Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-264 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DXG75N120J оригінал, TO264
470,00 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
DXG75N120J – оригінальний IGBT-транзистор DAXIN з вбудованим діодом у корпусі TO-264. Для приводу двигунів та інверторів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-264 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | DAXIN |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-264 |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (TC 25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (TC 100 °C) | 75 А |
| Напруга Vce(sat) | 2,2 В тип. (VGE 15 В, IC 75 А) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd | 833 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Заряд затвора Qg | 490 нКл (VCC 960 В, VGE 15 В, IC 75 А) |
| Вхідна ємність Cies | 3600 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
DXG75N120J – IGBT-транзистор DAXIN у корпусі TO-264, оригінал, не демонтаж. Усередині є вбудований діод. Напруга колектор–емітер Vces – 1200 В. Струм колектора Ic – 150 А при TC 25 °C і 75 А при TC 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 2,2 В (максимум 2,5 В) при VGE 15 В, IC 75 А. Порогова напруга Vge(th) – 4,5–5,7 В при IC 250 мкА. Вхідна ємність Cies типово 3600 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 833 Вт при TC 25 °C і 333 Вт при TC 100 °C, Tj – 150 °C.
Заряд затвора Qg – 490 нКл (VCC 960 В, VGE 15 В, IC 75 А), тому драйвер має бути розрахований на такий заряд. Час спаду tf – 82 нс, енергія вимкнення Eoff – 6,2 мДж (TC 25 °C, VCC 600 В, IC 75 А, RG 10 Ом, індуктивне навантаження). Діод: Vf типово 1,9 В при IF 75 А, trr – 239 нс (VCE 600 В, IF 75 А, dIF/dt 500 А/мкс). Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність діода й корпус. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Привод двигунів, інвертори
- Застосування з м'яким перемиканням (soft switching)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити DXG75N120J?
Дивіться на Vces не нижче 1200 В, Ic при 100 °C не нижче 75 А, наявність вбудованого діода та корпус TO-264. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Як перевірити IGBT мультиметром?
Перевірка мультиметром: ключ розряджений і без живлення. Затвор не проводить на колектор і емітер, а вбудований діод між емітером і колектором проводить в один бік.
Яка потужність розсіювання у DXG75N120J?
833 Вт при TC 25 °C і 333 Вт при TC 100 °C. На практиці вона залежить від радіатора й температури корпусу.
Документація виробника: DXG75N120J (DAXIN).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.