Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор IRGP4068D-E ( IRGP4068D ) оригінал демонтаж б/в (заміна для IRGP4069D ) , TO247
208,68 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор IRGP4068D-E (IRGP4068D) з вбудованим діодом, 600 В, корпус TO-247AD. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic | 96 А (Tc 25 °C); 48 А (Tc 100 °C) |
| Vce(on) | 1.65 В тип., 2.14 В макс. (Ic 48 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 4.0–6.5 В (Vce = Vge, Ic 1.4 мА) |
| Заряд затвора Qg | 95 нКл тип. (Ic 48 А, Vge 15 В, Vcc 400 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3025 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, ultra-low Vf hyperfast |
| Потужність Pd | 330 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура Tj | 175 °C макс. |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IRGP4068D-E (IRGP4068D) – IGBT-транзистор Infineon (International Rectifier) з вбудованим діодом ultra-low Vf hyperfast, корпус TO-247AD. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В. Струм колектора Ic – 96 А при Tc 25 °C і 48 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(on) типово 1.65 В (макс. 2.14 В) при Ic 48 А, Vge 15 В, Tj 25 °C; 2.05 В типово при Tj 175 °C. Заряд затвора Qg типово 95 нКл при Ic 48 А, Vge 15 В, Vcc 400 В. Вхідна ємність Cies типово 3025 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Пряма напруга діода Vf типово 0.96 В при If 8 А, Tj 25 °C. Потужність розсіювання Pd – 330 Вт при Tc 25 °C. Час стійкості до короткого замикання – 5 мкс при Vcc 400 В, Rg 10 Ом.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. IRGP4068D-E може замінити IRGP4069D; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційний нагрів
- М'яке перемикання (soft switching)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| NCE40TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×48=38.4, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×1.65=2.15, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Запас за струмом при 100 °C невеликий. | Купити |
| RJH60F5 | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×48=38.4, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.37 ≤ 1.3×1.65=2.15, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Запас за струмом при 100 °C невеликий. | Купити |
| NCE60TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 60 ≥ 0.8×48=38.4, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×1.65=2.15, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Порівняйте з datasheet заряд затвора. | Купити |
| JT050N065WED | Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×48=38.4, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×1.65=2.15, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Порівняйте з datasheet заряд затвора. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити IRGP4068D-E?
Заміну підбирайте за datasheet: корпус TO-247, Vces не нижче 600 В, Ic при Tc 100 °C не менше за 48 А з запасом, вбудований діод, порівнянні Vce(on) і заряд затвора Qg. Аналоги з нашого каталогу – у таблиці нижче.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи може IRGP4068D-E замінити IRGP4069D?
IRGP4068D-E може замінити IRGP4069D. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Для чого використовують IRGP4068D-E?
За даними виробника – для індукційного нагріву та схем з м'яким перемиканням (soft switching).
Документація виробника: IRGP4068D-EPBF (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.