Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 6R190C6 ( IPW60R190C6 ) оригінал, TO247
352,50 ₴
5 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
5 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
N-канальний польовий транзистор CoolMOS C6 IPW60R190C6 (маркування 6R190C6) від Infineon у корпусі TO-247. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | N-канальний MOSFET, CoolMOS C6 |
| Напруга V(BR)DSS | 600 В (мін., VGS=0 В, ID=0,25 мА) |
| Струм стоку ID | 20,2 А при TC=25 °C; 12,8 А при TC=100 °C |
| Імпульсний струм стоку | 59 А при TC=25 °C |
| Опір Rds(on) | 0,17 Ом тип., 0,19 Ом макс. при VGS=10 В, ID=9,5 А, Tj=25 °C |
| Заряд затвора Qg | 63 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1400 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,5 / 3 / 3,5 В (мін. / тип. / макс., VDS=VGS, ID=0,63 мА) |
| Корпус | TO-247 |
| Температура переходу і зберігання (Tj, Tstg) | -55…150 °C |
| Стан | Оригінал |
IPW60R190C6 (маркування 6R190C6) – N-канальний польовий транзистор серії CoolMOS C6 від Infineon у корпусі TO-247. Напруга стік-витік V(BR)DSS – мінімум 600 В при VGS=0 В, ID=0,25 мА. Струм стоку ID – 20,2 А при TC=25 °C і 12,8 А при TC=100 °C. Опір Rds(on) – типово 0,17 Ом, максимум 0,19 Ом при VGS=10 В, ID=9,5 А, Tj=25 °C. Заряд затвора Qg – типово 63 нКл. Вхідна ємність Ciss типово 1400 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц). Температура переходу і зберігання (Tj, Tstg) – від -55 до 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте з datasheet напругу стік-витік, струм стоку, Rds(on) при тому самому VGS, заряд затвора Qg (для іншого Qg перевірте драйвер) і розпіновку корпусу TO-247. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- PFC-каскади
- Жорстко комутовані PWM-каскади
- Резонансні PWM-каскади
- Блоки живлення ПК, адаптери
- LCD і PDP телевізори
- Освітлення, сервери, телеком, UPS
Чим замінити IPW60R190C6?
Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 з напругою не нижче 600 В, з таким самим або більшим струмом стоку (20,2 А при TC=25 °C) і Rds(on) не гіршим за 0,19 Ом при VGS=10 В. Якщо заряд затвора Qg суттєво більший за 63 нКл, перевірте драйвер.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує IPW60R190C6?
Струм стоку ID – 20,2 А при TC=25 °C і 12,8 А при TC=100 °C. Імпульсний струм – 59 А при TC=25 °C.
Чи підходить IPW60R190C6 для блоків живлення?
За даними виробника, транзистор призначений для PFC-каскадів і PWM-каскадів у блоках живлення ПК, адаптерах, LCD і PDP телевізорах, освітленні, серверах, телекомі та UPS.
Документація виробника: Infineon IPW60R190C6, 600V CoolMOS C6 Power Transistor, Rev. 2.3 Final.
Параметри наведено за datasheet виробника Infineon IPW60R190C6, Rev. 2.3 (2018-02-26).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.