Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор IXYS IXGH32N60AU1 ( IXGH32N60CD1 ) оригінал, TO-247 б/в
150,40 ₴
2 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
2 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IXGH32N60AU1 – оригінальний IGBT-транзистор IXYS зі швидким антипаралельним діодом у корпусі TO-247, б/в.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 60 А |
| Струм колектора Ic (TC 90 °C) | 32 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.9 В (IC = 32 А, VGE 15 В, TJ 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 2.5–5.5 В (IC 250 мкА) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | є, швидкий (FRED), антипаралельний |
| Виробник | IXYS |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IXGH32N60AU1 – IGBT виробництва IXYS зі швидким (FRED) антипаралельним діодом в одному корпусі TO-247 AD. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В (TJ 25–150 °C). Струм колектора Ic – 60 А при TC 25 °C і 32 А при TC 90 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 2.9 В при IC = 32 А, VGE 15 В, TJ 25 °C. Порогова напруга Vge(th) – 2.5–5.5 В при IC 250 мкА. Потужність розсіювання Pd – 200 Вт при TC 25 °C. Заряд затвора Qg – 125 нКл (typ.), час спаду tf – 125 нс (typ.) і втрати вимкнення Eoff – 1.8 мДж при TJ 25 °C, індуктивне навантаження, RG = 4.7 Ом. Вхідна ємність Cies типово 2500 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Діод: Vf 1.6 В при IF = IC90, trr 35 нс (typ.). Максимальна температура переходу Tj – 150 °C.
Оригінал, б/в. В назві також вказаний IXGH32N60CD1. Підбираючи заміну, порівняйте Vces, Ic при 90 °C, Vce(sat), tf, Eoff, параметри діода і корпус TO-247. За даними виробника, є версія IXGH32N60AU1S. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Керування швидкістю двигунів змінного струму
- Серво- та робототехнічні приводи, DC-чопери
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Імпульсні та резонансні джерела живлення
Чим замінити IXGH32N60AU1?
За даними виробника, є версія IXGH32N60AU1S. Перед заміною порівняйте Vces, Ic при 90 °C, Vce(sat), tf, Eoff, діод і корпус за datasheet.
Деталь нова чи б/в?
Оригінал, б/в.
Чи є в IXGH32N60AU1 вбудований діод?
Так, швидкий (FRED) антипаралельний діод в одному корпусі з IGBT: Vf 1.6 В, trr 35 нс (typ.).
Як перевірити IGBT мультиметром?
У режимі перевірки діодів перевірте діод між емітером і колектором. Між затвором та іншими виводами опір має бути нескінченним.
Документація виробника: IXGH32N60AU1 (IXYS).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.