Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор FGA60N65SMD оригінал демонтаж б/в, TO-3P
188,00 ₴
16 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
16 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FGA60N65SMD – IGBT Field Stop на 650 В з вбудованим діодом у корпусі TO-3P. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | IGBT Field Stop, з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм IC (25 °C) | 120 А |
| Струм IC (100 °C) | 60 А |
| Імпульсний струм ICM | 180 А |
| Vce(sat) | 1.9 В тип., 2.5 В макс. (IC = 60 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 189 нКл (VCE = 400 В, IC = 60 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2915 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 600 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
FGA60N65SMD – IGBT-транзистор onsemi (Fairchild) типу Field Stop з вбудованим діодом, корпус TO-3P-3LD. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В (при VGE = 0 В, IC = 250 мкА). Струм колектора IC – 120 А при TC = 25 °C і 60 А при TC = 100 °C, імпульсний ICM – 180 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1.9 В (тип.) при IC = 60 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 2915 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 600 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 175 °C.
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівнюйте Vces, IC при TC = 100 °C, Vce(sat), наявність вбудованого діода і корпус TO-3P. Qg цього IGBT – 189 нКл при VCE = 400 В, IC = 60 А, VGE = 15 В: якщо в схемі інший транзистор, перевірте, чи впорається драйвер затвора. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Сонячні інвертори
- ДБЖ (UPS)
- Імпульсні джерела живлення (SMPS)
- Зварювальні апарати
- PFC
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити FGA60N65SMD?
Шукайте IGBT з таким самим корпусом TO-3P і вбудованим діодом, з Vces не нижче 650 В і IC при TC = 100 °C не нижче 60 А. Перед заміною порівняйте Vce(sat), Qg і datasheet.
Чи є у FGA60N65SMD вбудований діод?
Так, діод вбудований: IF = 60 А при TC = 25 °C і 30 А при TC = 100 °C.
Для яких схем підходить цей IGBT?
За datasheet – сонячні інвертори, ДБЖ, імпульсні джерела живлення, зварювальні апарати, PFC.
Документація виробника: FGA60N65SMD/D, IGBT – Field Stop, 650 V, 60 A.
Параметри наведено за datasheet виробника onsemi (FGA60N65SMD/D). Час зворотного відновлення діода в таблиці datasheet не наведено.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.