Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор IXYS IXGH32N60AU1 ( IXGH32N60CD1 ) оригінал, TO-247 б/в

150,40 ₴

2 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

2 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

IXGH32N60AU1 – оригінальний IGBT-транзистор IXYS зі швидким антипаралельним діодом у корпусі TO-247, б/в.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces600 В
Струм колектора Ic (TC 25 °C)60 А
Струм колектора Ic (TC 90 °C)32 А
Напруга насичення Vce(sat)2.9 В (IC = 32 А, VGE 15 В, TJ 25 °C)
Порогова напруга Vge(th)2.5–5.5 В (IC 250 мкА)
Потужність розсіювання Pd200 Вт (TC 25 °C)
Вхідна ємність Cies2500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
Вбудований діодє, швидкий (FRED), антипаралельний
ВиробникIXYS
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

IXGH32N60AU1 – IGBT виробництва IXYS зі швидким (FRED) антипаралельним діодом в одному корпусі TO-247 AD. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В (TJ 25–150 °C). Струм колектора Ic – 60 А при TC 25 °C і 32 А при TC 90 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 2.9 В при IC = 32 А, VGE 15 В, TJ 25 °C. Порогова напруга Vge(th) – 2.5–5.5 В при IC 250 мкА. Потужність розсіювання Pd – 200 Вт при TC 25 °C. Заряд затвора Qg – 125 нКл (typ.), час спаду tf – 125 нс (typ.) і втрати вимкнення Eoff – 1.8 мДж при TJ 25 °C, індуктивне навантаження, RG = 4.7 Ом. Вхідна ємність Cies типово 2500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Діод: Vf 1.6 В при IF = IC90, trr 35 нс (typ.). Максимальна температура переходу Tj – 150 °C.

Оригінал, б/в. В назві також вказаний IXGH32N60CD1. Підбираючи заміну, порівняйте Vces, Ic при 90 °C, Vce(sat), tf, Eoff, параметри діода і корпус TO-247. За даними виробника, є версія IXGH32N60AU1S. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Керування швидкістю двигунів змінного струму
  • Серво- та робототехнічні приводи, DC-чопери
  • Джерела безперебійного живлення (UPS)
  • Імпульсні та резонансні джерела живлення
Часто питають
Чим замінити IXGH32N60AU1?

За даними виробника, є версія IXGH32N60AU1S. Перед заміною порівняйте Vces, Ic при 90 °C, Vce(sat), tf, Eoff, діод і корпус за datasheet.

Деталь нова чи б/в?

Оригінал, б/в.

Чи є в IXGH32N60AU1 вбудований діод?

Так, швидкий (FRED) антипаралельний діод в одному корпусі з IGBT: Vf 1.6 В, trr 35 нс (typ.).

Як перевірити IGBT мультиметром?

У режимі перевірки діодів перевірте діод між емітером і колектором. Між затвором та іншими виводами опір має бути нескінченним.

Datasheet

Документація виробника: IXGH32N60AU1 (IXYS).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IXGH32N60AU1 (IXYS) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P

В наявності

208,68 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип. / 2.5 В макс.
Заряд затвора Qg189 нКл тип. / 284 нКл макс.
Вбудований діодтак
Розсіювана потужність Pd600 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P

IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)60 А
Струм Ic (25 °C)80 А (обмежено виводами, кристал 60 А)
Імпульсний струм Icp240 А
Vce(sat)1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot375 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Tj max175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор K20T60 ( IKP20N60T ) оригінал, TO220

В наявності

213,85 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В
Струм Ic (100 °C)28 А
Струм Ic (25 °C)41 А
Імпульсний струм Icp60 А
Vce(sat)1,5 В typ, 2,05 В max (VGE = 15 В, Ic = 20 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot166 Вт (TC = 25 °C)
Tj max175 °C
СтанОригінал

IGBT-транзистор NCE30TD60BT оригінал, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)60 А
Струм Ic (100 °C)30 А
Vce(sat) (тип., 25 °C)1,7 В
Час зворотного відновлення діода trr178 нс
КорпусTO-247
ВиробникWuxi NCE Power
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.