Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор IRGP35B60PD ( GP35B60PD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
160,27 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRGP35B60PD (GP35B60PD) – IGBT-транзистор International Rectifier (Infineon) на 600 В з діодом HEXFRED для імпульсних джерел живлення. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 600 В |
| Струм Ic | 60 А (Tc 25 °C); 34 А (Tc 100 °C) |
| Потужність Pd | 308 Вт (Tc 25 °C); 123 Вт (Tc 100 °C) |
| Vce(on) | 1.85 В typ (макс. 2.15; Ic 22 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 4.0 В typ (Ic 250 мкА) |
| Qg | 160 нКл typ (Ic 22 А, Vcc 400 В, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3715 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Eoff | 215 мкДж typ (Ic 22 А, Vcc 390 В, Rg 3.3 Ом, Tj 25 °C) |
| tf | 8.0 нс typ |
| Діод | HEXFRED; Vf 1.30 В typ (If 15 А); trr 42 нс typ (If 15 А, Vr 200 В) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IRGP35B60PD (GP35B60PD) – IGBT-транзистор International Rectifier (Infineon) у корпусі TO-247AC з вбудованим діодом HEXFRED (ультрашвидкий, з м'яким відновленням). Напруга колектор–емітер Vce – 600 В. Струм колектора Ic – 60 А при Tc 25 °C і 34 А при Tc 100 °C. Потужність розсіювання Pd – 308 Вт при Tc 25 °C і 123 Вт при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(on) – 1.85 В typ (макс. 2.15) при Ic 22 А, Vge 15 В, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg – 160 нКл typ при Ic 22 А, Vcc 400 В, Vge 15 В; tf – 8.0 нс typ, Eoff – 215 мкДж typ (Ic 22 А, Vcc 390 В, Rg 3.3 Ом, Tj 25 °C). Вхідна ємність Cies типово 3715 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Діод: Vf 1.30 В typ при If 15 А, trr 42 нс typ при If 15 А, Vr 200 В. Максимальна температура переходу – 150 °C.
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Виробник вказує прямі заміни: IRGP35B60PDPBF, IRGP35B60PD-EP, AUIRGP35B60PD. Серед деталей у наявності є IGBT на 600 В і вище в корпусі TO-247, що пройшли порівняння за параметрами; при заміні перевірте драйвер затвора. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні джерела живлення для телекому та серверів (SMPS)
- PFC та ZVS-схеми
- Джерела безперебійного живлення
- Блоки живлення побутової електроніки
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| RJH60F5 | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×34=27.2, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.37 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Vce(sat) наведено при Ic 40 А, а не 22 А; діод інший, тому перевірте режим комутації. | Купити |
| NCE40TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×34=27.2, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Vce(sat) наведено при Ic 40 А; заряд затвора Qg 176 нКл, перевірте драйвер. | Купити |
| 45N60S1 | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 45 ≥ 0.8×34=27.2, Vce(sat) 25 °C(typ) 2 ≤ 1.3×1.85=2.41, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Vce(sat) 2.00 В наведено при Ic 45 А, запас до межі невеликий. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити IRGP35B60PD?
Виробник вказує прямі заміни: IRGP35B60PDPBF, IRGP35B60PD-EP, AUIRGP35B60PD. Серед наших деталей аналоги за параметрами наведено в таблиці аналогів на сторінці.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Для яких схем підходить IRGP35B60PD?
Виробник призначає її для SMPS телекому та серверів, PFC та ZVS-схем, джерел безперебійного живлення і блоків живлення побутової електроніки.
Який діод у транзисторі?
Вбудований HEXFRED, ультрашвидкий з м'яким відновленням: Vf 1.30 В typ при If 15 А, trr 42 нс typ при If 15 А, Vr 200 В.
Документація виробника: IRGP35B60PD (International Rectifier).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.