Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор K50MCH3 ( IKQ50N120CH3 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
345,92 ₴
16 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
16 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
K50MCH3 (IKQ50N120CH3) – швидкий IGBT HighSpeed 3 з діодом від Infineon. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор–емітер Vce | 1200 В (Tvj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 100 А (Tc 25 °C, обмежений Tvjmax); 50 А (Tc 135 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 200 А (обмежений Tvjmax) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.00 В тип., 2.35 В макс. (Vge=15 В, Ic=50 А) |
| Пряма напруга діода Vf | 1.90 В тип., 2.30 В макс. (Vge=0 В, If=50 А) |
| Заряд затвора Qg | 235 нКл (Vcc=960 В, Ic=40 А, Vge=15 В) |
| Час спаду tf | 30 нс (Vcc=600 В, Ic=50 А, Vge=0/15 В, Rg=10 Ом) |
| Енергія вимкнення Eoff | 1.90 мДж (Vcc=600 В, Ic=50 А, Vge=0/15 В, Rg=10 Ом) |
| Розсіювана потужність Ptot | 652 Вт (Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tvj | -40…175 °C |
| Тепловий опір IGBT перехід–корпус | 0.23 К/Вт (макс.) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
K50MCH3 – це маркування IGBT IKQ50N120CH3 серії HighSpeed 3 від Infineon Technologies з антипаралельним діодом у корпусі TO-247. Напруга колектор–емітер – 1200 В (Tvj 25 °C). Струм колектора – 100 А при Tc 25 °C (обмежений Tvjmax) і 50 А при Tc 135 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 2.00 В (тип.), 2.35 В (макс.) при Vge=15 В, Ic=50 А. Пряма напруга діода – 1.90 В (тип.) при If=50 А, Vge=0 В. Заряд затвора – 235 нКл (Vcc=960 В, Ic=40 А, Vge=15 В). Час спаду tf – 30 нс, енергія вимкнення Eoff – 1.90 мДж (Vcc=600 В, Ic=50 А, Rg=10 Ом). Виробник вказує робочу частоту перемикання 18–60 кГц.
Стан – оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Заміну підбирайте за datasheet: напруга не нижча за 1200 В, струм при Tc 135 °C не менший за 50 А, є антипаралельний діод, той самий корпус TO-247. Якщо заряд затвора в заміни істотно більший за 235 нКл, перевірте, чи впорається драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Промислові ДБЖ
- Зарядні пристрої
- Накопичення енергії
- Трирівневі сонячні інвертори
- Зварювання
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити K50MCH3 (IKQ50N120CH3)?
Підбирайте за datasheet: напруга не нижча за 1200 В, струм не менший за 50 А при Tc 135 °C, діод усередині, корпус TO-247. У нашому каталозі підтверджених аналогів для цього номера немає.
Що означає маркування K50MCH3?
Це маркування на корпусі IGBT Infineon IKQ50N120CH3.
Чи витримує деталь коротке замикання?
За datasheet стійкість до КЗ – 10 мкс при Vge=15 В, Vcc до 600 В, Tvj 175 °C, менше 1000 КЗ з інтервалом не менше 1 с.
Документація виробника: IKQ50N120CH3 Datasheet V2.4.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.