Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор IRG4PH40UD оригінал демонтаж б/в( IRG4PH40UD2-E ) (1200V,41A,160W) , TO247
243,46 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRG4PH40UD – IGBT-транзистор International Rectifier на 1200 В у корпусі TO-247AC з діодом. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier (IRF) |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 1200 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Ic (25 °C) | 41 А (TC = 25 °C) |
| Струм Ic (100 °C) | 21 А (TC = 100 °C) |
| Vce(on) | 2,43 В тип., 3,1 В макс. (VGE = 15 В, IC = 21 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 160 Вт (TC = 25 °C) |
| Діод | є, HEXFRED, надшвидкий, м’який |
| Температура переходу Tj | −55…+150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IRG4PH40UD – IGBT-транзистор International Rectifier серії UltraFast у корпусі TO-247AC зі вбудованим діодом HEXFRED. За даташитом: напруга Vces 1200 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА, Tj 25 °C), струм колектора 41 А при TC = 25 °C і 21 А при TC = 100 °C. Vce(on) 2,43 В типово, 3,1 В максимум (VGE = 15 В, IC = 21 А, Tj 25 °C). Потужність розсіювання 160 Вт при TC = 25 °C, температура переходу −55…+150 °C. Частота: до 40 кГц у жорсткому перемиканні, понад 200 кГц у резонансному режимі.
Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. У назві вказано також IRG4PH40UD2-E. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, струм при 100 °C, Vce(on), корпус TO-247AC і наявність діода. Заряд затвора Qg 86 нКл типово (IC = 21 А, VCC = 400 В, VGE = 15 В) важливий для драйвера.
Де застосовують
- Мостові схеми з антипаралельним діодом
- Імпульсні джерела живлення
- ДБЖ
- Зварювання
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити IRG4PH40UD?
У назві вказано IRG4PH40UD2-E. Для іншої заміни порівняйте Vces 1200 В, струм 21 А при TC = 100 °C, Vce(on), наявність діода та корпус TO-247AC. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за даташитом.
Яка робоча частота IRG4PH40UD?
До 40 кГц у жорсткому перемиканні та понад 200 кГц у резонансному режимі (серія UltraFast).
Який діод вбудований у транзистор?
HEXFRED, надшвидкий і м’який. Час зворотного відновлення trr 63 нс типово при Tj 25 °C, IF = 8 А, VR = 200 В, diF/dt = 200 А/мкс.
Документація виробника: IRG4PH40UD (IRF).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Діодний міст GBU2510 ( Заміна для GBU25M ) (1000V,25A)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 1000 В (TA=25°C) |
| Середній прямий струм If(av) | 25 А (з тепловідводом) |
| Пряма напруга Vf | 1,05 В (If=12,5А, Tj=25°C, макс.) |
| Ударний струм Ifsm (8,3мс) | 350 А (Tj=25°C) / 280 А (Tj=125°C) |
| Ударний струм Ifsm (1,0мс) | 700 А (Tj=25°C) / 560 А (Tj=125°C) |
| Робоча температура переходу | -40…+150°C |
| Корпус | GBU |
| Маса | 4,1 г |
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.