Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор KGT15N60FDA ( 15N60FDA ) оригінал, TO220F

141,00 ₴

8 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

8 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

KGT15N60FDA (15N60FDA) – IGBT-транзистор KEC з вбудованим діодом у корпусі TO-220F. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникKEC
Напруга Vces600 В (VGE 0 В, Ic 250 мкА)
Напруга Vges±20 В
Струм Ic (25 °C)15 А (TC 25 °C, TO-220IS)
Струм Ic (100 °C)7.5 А (TC 100 °C, TO-220IS)
Vce(sat), типове1.7 В (Vge 15 В, Ic 15 А, Ta 25 °C)
Заряд затвора Qg70 нКл (Vcc 300 В, Vge 15 В, Ic 15 А)
Вхідна ємність Cies1270 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Час спаду tf35 нс
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє
КорпусTO-220F
СтанОригінал
Опис

KGT15N60FDA – IGBT-транзистор KEC з вбудованим діодом, корпус TO-220F (в документі TO-220IS, ізольований). Напруга колектор–емітер Vces – 600 В (VGE 0 В, Ic 250 мкА). Струм колектора Ic – 15 А при TC 25 °C і 7.5 А при TC 100 °C для корпусу TO-220IS. Vce(sat) типове – 1.7 В при Ic 15 А, Vge 15 В, Ta 25 °C. Заряд затвора Qg – 70 нКл при Vcc 300 В, Vge 15 В, Ic 15 А. Вхідна ємність Cies типово 1270 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Час спаду tf – 35 нс. Максимальна температура переходу – 150 °C.

Стан: оригінал, не демонтаж. Для заміни порівнюйте Vces, Ic при 100 °C для корпусу TO-220F, Vce(sat), наявність вбудованого діода та корпус. Якщо Ic у іншого IGBT вказано для неізольованого корпусу, значення не можна порівнювати напряму. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Жорстке перемикання (hard switching)
  • Перетворювачі з низькими втратами перемикання
Часто питають
Чим замінити KGT15N60FDA?

Підходить IGBT з Vces не нижче 600 В, вбудованим діодом і корпусом TO-220F. Порівнюйте Ic при 100 °C саме для ізольованого корпусу, Vce(sat) і заряд затвора за datasheet.

Чи є у KGT15N60FDA вбудований діод?

Так. Vf діода – 1.6 В при If 15 А, TC 25 °C.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чому в документі два значення струму?

Документ дає Ic для двох корпусів. Для TO-220IS (як TO-220F) це 15 А при TC 25 °C, для TO-220AB – 30 А. У нас корпус TO-220F.

Datasheet

Документація виробника: KGT15N60FDA Revision No 3.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

KGT15N60FDA Revision No 3 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P

В наявності

208,68 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип. / 2.5 В макс.
Заряд затвора Qg189 нКл тип. / 284 нКл макс.
Вбудований діодтак
Розсіювана потужність Pd600 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P

IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А
Струм колектора Ic (100 °C)75 А
Напруга насичення Vce(sat)1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C)
Розсіювана потужність Pd484 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
Вбудований діодтак (co-pack)
СтанОригінал

IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Потужність Pd (25 °C)286 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg176 нКл
Вхідна ємність Cies4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 40 А, 25 °C)1.65 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.