Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
235,00 ₴
26 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
26 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор KGF75N65KDF (KEC, TO247) з вбудованим діодом для інверторів, ДБЖ та побутової техніки. Товар оригінал, перевірений перед відправкою.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
KGF75N65KDF (інша назва 75N65KDF) – IGBT-транзистор KEC з вбудованим зворотним діодом у корпусі TO247. Максимальна напруга Vces – 650 В, струм колектора Ic – 100 А при Tc 25 °C і 75 А при Tc 100 °C. Розсіювана потужність Pd – 484 Вт при Tc 25 °C, робоча температура переходу – до 175 °C. Напруга насичення Vce(sat) при Ic 75 А, Vge 15 В і Tc 25 °C – 1,77 В типово, 2,2 В максимум.
Товар – оригінал, перевірений перед відправкою. Вбудований діод є. Для заміни звіряйте Vces, Ic при робочій температурі 100 °C і Vce(sat) з вашою схемою; в наявності є FGA60N65SMD з такими самими Vces 650 В і Ic 60 А при 100 °C – електрично близький, але в корпусі TO-3P, а не TO247.
Де застосовують
- Кондиціонери
- Індукційні плити
- Холодильники
- Двигуни
- Інвертори
- ДБЖ
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| FGA60N65SMD | Vces ≥, Ic(100°C) ≥ 0.8×, Vce(sat) порівнянне, діод є | Vces 650 В = 650 В; Ic(100°C) 60 А проти вимоги ≥60 А (0.8×75 А); Vce(sat) 1,9–2,5 В зіставне з 1,77–2,2 В; корпус TO-3P, а не TO247 – перевірте посадку | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити KGF75N65KDF?
За параметрами (Vces 650 В, Ic(100°C) від 60 А, вбудований діод) підходить FGA60N65SMD – але зверніть увагу, що він у корпусі TO-3P, а не TO247, тож перевірте посадку у вашій платі.
Які параметри Ic і Vces у KGF75N65KDF?
Vces 650 В, Ic 100 А при Tc 25 °C, 75 А при Tc 100 °C, розсіювана потужність 484 Вт при Tc 25 °C.
Чи є вбудований діод?
Так, це IGBT з co-pack діодом.
Для яких пристроїв підходить KGF75N65KDF?
За даними виробника – кондиціонери, індукційні плити, холодильники, двигуни, інвертори, ДБЖ.
Документація виробника: KGF75N65KDF (KEC product page, номер ревізії PDF на сторінці не прочитано – сам PDF-файл не вдалося завантажити за 10 звернень).
Vce(sat) за даташитом KEC (Rev. 1, 2022-04-20): 1,77 В тип. і 2,2 В макс. при Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор 2SC3198
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN, малошумний |
| Напруга BVCEO | 50 В (IC 1 мА, IB 0) |
| Напруга BVCBO | 50 В (IC 100 мкА, IE 0) |
| Напруга BVEBO | 5 В (IE 100 мкА, IC 0) |
| Струм колектора | 150 мА |
| hFE | 70–400 (VCE 6 В, IC 2 мА) |
| VCE(sat) | 0,3 В макс. (IC 100 мА, IB 10 мА) |
| Потужність | 0,4 Вт (корпус TO-92) |
| fT | 80 МГц мін. (VCE 10 В, IC 1 мА) |
| NF | 10 дБ макс. (VCE 6 В, IC 0,1 мА, Rg 10 кОм, f 1 кГц) |
| Tj макс. | 125 °C |
| Корпус | TO-92 |
| Виробник | DDF (Shenzhen DingDeFeng Technology) |
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 240 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 160 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Час відновлення діода trr | 360 нс (Tj 175 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 750 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | Super-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.