Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247S-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DHG50T65 оригінал (заміна для G50T65DS , DHG50T65DS ) , TO247
432,40 ₴
19 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
19 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
DHG50T65 – оригінальний IGBT-транзистор 650 В зі вбудованим діодом, корпус TO-247S-3L. Використовують у зварюванні, ДБЖ і трирівневих інверторах.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247S-3L |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jiangsu Donghai Semiconductor (WXDH) |
| Корпус | TO-247S-3L |
| Напруга Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic | 100 А (Tc 25 °C); 50 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 200 А |
| Vce(sat) | 2.0 В тип. (Vge 15 В, Ic 50 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 86 нКл (тип., Vce 520 В, Ic 50 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2528 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd | 250 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
DHG50T65 (G50T65DS, DHG50T65DS) – IGBT-транзистор Jiangsu Donghai Semiconductor (WXDH) у корпусі TO-247S-3L з вбудованим антипаралельним діодом. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В (Tj 25 °C). Струм колектора Ic – 100 А при Tc 25 °C і 50 А при Tc 100 °C, імпульсний струм Icm – 200 А. Напруга насичення Vce(sat) – 2.0 В типове (макс. 2.5 В) при Vge 15 В, Ic 50 А, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg – 86 нКл (тип., Vce 520 В, Ic 50 А, Vge 15 В). Вхідна ємність Cies типово 2528 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 250 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.
Це оригінальна деталь, не демонтаж. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня. За назвою товару DHG50T65 може замінити G50T65DS і DHG50T65DS; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Варіант з нашого каталогу – у таблиці аналогів.
Де застосовують
- Зварювання
- ДБЖ (UPS)
- Трирівневі інвертори
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| JT050N065WED | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×50=40, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×2=2.6, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | перевірте розпіновку за datasheet | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити DHG50T65?
За назвою товару він може замінити G50T65DS і DHG50T65DS. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Варіант з нашого каталогу – у таблиці аналогів.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить для зварювання та ДБЖ?
Так, ці сфери вказано для транзистора: зварювання, ДБЖ (UPS), трирівневі інвертори.
Які втрати вимкнення у DHG50T65?
Eoff 0.98 мДж (тип.) при Vce 400 В, Ic 50 А, Rg 5 Ом, Vge 15 В, Tj 25 °C; час спаду tf – 86 нс за тих самих умов.
Документація виробника: G50T65DS (WXDH).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор DHS020N88 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 85 В мін. при Id 250 мкА, Vgs 0 В |
| Опір Rds(on) | 2.3 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 80 А |
| Поріг Vgs(th) | 2–4 В при Vds=Vgs, Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 185 нКл тип. при Id 120 А, Vds 40 В, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 14489 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Jiangsu Donghai Semiconductor (WXDH) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE65TF099T оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Junction |
| Напруга Vds | 650 В (VGS=0 В) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 38 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 24 А |
| Опір Rds(on) | 109 мОм макс. (VGS=10 В, ID=19 А; typ 89 мОм) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл typ. (VDS=480 В, ID=38 А, VGS=10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2800 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 322 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | швидкий, trr typ. 180 нс (Tj 25 °C, IF=19 А) |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.