Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRSS052N08N оригінал, D2PAK
164,50 ₴
16 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
16 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CRSS052N08N – N-канальний польовий транзистор CRMICRO у корпусі D2PAK для керування двигунами й батареями. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N-канал, SkyMOS1 |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 135 А (кремній); 120 А (обмеження корпусу) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 86 А |
| Опір Rds(on) | 4.3 мОм тип., 5.2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3086 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Потужність розсіювання Pd | 174 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
CRSS052N08N – N-канальний MOSFET серії SkyMOS1 виробництва CRMICRO у корпусі TO-263 (D2PAK) для поверхневого монтажу. Напруга Vds – 85 В. Струм стоку Id при TC 25 °C – 135 А за кремнієм, 120 А з обмеженням корпусу; при TC 100 °C – 86 А. Опір відкритого каналу Rds(on) при VGS=10 В, ID=50 А: 4.3 мОм типово, 5.2 мОм максимально. Заряд затвора Qg – 55 нКл при VGS=10 В, VDS=40 В, ID=50 А. Вхідна ємність Ciss типово 3086 пФ. Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В при ID=250 µA. Потужність розсіювання – 174 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Це оригінал, не демонтаж. Параметри наведено за документом CRST055N08N / CRSS052N08N (CRMICRO). При підборі заміни порівнюйте Vds, Id, Rds(on) і заряд затвора, а корпус беріть той самий – D2PAK. Версія цієї серії в корпусі TO-220 має номер CRST055N08N, посадочне місце в неї інше. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Керування двигунами
- Керування батареями
- Джерела безперебійного живлення
Чим замінити CRSS052N08N?
Шукайте N-канальний MOSFET у D2PAK з Vds не нижче 85 В, Rds(on) не вище 4.3 мОм при VGS=10 В і достатнім Id. Версія цієї серії в корпусі TO-220 – CRST055N08N, але корпус інший.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який драйвер потрібен для CRSS052N08N?
Опір каналу вказано при VGS=10 В. Заряд затвора Qg – 55 нКл, тому драйвер має давати достатній струм для швидкого перемикання.
Чому в Id два значення?
Id при TC 25 °C – 135 А за кремнієм і 120 А з обмеженням корпусу. Для розрахунку беріть менше значення – 120 А.
Документація виробника: CRSS052N08N (CRMICRO).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор IRF100B201 ( F100B201 ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier), серія StrongIRFET |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) | 192 А |
| Струм Id (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) | 136 А |
| Rds(on) тип. (VGS = 10 В, ID = 115 А) | 3,5 мОм |
| Rds(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 115 А) | 4,2 мОм |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Qg тип. | 170 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 9500 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Pd (Tc = 25 °C) | 441 Вт |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.