Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE30TD60BT оригінал, TO247
345,92 ₴
52 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
52 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор NCE Power з вбудованим швидким діодом для інверторів, кондиціонерів і приводів двигунів – 600 В, 30 А (100 °C), корпус TO-247, оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 60 А |
| Струм Ic (100 °C) | 30 А |
| Vce(sat) (тип., 25 °C) | 1,7 В |
| Час зворотного відновлення діода trr | 178 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Стан | Оригінал |
NCE30TD60BT – IGBT-транзистор Wuxi NCE Power з вбудованим швидким діодом. Пробивна напруга Vces – не менше 600 В. Струм колектора – 60 А при Tc 25 °C і 30 А при Tc 100 °C, імпульсний струм – до 90 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1,7 В (тип.) / 1,9 В (макс.) при Ic 30 А, Vge 15 В, Tj 25 °C, і зростає до 1,9 В (тип.) при Tj 150 °C. Порогова напруга затвора Vge(th) – 4,0-6,0 В (тип. 5,0 В), заряд затвора Qg – 132 нКл. Вбудований діод має пряму напругу 1,7 В (тип.) / 1,9 В (макс.) при If 30 А і час зворотного відновлення trr 178 нс. Транзистор витримує коротке замикання протягом 3 мкс при Vge 15 В, Vcc 400 В, Tj 150 °C (не більше 1000 КЗ з інтервалом 1 с).
Транзистор оригінальний, новий – перевіряємо маркування і партію перед відправкою. Підбираючи заміну, звертайте увагу на корпус TO-247, напругу Vces не нижче 600 В, струм колектора при 100 °C не нижче 30 А, порівнянну напругу насичення Vce(sat) і наявність вбудованого швидкого діода. З нашого асортименту цій умові відповідають IKW50N65EH5 (K50EEH5) і KGF75N65KDF – обидва в тому самому корпусі TO-247.
Де застосовують
- Кондиціонери (Air Condition)
- Інвертори (Inverters)
- Приводи двигунів (Motor drives)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IKW50N65EH5 | IGBT: Vces 650В ≥ 600В, Ic(100°C) 50А ≥ 0.8×30А=24А, Vce(sat) порівнянне (1,65/2,1В проти 1,7/1,9В), вбудований діод є в обох, той самий корпус TO-247 | розрахований на більший струм – запас за навантаженням | Купити |
| KGF75N65KDF | IGBT: Vces 650В ≥ 600В, Ic(100°C) 75А ≥ 0.8×30А=24А, Vce(sat) порівнянне (1,77-2,2В проти 1,7/1,9В), вбудований діод є в обох, той самий корпус TO-247 | trr вбудованого діода виробник не вказує – цю характеристику звірити неможливо | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим можна замінити NCE30TD60BT?
У нашому каталозі за параметрами підходять IKW50N65EH5 (K50EEH5) і KGF75N65KDF – обидва в корпусі TO-247, з напругою Vces від 650 В і струмом Ic(100°C) не нижче 30 А.
Як перевірити транзистор перед встановленням?
Оригінал перевіряємо за маркуванням на корпусі перед відправкою; перед монтажем варто звірити виводи і напругу насичення мультиметром у режимі перевірки діода.
Для яких схем підходить NCE30TD60BT?
За даними виробника – для кондиціонерів, інверторів і приводів двигунів.
Чи є в NCE30TD60BT вбудований швидкий діод?
Так, у даташиті є окремий розділ характеристик діода: пряма напруга 1,7-1,9 В і час зворотного відновлення trr 178 нс.
Документація виробника: NCE30TD60BP, NCE30TD60BT – 600V, 30A, Trench FS II Fast IGBT.
Абсолютні максимальні номінали розсіюваної потужності та імпульсного струму діода в таблиці даташита зміщені після конвертації і тому не наведені в картці.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.