Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF100B201 ( F100B201 ) оригінал, TO220
164,50 ₴
52 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
52 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRF100B201 (F100B201) – N-канальний польовий транзистор Infineon серії StrongIRFET у корпусі TO-220AB. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier), серія StrongIRFET |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) | 192 А |
| Струм Id (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) | 136 А |
| Rds(on) тип. (VGS = 10 В, ID = 115 А) | 3,5 мОм |
| Rds(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 115 А) | 4,2 мОм |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Qg тип. | 170 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 9500 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc = 25 °C) | 441 Вт |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
IRF100B201 (маркування F100B201) – N-канальний польовий транзистор Infineon (International Rectifier) серії StrongIRFET у корпусі TO-220AB. Напруга стік-витік Vds – 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C, мін.). Струм стоку Id – 192 А при Tc = 25 °C і VGS = 10 В, 136 А при Tc = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 3,5 мОм тип. і 4,2 мОм макс. при VGS = 10 В, ID = 115 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В. Заряд затвора Qg – 170 нКл тип. при VGS = 10 В, VDS = 50 В, ID = 115 А. Вхідна ємність Ciss типово 9500 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність Pd – 441 Вт при Tc = 25 °C.
Оригінал, не демонтаж. Для заміни дивіться на клас транзистора: N-канал, корпус TO-220AB, Vds не нижче 100 В, Rds(on) не гірше, а струм Id порівняйте за однакових умов Tc і VGS. Якщо Qg заміни суттєво більший, перевірте драйвер затвора. У datasheet Infineon цей номер описано разом з IRF100S201. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Щіткові та BLDC-приводи двигунів
- Напівміст і повний міст, синхронне випрямлення
- Резонансні джерела живлення, OR-ing і резервні силові ключі, DC/DC, AC/DC та DC/AC інвертори
Чим замінити IRF100B201?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220AB з Vds не нижче 100 В і Rds(on) не гірше 4,2 мОм при VGS = 10 В. Струм Id порівнюйте за однакових умов (Tc = 25 °C або Tc = 100 °C). Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Яка напруга управління потрібна для IRF100B201?
Параметри Rds(on) наведені при VGS = 10 В, порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Максимальна напруга затвор-витік – ±20 В.
Чому Id 192 А, а не менше?
192 А – струм при Tc = 25 °C. При Tc = 100 °C струм Id – 136 А. У реальній схемі він залежить від охолодження.
Документація виробника: IRF100B201/IRF100S201 StrongIRFET, Rev. 2.1.
Параметри наведено за datasheet Infineon IRF100B201/IRF100S201 StrongIRFET (Rev. 2.1).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема NSI6602BD оригінал ( NSI6602B-DSWR , NSI66 02BD , NS16602BD , NS166 02BD ), sow16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Призначення | Ізольований двоканальний драйвер затворів силових транзисторів |
| Піковий струм source | 4 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Піковий струм sink | 6 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C) |
| Напруга VDDA, VDDB | 9,4–25 В (версія NSI6602B) |
| Напруга VDDI | 3–5,5 В |
| Затримка поширення | 25 нс (типово, VDDA=VDDB=12 В) |
| Напруга ізоляції | 5700 В (діюче), 1 хвилина, UL1577 |
| CMTI | 150 кВ/мкс (типово) |
| Температура | –40…125 °C |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRSS052N08N оригінал, D2PAK
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N-канал, SkyMOS1 |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 135 А (кремній); 120 А (обмеження корпусу) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 86 А |
| Опір Rds(on) | 4.3 мОм тип., 5.2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3086 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність розсіювання Pd | 174 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.