Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор 45N60S1 ( NGTB45N60S1WG )(Заміна для 45N60S2 , NGTB45N60S2WG ) демонтаж б/в, TO247
258,50 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
45N60S1 (NGTB45N60S1WG) – IGBT-транзистор onsemi у корпусі TO-247 з вбудованим діодом, для зварювальних інверторів. Демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | Trench IGBT з діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 90 А |
| Струм Ic (100 °C) | 45 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 300 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 3115 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Vce(sat) (45 А, 15 В, 25 °C, тип.) | 2.00 В |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
45N60S1 (NGTB45N60S1WG) – Trench IGBT виробництва onsemi у корпусі TO-247. Напруга колектор-емітер Vces – 600 В (VGE = 0 В, IC = 500 мкА). Струм колектора Ic – 90 А при Tc = 25 °C і 45 А при Tc = 100 °C. Вхідна ємність Cies типово 3115 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 300 Вт при Tc = 25 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 2.00 В типово (IC = 45 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C). У корпусі є м'який швидкий діод, його trr – 70 нс (IF = 45 А, VR = 200 В, diF/dt = 200 А/мкс). Транзистор витримує коротке замикання 5 мкс (VGE = 15 В, VCE = 400 В, Tj ≤ 150 °C). Максимальна температура переходу Tj – 175 °C. Цифри наведено за даташитом NGTB45N60S1WG Rev. 1.
Стан: демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Назва товару містить позначку заміни: 45N60S1 може замінити 45N60S2 (NGTB45N60S2WG). Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Інші IGBT у корпусі TO-247 дивіться в таблиці аналогів на сторінці. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Зварювання (IGBT – Inverter Welding)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IRGP4068D-E | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 48 ≥ 0.8×45=36, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×2=2.6, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Керування затвором і діод порівняйте за datasheet. | Купити |
| NCE40TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×45=36, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×2=2.6, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Ic при 100 °C нижчий за 45 А. | Купити |
| RJH60F5 | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×45=36, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.37 ≤ 1.3×2=2.6, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Ic при 100 °C нижчий за 45 А. | Купити |
| NCE60TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 60 ≥ 0.8×45=36, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×2=2.6, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Час витримки короткого замикання порівняйте за datasheet. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це нова деталь чи демонтаж?
Демонтаж б/в. Деталь знята з плати та перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити 45N60S1?
Підбирайте IGBT у корпусі TO-247 з тим самим Vces (600 В), струмом Ic при 100 °C близько 45 А або більше та вбудованим діодом. Кандидати з нашого складу є в таблиці аналогів.
Чи може 45N60S1 замінити 45N60S2?
За назвою товару – так, 45N60S1 може замінити 45N60S2 (NGTB45N60S2WG). Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Як перевірити такий IGBT перед монтажем?
Тестером перевірте відсутність пробою колектор-емітер та затвор-емітер, а також роботу вбудованого діода. Він стоїть в одному корпусі з транзистором.
Документація виробника: NGTB45N60S1WG (onsemi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.