Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема NSI6602AD оригінал ( NSI6602A-DSWR , NSI66 02AD , NS16602AD , NS166 02AD ), sow16
160,27 ₴
158 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
158 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
NSI6602AD – ізольований двоканальний драйвер затвора силових транзисторів NOVOSENSE у корпусі SOW16. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NOVOSENSE |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Ізоляція | 5700 В (RMS), 1 хв, UL1577 |
| Піковий струм (джерело) | 4 А на кожен вихід |
| Піковий струм (стік) | 6 А на кожен вихід |
| Живлення VDDI | 3–5,5 В |
| Живлення VDDA/VDDB | 7–25 В |
| Затримка поширення | 25 нс (тип.) |
| CMTI | 150 кВ/мкс (тип.) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Стан | Оригінал |
NSI6602AD – ізольований двоканальний драйвер затвора силових транзисторів виробництва NOVOSENSE у корпусі SOW16 (широкий SOIC, 16 виводів). Цифри нижче – за даташитом найближчої деталі NSI6602A-DSWR (NOVOSENSE). Ізоляція – 5700 В (RMS) за 1 хв, UL1577. Піковий вихідний струм на кожен вихід: 4 А (джерело) і 6 А (стік). Живлення вхідної сторони VDDI – 3–5,5 В, вихідної сторони VDDA/VDDB – 7–25 В (варіант NSI6602A, поріг UVLO 6 В). Затримка поширення – 25 нс (тип.), стійкість до синфазних перешкод CMTI – 150 кВ/мкс (тип.). Мертвий час задається резистором між виводами DT і GND: 10 × R(кОм) нс, 200 нс при R = 20 кОм. Робоча температура -40…125 °C.
Стан – оригінал. Щоб підібрати заміну, звіряйте корпус SOW16, розпіновку, напруги живлення обох сторін і поріг UVLO за даташитом. Виробник називає NSI6602B-DSWR, NSI6602C-DSWR і NSI6602A-DSPNR прямими замінами серії; у каталозі є NSI6602BD (NSI6602B-DSWR). Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Ізольовані DC-DC та AC-DC джерела живлення для серверів, телекому та промисловості
- Сонячні інвертори DC-AC
- Приводи двигунів і зарядні станції електромобілів
- ДБЖ та зарядні пристрої для акумуляторів
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| NSI6602BD | названо виробником | варіант B серії; порівняйте поріг UVLO і напруги живлення за даташитом | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити NSI6602AD?
Виробник називає прямими замінами серії NSI6602B-DSWR, NSI6602C-DSWR і NSI6602A-DSPNR. Перед заміною порівняйте поріг UVLO, напруги живлення та розпіновку за даташитом.
Яке живлення потрібне драйверу?
Вхідна сторона VDDI – 3–5,5 В, вихідна сторона VDDA/VDDB – 7–25 В (варіант NSI6602A).
Як задати мертвий час?
Резистором між виводами DT і GND: 10 × R(кОм) нс, 200 нс при R = 20 кОм.
Документація виробника: NSI6602 Datasheet (EN) 1.8 (NOVOSENSE).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор G60T60AN3H оригінал ( CRG60T60AN3H , G60T60 ), TO3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 60 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.85 В тип. / 2.4 В макс. (Ic=60А, Vge=15В) |
| Заряд затвора Qg | 117 нКл |
| Час відновлення діода trr | 80 нс (If=30А) |
| Розсіювана потужність Pd | 403 Вт (Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема EG2113D оригінал, SOW-16 широкий корпус
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EGmicro (Electronic Giant) |
| Тип | Драйвер затворів напівмоста |
| Напруга VB | 600 В |
| Напруга живлення Vcc | 10–20 В |
| Вихідний струм IO+/IO- | 2 / 2 А (PW 10 мкс) |
| Макс. частота | 500 кГц |
| Статичний струм | 50 мкА типово, макс. 100 мкА (входи не підключені, Vcc 15 В) |
| Мертвий час | 130 нс (TA 25 °C, Vcc 15 В, CL 1 нФ, типовий) |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRJQ190N65GCF ( CRJQ190N65GC ) оригінал(23A,650V), TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (Super Junction) |
| Напруга Vds | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 23 А (Tc 25 °C) |
| Струм Id (100 °C) | 14.8 А (Tc 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 185 мОм тип., 210 мОм макс. (VGS 10 В, ID 10 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 41 нКл тип. (VGS 10 В, VDS 480 В, ID 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1427 пФ |
| Потужність Pd | 229 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | CR Micro |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Мікросхема 24C04WP ( ST24C04WP , M24C04-WMN6TP ) оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Ємність пам'яті | 4 Кбіт (512 x 8) |
| Інтерфейс | I2C (two-wire) |
| Корпус | SO-8 |
| Розмір сторінки запису | 16 байт |
| Напруга живлення (версія -1.8) | 1,8–5,5 В |
| Напруга живлення (версія -2.7) | 2,7–5,5 В |
| Частота SCL | 100 кГц (1,8 В); 400 кГц (2,7 В і 5 В) |
| Час циклу запису | 5 мс, макс. |
| Ресурс запису | 1 000 000 циклів |
| Зберігання даних | 100 років |
| Захист запису | вивід WP |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема 24C512 ( 24512A – маркування ) , DIP8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Послідовна EEPROM, двопровідний інтерфейс (I2C-сумісний) |
| Ємність | 512 Кбіт (65 536 x 8) |
| Напруга живлення (стандартна версія) | 2,7–5,5 В |
| Напруга живлення (низьковольтна версія) | 1,8–3,6 В |
| Тактова частота SCL | 1 МГц (5 В), 400 кГц (2,7 В), 100 кГц (1,8 В) |
| Сторінковий запис | 128 байт |
| Час циклу запису | 5 мс, макс. |
| Ресурс запису | 100 000 циклів (5,0 В, 25 °C, сторінковий режим) |
| Зберігання даних | 40 років |
| Корпус | DIP8 |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.