Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор JT030N065FED ( 030N065FED ) оригінал, TO220F

117,97 ₴

33 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

33 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

JT030N065FED (030N065FED) – IGBT-транзистор Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) на 650 В з вбудованим діодом, у корпусі TO-220MF. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces650 В (Tc 25 °C)
Напруга насичення Vce(sat), типово1,75 В при Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C
Заряд затвора Qg, типово64,5 нКл при Vcc 520 В, Ic 30 А, Vge 15 В
Вхідна ємність Cies1830 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Час спаду tf, типово44 нс при Vcc 400 В, Ic 30 А, Rg 7,9 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C
Вбудований діодє, антипаралельний
Розсіювана потужність Pd46 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220F
СтанОригінал
Опис

JT030N065FED – IGBT-транзистор Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) у корпусі TO-220MF, виконаний за технологією Trench FS. Напруга колектор–емітер Vces – 650 В при Tc 25 °C. Напруга насичення Vce(sat), типово – 1,75 В при Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C (2,1 В при Tc 175 °C). Заряд затвора Qg, типово – 64,5 нКл при Vcc 520 В, Ic 30 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 1830 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Час спаду tf, типово – 44 нс при Vcc 400 В, Ic 30 А, Rg 7,9 Ом, Vge 15 В, Tc 25 °C. Усередині є антипаралельний діод: Vf, типово – 1,4 В при Is 15 А. Максимальна температура переходу Tj – 175 °C.

Оригінал, не демонтаж. Документ виробника описує одразу три корпуси цієї серії, тому струм колектора для TO-220MF беріть із даташиту саме цього корпусу. Шукаючи заміну, підбирайте IGBT у тому самому корпусі з Vces не нижче 650 В та вбудованим діодом. Виробник називає споріднені варіанти серії: JT030N065WED і JT030N065SED.

Де застосовують

  • Інвертори загального призначення
  • ДБЖ (UPS)
  • Керування двигунами
Часто питають
Чим замінити JT030N065FED?

Виробник називає споріднені варіанти серії – JT030N065WED та JT030N065SED, але вони відрізняються корпусом. У нашому каталозі прямого аналога немає. Порівняйте datasheet перед заміною.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи є в JT030N065FED вбудований діод?

Так, є антипаралельний діод. Його Vf, типово – 1,4 В при Is 15 А, trr, типово – 155 нс при If 30 А, Vr 400 В, dIf/dt 100 А/мкс.

Який струм витримує JT030N065FED у корпусі TO-220MF?

Документ виробника дає струм колектора одним значенням для трьох корпусів серії, тому окремого значення для TO-220MF немає. Розсіювана потужність Pd – 46 Вт при Tc 25 °C: добирайте режим із запасом і з урахуванням тепловідведення.

Datasheet

Документація виробника: JT030N065FED (Jilin Sino).

Струм колектора для корпусу TO-220MF окремо не наведено: у документі виробника значення спільне для трьох корпусів серії.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

JT030N065FED (Jilin Sino) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Мікросхема NSI6801BD оригінал ( NSI6801B-DSWFR ), sow6

В наявності

123,14 ₴
ПараметрЗначення
ПризначенняОдноканальний ізольований драйвер затвора, сумісний за виводами з оптодрайверами
Піковий струм джерела5,2 А (типово, VCC = 15 В, імпульс < 10 мкс)
Піковий струм стоку5,4 А (типово, VCC = 15 В, імпульс < 10 мкс)
Макс. напруга VCC–VEE32 В (рекомендовано 10–32 В)
UVLO вмикання9,2 В (типово)
UVLO вимикання8,5 В (типово, IF = 10 мА)
CMTI150 кВ/мкс (мін.)
Затримка tpLH75 нс (типово, макс. 100 нс)
Вхідний струм IF(ON)7–16 мА (рекомендовано)
Ізоляція SOW65700 В (діюч.), UL1577, 1 хв
Температура TA-40…125 °C
КорпусSOW6
ВиробникNOVOSENSE
СтанОригінал

Схожі товари

IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Імпульсний струм колектора Icm150 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)235 Вт
Напруга насичення Vce(sat)2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C)
КорпусTO-3P
Вбудований діодVf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс
СтанОригінал

IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247

В наявності

183,77 ₴
ПараметрЗначення
НомерIHW40N120R3
МаркуванняH40R1203
ВиробникInfineon
ТипIGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом
Напруга Vces1200 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Vce(sat)1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)429 Вт
Вхідна ємність Cies2708 пФ
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247

IGBT-транзистор N1600 оригінал демонтаж б/в , TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ТипIGBT-транзистор з вбудованим діодом
Напруга Vces1600 В
Струм колектора Ic60 А (25 °C), 30 А (100 °C)
Потужність Ptot312 Вт (25 °C)
Напруга насичення Vce(sat)1,8 В тип., 2,1 В макс. (IC = 30 А, VGE = 15 В)
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Потужність Pd (25 °C)286 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg176 нКл
Вхідна ємність Cies4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 40 А, 25 °C)1.65 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.