоку6 А (на кожен канал)
Ізоляція3.0 кВ rms (SOP16, 1 хв, UL1577)
Живлення VDDI3–5.5 В
Живлення VDDA/VDDB9.4–25 В (версія NSI6602B)
Затримка поширення25 нс (типове)
CMTI150 кВ/мкс (типове, мінімум 100)
Частота перемиканнядо 2 МГц
Робоча температура-40…125 °C
КорпусSO-16
СтанОригінал

Транзистор NCEP85T25 оригінал, TO220(85V,250A)

В наявності

106,69 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN (Super Trench)
Напруга Vds85 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА)
Струм Id (25 °C)250 А (Tc 25 °C)
Струм Id (100 °C)180 А (Tc 100 °C)
Rds(on)2,6 мОм макс., 2,2 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 100 А, Tc 25 °C)
Vgs(th)2,5–4,5 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА)
Заряд затвора Qg142 нКл тип. (Vds 40 В, Id 100 А, Vgs 10 В)
Вхідна ємність Ciss10700 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц)
Потужність Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
Вбудований діодє, Vsd макс. 1,2 В, trr 115 нс
КорпусTO-220
СтанОригінал

Схожі товари

IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникAlpha and Omega Semiconductor (AOS)
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (Product Summary)60 А
Vce(sat) typ1.85 В при Ic=60 А
Vge(th) typ5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА
Заряд затвора Qg75 нКл
Вхідна ємність Cies3288 пФ
Час спаду tf16 нс
Стійкість до КЗ tsc10 мкс
Тепловий опір перехід-корпус0.3 °C/Вт
Діапазон Tj, Tstg-55…150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
Напруга колектор–емітер Vces1300 В (Tc 25 °C)
Напруга затвор–емітер Vges±25 В
Струм колектора Ic60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм Icm90 А (обмежено Tj max)
Потужність розсіювання Pd500 Вт (Tc 25 °C)
Vce(sat)1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Робоча температура переходу Tj-55…+175 °C
Заряд затвора Qg372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В)
Вхідна ємність Cies3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В (Tvj ≥25 °C)
Струм колектора Ic (25 °C)80 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)275 Вт
Напруга насичення Vce(sat)1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C)
КорпусTO-247
Вбудований діодVrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс
Максимальна температура переходу Tj175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор K50EF5 ( IKW50N65F5 ) демонтаж б/в, TO247

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
МаркуванняK50EF5
Напруга Vce650 В
Струм Ic (Tc 25 °C, обмежено виводами)80 А
Струм Ic (Tc 100 °C)56 А
Vce(sat) (Vge 15 В, Ic 50 А, Tvj 25 °C)1,60 В типово
Вбудований діодє (RAPID1)
Ptot (Tc 25 °C)305 Вт
КорпусTO-247
СтанДемонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.