Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JNG15N120HS2 оригінал, TO247
282,00 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
JNG15N120HS2 – IGBT-транзистор Jiaen на 1200 В з вбудованим діодом у корпусі TO-247. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jiaen |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C) | 30 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 15 А |
| Vce(sat) тип. (Vge 15 В, Ic 15 А, Tc 25 °C) | 2.2 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 180 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 550 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
JNG15N120HS2 – IGBT-транзистор виробництва Jiaen у корпусі TO-247. Напруга колектор–емітер Vces – 1200 В при Vge 0 В, Ic 250 мкА. Струм колектора Ic – 30 А при Tc 25 °C і 15 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 2.2 В (тип., макс. 2.7 В) при Vge 15 В, Ic 15 А, Tc 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 550 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц). Потужність розсіювання Pd – 180 Вт при Tc 25 °C (70 Вт при Tc 100 °C), максимальна температура переходу – 150 °C. Усередині є діод: Vf – 2.3 В (тип., макс. 2.8 В) при If 15 А, Tc 25 °C, trr – 240 нс при Vce 600 В, If 15 А, dIf/dt 400 А/мкс.
Оригінал, не демонтаж. Заряд затвора Qg – 70 нКл при Vcc 960 В, Vge 15 В, Ic 15 А; втрати вимкнення Eoff – 0.9 мДж при Vcc 600 В, Ic 15 А, Rg 28 Ом, Tc 25 °C. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat) і наявність діода, корпус має бути TO-247 з тією ж розпіновкою. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційний нагрів (IH)
- ДБЖ (UPS)
- Загальні інвертори та інші схеми м'якого перемикання
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IRG4PH40UD | Vces 1200 ≥ 1200, Ic(100 °C) 21 ≥ 0.8×15=12, Vce(sat) 25 °C(typ) 2.43 ≤ 1.3×2.2=2.86, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Qg 86 нКл (тип.) проти 70 нКл. | Купити |
| IRG4PH50UD | Vces 1200 ≥ 1200, Ic(100 °C) 24 ≥ 0.8×15=12, Vce(sat) 25 °C(typ) 2.78 ≤ 1.3×2.2=2.86, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Qg 160 нКл (тип.) більш ніж удвічі більший, ніж 70 нКл: драйвер затвора перевірте. | Купити |
| IHW25N120R2 | Vces 1200 ≥ 1200, Ic(100 °C) 25 ≥ 0.8×15=12, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×2.2=2.86, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Qg 60.7 нКл. | Купити |
| IHW40N120R3 | Vces 1200 ≥ 1200, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×15=12, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.55 ≤ 1.3×2.2=2.86, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Qg 335 нКл набагато більший, ніж 70 нКл: драйвер затвора перевірте. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити JNG15N120HS2?
Шукайте IGBT з напругою Vces не нижче 1200 В, достатнім струмом Ic при 100 °C, порівнянною Vce(sat) і діодом у корпусі TO-247. Кандидати з нашого каталогу – у таблиці аналогів.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є в JNG15N120HS2 вбудований діод?
Так, Vf 2.3 В (тип.) при If 15 А, Tc 25 °C.
Для яких схем підходить JNG15N120HS2?
За даними виробника – індукційний нагрів (IH), ДБЖ (UPS), загальні інвертори та інші схеми м'якого перемикання.
Документація виробника: JNG15N120HS2 (Jiaen), Rev1.0.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.