Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор IRG4PH50UD ( G4PH50UD ) оригінал демонтаж б/в(1200V,45A) , TO247
243,46 ₴
16 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
16 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор IRG4PH50UD (G4PH50UD) з вбудованим діодом, 1200 В, корпус TO-247AC. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 1200 В (Vge 0 В, Ic 250 мкА) |
| Струм Ic | 45 А (Tc 25 °C); 24 А (Tc 100 °C) |
| Vce(on) | 2.78 В тип., 3.7 В макс. (Ic 24 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 3.0–6.0 В (Vce = Vge, Ic 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл тип. (Ic 24 А, Vcc 400 В, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3600 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вбудований діод | є, HEXFRED |
| Температура Tj | –55…+150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IRG4PH50UD (маркування G4PH50UD) – IGBT-транзистор Infineon (International Rectifier) з антипаралельним діодом HEXFRED ultrafast soft recovery в одному корпусі TO-247AC. Напруга колектор–емітер Vces – 1200 В при Vge 0 В, Ic 250 мкА. Струм колектора Ic – 45 А при Tc 25 °C і 24 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(on) типово 2.78 В (макс. 3.7 В) при Ic 24 А, Vge 15 В, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg типово 160 нКл при Ic 24 А, Vcc 400 В, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 3600 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 200 Вт при Tc 25 °C. Робоча частота – до 40 кГц у жорсткому перемиканні, понад 200 кГц у резонансному режимі.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте з datasheet Vces, Ic при Tc 100 °C, Vce(on), заряд затвора Qg, наявність діода та корпус TO-247. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Мостові схеми: діод підібраний під IGBT, снабер потрібен мінімальний або не потрібен
- Високочастотні перетворювачі: до 40 кГц у жорсткому режимі, понад 200 кГц у резонансному
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IHW25N120R2 (H25R1202) | Vces 1200 ≥ 1200, Ic(100 °C) 25 ≥ 0.8×24=19.2, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×2.78=3.61, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Порівняйте з datasheet керування затвором і режим перемикання. | Купити |
| IRG4PH40UD | Vces 1200 ≥ 1200, Ic(100 °C) 21 ≥ 0.8×24=19.2, Vce(sat) 25 °C(typ) 2.43 ≤ 1.3×2.78=3.61, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Струм при 100 °C нижчий за 24 А, запас невеликий. | Купити |
| IHW40N120R3 (H40R1203) | Vces 1200 ≥ 1200, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×24=19.2, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.55 ≤ 1.3×2.78=3.61, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Порівняйте з datasheet заряд затвора й режим перемикання. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити IRG4PH50UD?
Заміну підбирайте за datasheet: корпус TO-247, Vces не нижче 1200 В, Ic при Tc 100 °C не менше за 24 А з запасом, вбудований діод, порівнянні Vce(on) і заряд затвора Qg. Нижче в таблиці – аналоги з нашого каталогу, які пройшли це порівняння.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи є в IRG4PH50UD вбудований діод?
Так, антипаралельний діод HEXFRED в одному корпусі з IGBT. Пряма напруга Vf типово 2.5 В при If 16 А, Tj 25 °C; час зворотного відновлення trr типово 90 нс при If 16 А, Vr 200 В, di/dt 200 А/мкс, Tj 25 °C.
На яких частотах працює IRG4PH50UD?
За даними виробника – до 40 кГц у жорсткому перемиканні та понад 200 кГц у резонансному режимі.
Документація виробника: IRG4PH50UDPBF (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.