Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор IXGR32N60CD1 оригінал демонтаж б/в, TO-247
188,00 ₴
11 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
11 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IXGR32N60CD1 – IGBT-транзистор IXYS на 600 В зі швидким діодом для джерел живлення і керування двигунами. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Напруга Vces | 600 В (Tj 25–150 °C) |
| Струм Ic25 | 45 А (Tc 25 °C) |
| Струм Ic90 | 28 А (Tc 90 °C) |
| Vce(sat) | 2.3 В тип., макс. 2.7 В (IC=32 А, VGE=15 В, Tj 25 °C) |
| Vge(th) | 2.5–5.0 В (IC=250 мкА, VCE=VGE) |
| Qg | 110 нКл тип. (IC=32 А, VGE=15 В, VCE=0.5Vces) |
| Вхідна ємність Cies | 2700 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є (швидкий, FRED) |
| trr діода | 25 нс тип. (IF=1 А, -di/dt=100 А/мкс, VR=30 В, Tj 25 °C) |
| Потужність Pc | 140 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IXGR32N60CD1 – IGBT IXYS зі вбудованим швидким діодом (FRED), корпус TO-247. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В (Tj 25–150 °C). Струм колектора Ic25 – 45 А при Tc 25 °C, Ic90 – 28 А при Tc 90 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 2.3 В типово (макс. 2.7 В) при IC=32 А, VGE=15 В, Tj 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 2700 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 140 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівняйте Vces, струм при 90 °C, Vce(sat), наявність швидкого діода і корпус. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта по всій Україні.
Де застосовують
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Імпульсні та резонансні джерела живлення
- Керування швидкістю двигунів змінного струму
- Сервоприводи, роботи, DC-чопери
Чим замінити IXGR32N60CD1?
Шукайте IGBT з таким самим або вищим Vces, порівнянним струмом при 90 °C, порівнянним Vce(sat), швидким діодом і сумісним корпусом. Перед заміною порівняйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Яка порогова напруга затвора?
Vge(th) – 2.5–5.0 В при IC=250 мкА, VCE=VGE.
Який заряд затвора в IXGR32N60CD1?
Qg – 110 нКл типово при IC=32 А, VGE=15 В, VCE=0.5Vces.
Документація виробника: IXGR32N60CD1 (IXYS).
У документі виробника корпус ISOPLUS247 (ізольований варіант контуру TO-247), у назві товару – TO-247.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.