Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор JT030N065WED ( 030N065WED ) оригінал, TO247
282,00 ₴
22 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
22 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
JT030N065WED (030N065WED) – IGBT-транзистор виробництва Jilin Sino-Microelectronics на 650 В у корпусі TO-247 з вбудованим діодом. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (Tc 25 °C, обмежено Tjmax) | 60 А |
| Струм Ic (Tc 100 °C) | 30 А |
| Імпульсний струм Icm | 120 А |
| Vce(sat) (typ, Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) | 1.75 В |
| Vge(th) (Vce = Vge, Ic 250 мкА) | 4.5–6.5 В |
| Qg (typ, Vcc 520 В, Ic 30 А, Rg 7.9 Ом, Vge 15 В) | 64.5 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1830 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
JT030N065WED (030N065WED) – IGBT-транзистор Trench Field Stop виробництва Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) у корпусі TO-247. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В. Струм колектора Ic – 60 А при Tc 25 °C (обмежено Tjmax) і 30 А при Tc 100 °C, імпульсний Icm – 120 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1.75 В (typ, Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C; макс. 2.1 В). Порогова напруга Vge(th) – 4.5–6.5 В при Vce = Vge, Ic 250 мкА. Заряд затвора Qg – 64.5 нКл (typ, Vcc 520 В, Ic 30 А, Rg 7.9 Ом, Vge 15 В). Вхідна ємність Cies типово 1830 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Усередині є діод: Vf 1.4 В (typ, Vge 0 В, Is 15 А), trr 155 нс (typ, Vr 400 В, If 30 А, dIf/dt 100 А/мкс, Tc 25 °C).
Стан – оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vces, струм Ic при Tc 100 °C, Vce(sat), наявність діода, корпус і розпіновку. Якщо заряд затвора Qg у іншої деталі відрізняється, перевірте драйвер. Відправка – Новою Поштою з Запоріжжя, відправка в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Інвертори загального призначення
- UPS
- Керування двигунами
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| JT050N065WED | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×30 = 24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×1.75 = 2.27, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Струм вищий; перевірте драйвер затвора. | Купити |
| IHW25N120R2 | Vces 1200 ≥ 650, Ic(100 °C) 25 ≥ 0.8×30 = 24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×1.75 = 2.27, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Інший тип IGBT (для м'якої комутації); порівняйте Qg та схему керування за datasheet. | Купити |
| IHW40N120R3 | Vces 1200 ≥ 650, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×30 = 24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.55 ≤ 1.3×1.75 = 2.27, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Інший тип IGBT (Reverse Conducting); перевірте драйвер. | Купити |
| YGW75N65HP | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×30 = 24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.75 = 2.27, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Струм значно вищий; перевірте драйвер затвора. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити JT030N065WED?
Із нашого каталогу за правилами підбору підходять JT050N065WED, IHW25N120R2, IHW40N120R3 і YGW75N65HP: Vces не нижче 650 В, достатній струм Ic при Tc 100 °C, Vce(sat) у межах допуску, діод є, корпус TO-247. Для IHW25N120R2 і IHW40N120R3 звіряйте тип схеми й драйвер із datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує JT030N065WED?
Ic 60 А при Tc 25 °C (обмежено Tjmax) і 30 А при Tc 100 °C. Робочий струм обирайте за значенням при Tc 100 °C, а не при Tc 25 °C.
Чи є в JT030N065WED вбудований діод?
Так. Діод розрахований на If 60 А при Tc 25 °C і 30 А при Tc 100 °C.
Документація виробника: JT030N065WED (Jilin Sino).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.