IGBT-транзистори
Демонтаж
Транзистор IR IRGPS40B120U ( GPS40B120U ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier |
| Тип | IGBT n-канал, UltraFast, Non Punch Through |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Vce(on) | 3,12 В тип., 3,40 В макс. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 340 нКл тип. (Ic 40 А, Vcc 600 В, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 4300 пФ (Vcc 30 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор–емітер Vge | ±20 В |
| Температура переходу | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRG4BC30W ( G4BC30W ) оригінал, TO220
В наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА) |
| Струм колектора Ic | 23 А (Tc 25 °C); 12 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм колектора Icm | 92 А |
| Потужність розсіювання Pd | 100 Вт (Tc 25 °C); 42 Вт (Tc 100 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 980 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В (максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRG4PC50KD ( G4PC50KD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 52 А |
| Струм колектора Ic (TC 100 °C) | 30 А |
| Напруга насичення Vce(on) | 1.84 В (typ., Ic 30 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Час спаду tf | 95 нс (typ., Ic 30 А, Vcc 480 В, Vge 15 В, Rg 5 Ом, Tj 25 °C) |
| Вбудований діод | є (HEXFRED) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 3200 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IRG4PC50W ( G4PC50W ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
256,62 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT N-канал, без вбудованого діода |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Ic | 55 А (Tc 25 °C); 27 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 220 А |
| Напруга насичення Vce(on) | 2.25 В тип., 2.3 В макс. (IC = 27 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C); 78 Вт (Tc 100 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 3700 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-емітер Vge | ±20 В |
| Порогова напруга Vge(th) | 3.0–6.0 В (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRG7R313U , DPAK
В наявності
69,09 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces (мін.) | 330 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА) |
| Повторюваний піковий струм Irp | 160 А (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(on) | 1.35 В (typ., Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга затвора Vge(th) | 2.2–4.7 В (Ic 1 мА, Vce = Vge, Tj 25 °C) |
| Час спаду tf | 68 нс (typ., Tj 25 °C, Ic 12 А, Vcc 196 В, Rg 10 Ом) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Тип каналу | n-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Вхідна ємність Cies | 880 пФ (Vce 30 В) |
Демонтаж
Транзистор IRGP35B60PD ( GP35B60PD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
160,27 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 600 В |
| Струм Ic | 60 А (Tc 25 °C); 34 А (Tc 100 °C) |
| Потужність Pd | 308 Вт (Tc 25 °C); 123 Вт (Tc 100 °C) |
| Vce(on) | 1.85 В typ (макс. 2.15; Ic 22 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 4.0 В typ (Ic 250 мкА) |
| Qg | 160 нКл typ (Ic 22 А, Vcc 400 В, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3715 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Eoff | 215 мкДж typ (Ic 22 А, Vcc 390 В, Rg 3.3 Ом, Tj 25 °C) |
| tf | 8.0 нс typ |
| Діод | HEXFRED; Vf 1.30 В typ (If 15 А); trr 42 нс typ (If 15 А, Vr 200 В) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IRGPC50U оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 55 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 27 А |
| Напруга насичення Vce(on) | 1,9 В (тип.) при IC 27 А, VGE 15 В |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Cies | 2900 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IRGPS40B120UD ( GPS40B120UD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 40 А |
| Vce(on) тип. (IC = 40 А, VGE = 15 В, Tj 25 °C) | 3,12 В |
| Вбудований діод | є, ультрашвидкий з м’яким відновленням |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 595 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Максимальна температура переходу | 150 °C |
| Тип каналу | N-канал |
| Корпус | Super-247 |
| Виробник | International Rectifier |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXGH48N60C3D1 оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
169,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Littelfuse/IXYS |
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В (Tj = 25…150 °C) |
| Струм колектора Ic | 75 А (Tc = 25 °C, обмежено виводами); 48 А (Tc = 110 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,3 В тип., 2,5 В макс. (Ic = 30 А, Vge = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 300 Вт (Tc = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1960 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є, антипаралельний ультрашвидкий (FRED) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXGR32N60CD1 оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Напруга Vces | 600 В (Tj 25–150 °C) |
| Струм Ic25 | 45 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic90 | 28 А (Tc 90 °C) |
| Vce(sat) | 2.3 В тип., макс. 2.7 В (IC=32 А, VGE=15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 2.5–5.0 В (IC=250 мкА, VCE=VGE) |
| Qg | 110 нКл тип. (IC=32 А, VGE=15 В, VCE=0.5Vces) |
| Вхідна ємність Cies | 2700 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є (швидкий, FRED) |
| trr діода | 25 нс тип. (IF=1 А, -di/dt=100 А/мкс, VR=30 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pc | 140 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXGR40N60C2D1 оригінал демонтаж б/в (заміна для IXGH40N60C2D1 ), TO-247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Напруга Vces | 600 В (Tj 25–150 °C) |
| Струм Ic25 | 56 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic110 | 26 А (Tc 110 °C) |
| Vce(sat) | 2.2 В тип., макс. 2.7 В (IC=30 А, VGE=15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 3.0–5.0 В (IC=250 мкА, VCE=VGE) |
| Qg | 95 нКл тип. (IC=30 А, VGE=15 В, VCE=0.5Vces) |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є (швидкий FRED, у версії D1) |
| trr діода | 25 нс тип. (IF=1 А, -di/dt=100 А/мкс, VR=30 В) |
| Потужність Pc | 170 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXYS IXGH32N60AU1 ( IXGH32N60CD1 ) оригінал, TO-247 б/в
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 60 А |
| Струм колектора Ic (TC 90 °C) | 32 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.9 В (IC = 32 А, VGE 15 В, TJ 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 2.5–5.5 В (IC 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | є, швидкий (FRED), антипаралельний |
| Виробник | IXYS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор IXYS IXGH32N60B ( IXGH32N60A , IXGH32N60C ) оригінал, TO-247 б/в
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 60 А |
| Струм колектора Ic (TC 90 °C) | 32 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.5 В (IC = 32 А, VGE 15 В, TJ 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 2.5–5 В (IC 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | IXYS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор JNG15N120HS2 оригінал, TO247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jiaen |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 30 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 15 А |
| Vce(sat) тип. (Vge 15 В, Ic 15 А, Tc 25 °C) | 2.2 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 180 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 550 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JNG25N120HS оригінал, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 1200 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм колектора Ic | 45 А при TC = 25 °C, 25 А при TC = 100 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2,2 В, макс. 2,5 В (VGE = 15 В, IC = 25 А, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл (VCC = 960 В, VGE = 15 В, IC = 25 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1250 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при TC = 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Jiaen (JIAENSEMI) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JT015N065FED ( 015N065FED ) оригінал, TO220F
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 30 А |
| Струм Ic при 100 °C | 15 А |
| Vce(sat) типово | 1.6 В (Vge 15 В, Ic 15 А, Tc 25 °C) |
| Vge(th) | 4.0–6.5 В |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність | 31 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 880 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JT030N065FED ( 030N065FED ) оригінал, TO220F
В наявності
117,97 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat), типово | 1,75 В при Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg, типово | 64,5 нКл при Vcc 520 В, Ic 30 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 1830 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf, типово | 44 нс при Vcc 400 В, Ic 30 А, Rg 7,9 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Розсіювана потужність Pd | 46 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JT030N065WED ( 030N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C, обмежено Tjmax) | 60 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 30 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) (typ, Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) | 1.75 В |
| Vge(th) (Vce = Vge, Ic 250 мкА) | 4.5–6.5 В |
| Qg (typ, Vcc 520 В, Ic 30 А, Rg 7.9 Ом, Vge 15 В) | 64.5 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1830 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JT075N065WED ( 075N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
235,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C, обмежено Tjmax) | 150 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 75 А |
| Імпульсний струм Icm | 300 А |
| Vce(sat) (typ, Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) | 1.7 В |
| Vge(th) (Vce = Vge, Ic 250 мкА) | 4.5–6.5 В |
| Qg (typ, Vcc 520 В, Ic 75 А, Rg 7.9 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C) | 170 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 5012 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор K10N60A ( SKB10N60A ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vce | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 20 А |
| Струм Ic (100 °C) | 10,6 А |
| Потужність Ptot | 92 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Vce(sat) | 2,0 В тип., 2,4 В макс. (Vge 15 В, Ic 10 А, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 4,0 В тип. (Ic 300 мкА, Vce = Vge) |
| Заряд затвора Qg | 52 нКл (Vcc 480 В, Ic 10 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 550 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Діод | є, антипаралельний EmCon, швидкий з м’яким відновленням |
| Vf діода | 1,4 В тип. (If 10 А, Tj 25 °C) |
| trr діода | 220 нс (Vr 200 В, If 10 А, di/dt 200 А/мкс, Tj 25 °C) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор K10T60 ( IKB10N60T ) оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vces | 600 В (Tj ≥ 25 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 24 А |
| Струм Ic (100 °C) | 18 А |
| Потужність Ptot | 110 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Vce(sat) | 1,5 В тип., 2,05 В макс. (Vge = 15 В, Ic = 10 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,1–5,7 В, тип. 4,6 В (Ic = 0,3 мА, Vce = Vge) |
| Заряд затвора Qg | 62 нКл (Vcc = 480 В, Ic = 10 А, Vge = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 551 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Діод | є, антипаралельний швидкий Emitter Controlled HE |
| Vf діода | 1,6 В тип., 2,0 В макс. (If = 10 А, Tj = 25 °C) |
| trr діода | 115 нс (Tj = 25 °C, Vr = 400 В, If = 10 А, diF/dt = 880 А/мкс) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор K20H603 ( IKP20N60H3 ) оригінал, TO220
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 20 А |
| Імпульсний струм Icm | 80 А |
| Vce(sat) тип. (Vge 15 В, Ic 20 А, Tvj 25 °C) | 1.95 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 170 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1100 пФ |
| Tj макс. | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор K40T120 ( IKW40T120 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic при 25 °C | 75 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 1.7 В тип. (Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 270 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор K40T1202 ( IKW40N120T2 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор-емітер Vce | 1200 В |
| Струм колектора Ic (110 °C) | 40 А (Tj = 150 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.75 В тип., 2.2 В макс. (VGE = 15 В, Ic = 40 А, Tj = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 5.2–6.4 В (тип. 5.8 В) |
| Заряд затвора Qg | 192 нКл (Vcc = 960 В, Ic = 40 А, VGE = 15 В) |
| Час витримки короткого замикання | 10 мкс |
| Температура переходу Tj (макс.) | 175 °C |
| Вбудований діод | так, м’який швидкий Emitter Controlled |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
258,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор K50EES5 ( IKW50N65ES5 ) оригінал, TO247
В наявності
376,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | TRENCHSTOP 5 S5 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 100 °C | 60,5 А |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А (обмежено виводами) |
| Імпульсний струм | 200 А |
| Vce(sat) при 25 °C | 1,35 В тип. / 1,70 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А) |
| Діод у корпусі | є, RAPID 1 |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл |
| Ptot при 25 °C | 274 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор K50EF5 ( IKW50N65F5 ) демонтаж б/в, TO247
В наявності
216,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Маркування | K50EF5 |
| Напруга Vce | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C, обмежено виводами) | 80 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 56 А |
| Vce(sat) (Vge 15 В, Ic 50 А, Tvj 25 °C) | 1,60 В типово |
| Вбудований діод | є (RAPID1) |
| Ptot (Tc 25 °C) | 305 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор K50H603 оригінал ( IKW50N60H3 ) , TO247
В наявності
305,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 2 мА) |
| Струм Ic при Tc 25 °C | 100 А |
| Струм Ic при Tc 100 °C | 50 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,85 В (тип.), 2,30 В (макс.) при IC 50 А, VGE 15 В, Tvj 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 315 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2960 пФ |
| Потужність розсіювання Ptot | 333 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор K50MCH3 ( IKQ50N120CH3 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор–емітер Vce | 1200 В (Tvj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 100 А (Tc 25 °C, обмежений Tvjmax); 50 А (Tc 135 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 200 А (обмежений Tvjmax) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.00 В тип., 2.35 В макс. (Vge=15 В, Ic=50 А) |
| Пряма напруга діода Vf | 1.90 В тип., 2.30 В макс. (Vge=0 В, If=50 А) |
| Заряд затвора Qg | 235 нКл (Vcc=960 В, Ic=40 А, Vge=15 В) |
| Час спаду tf | 30 нс (Vcc=600 В, Ic=50 А, Vge=0/15 В, Rg=10 Ом) |
| Енергія вимкнення Eoff | 1.90 мДж (Vcc=600 В, Ic=50 А, Vge=0/15 В, Rg=10 Ом) |
| Розсіювана потужність Ptot | 652 Вт (Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tvj | -40…175 °C |
| Тепловий опір IGBT перехід–корпус | 0.23 К/Вт (макс.) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор K75EEH5 ( IKW75N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Номер | IKW75N65EH5 |
| Маркування | K75EEH5 |
| Напруга колектор-емітер Vces | 650 В (Tvj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 75 А (Tc 100 °C); 90 А (Tc 25 °C, обмежено виводами) |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,10 В макс. (Vge 15 В, Ic 75 А, Tvj 25 °C) |
| Потужність розсіювання Ptot | 395 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл (Vcc 520 В, Ic 75 А, Vge 15 В) |
| Діод | вбудований, RAPID 1 |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор KGF30N65FDA ( 30N65FDA ) оригінал, TO220F
В наявності
282,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KGF40N65KDC ( 40N65KDC ) оригінал, TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KEC |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (Ta=25 °C) |
| Струм Ic (Tc=25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc=100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1.75 В (VGE=15 В, IC=40 А, Ta=25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc=25 °C) | 208 Вт |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KGF60N65KDF ( 60N65KDF ) оригінал (заміна для KGF50N65KDF , 50N65KDF ), TO247
В наявності
352,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KEC |
| Напруга Vces | 650 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vges | 20 В (Ta 25 °C) |
| Струм Ic | 120 А (Tc 25 °C); 60 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 180 А |
| Vce(sat) | 1.77 В тип., 2.2 В макс. (Vge = 15 В, Ic = 60 А, Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 340 Вт (Tc 25 °C); 170 Вт (Tc 100 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл (Vcc = 400 В, Vge = 15 В, Ic = 60 А) |
| Вхідна ємність Cies | 2981 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Діод у корпусі | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KGT15N60FDA ( 15N60FDA ) оригінал, TO220F
В наявності
141,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KEC |
| Напруга Vces | 600 В (VGE 0 В, Ic 250 мкА) |
| Напруга Vges | ±20 В |
| Струм Ic (25 °C) | 15 А (TC 25 °C, TO-220IS) |
| Струм Ic (100 °C) | 7.5 А (TC 100 °C, TO-220IS) |
| Vce(sat), типове | 1.7 В (Vge 15 В, Ic 15 А, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (Vcc 300 В, Vge 15 В, Ic 15 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1270 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 35 нс |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MM75GAU65BKX оригінал, TO247-4
В наявності
145,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO247-4 |
| Тип | IGBT-транзистор |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MP40N65BU ( MPBW40N65BU ) оригінал (заміна для MP40N65BH , MPBW40N65BH ), TO247
В наявності
345,92 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Marching Power (Xinchangzheng) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор–емітер Vce | 650 В |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (TC 100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) (VGE 15 В, IC 40 А, Tj 25 °C) | 1.9 В |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3155 пФ (Vce 30 В) |
| Потужність розсіювання Pd (TC 25 °C) | 280 Вт |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MSG40T65FL оригінал, TO247
В наявності
141,94 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MASPOWER |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,05 В макс. (Vge = 15 В, Ic = 30 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 5,0–7,0 В (Ic = 600 мкА, Vce = Vge) |
| Заряд затвора Qg | 94,5 нКл (Vcc = 520 В, Ic = 40 А, Vge = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1718 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 375 Вт (Tc = 25 °C), 188 Вт (Tc = 100 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Vf діода | 1,25 В тип. (Vge = 0 В, If = 20 А, Tvj = 25 °C) |
| trr діода | 140 нс (Tvj = 25 °C, Vcc = 400 В, If = 40 А, diF/dt = 100 А/мкс) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE20TD60BF оригінал, TO220F
В наявності
94,47 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE (Wuxi NCE Power) |
| Напруга Vces | 600 В |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Струм Ic (TC 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (TC 100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) (Ic 20 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 1.7 В тип., 1.9 В макс. |
| Vge(th) | 4.0–6.0 В |
| Заряд затвора Qg | 97 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2580 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 34.5 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE20TD60BT оригінал, TO247
В наявності
160,27 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | NCE Power |
| Тип | IGBT N-канал (Trench FS II) з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic | 40 А при Tc 25 °C; 20 А при Tc 100 °C |
| Імпульсний струм | 60 А (обмежений Tjmax) |
| Vce(sat) | 1.7 В тип., 1.9 В макс. при Vge 15 В, Ic 20 А, Tj 25 °C |
| Vge(th) | 4.0–6.0 В при Ic 1 мА |
| Заряд затвора Qg | 97 нКл при Vcc 480 В, Ic 20 А, Vge 15 В |
| Вхідна ємність Cies | 2580 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 135 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE30TD60B оригінал, TO220
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT з вбудованим діодом |
| Виробник | NCE Power |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 60 А |
| Струм Ic при 100 °C | 30 А |
| VCE(sat) тип. | 1,7 В (IC 30 А, VGE 15 В, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 132 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3552 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Pd при 25 °C | 190 Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |