Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KGT15N60FDA ( 15N60FDA ) оригінал, TO220F
141,00 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
KGT15N60FDA (15N60FDA) – IGBT-транзистор KEC з вбудованим діодом у корпусі TO-220F. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KEC |
| Напруга Vces | 600 В (VGE 0 В, Ic 250 мкА) |
| Напруга Vges | ±20 В |
| Струм Ic (25 °C) | 15 А (TC 25 °C, TO-220IS) |
| Струм Ic (100 °C) | 7.5 А (TC 100 °C, TO-220IS) |
| Vce(sat), типове | 1.7 В (Vge 15 В, Ic 15 А, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (Vcc 300 В, Vge 15 В, Ic 15 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1270 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Час спаду tf | 35 нс |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
KGT15N60FDA – IGBT-транзистор KEC з вбудованим діодом, корпус TO-220F (в документі TO-220IS, ізольований). Напруга колектор–емітер Vces – 600 В (VGE 0 В, Ic 250 мкА). Струм колектора Ic – 15 А при TC 25 °C і 7.5 А при TC 100 °C для корпусу TO-220IS. Vce(sat) типове – 1.7 В при Ic 15 А, Vge 15 В, Ta 25 °C. Заряд затвора Qg – 70 нКл при Vcc 300 В, Vge 15 В, Ic 15 А. Вхідна ємність Cies типово 1270 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Час спаду tf – 35 нс. Максимальна температура переходу – 150 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. Для заміни порівнюйте Vces, Ic при 100 °C для корпусу TO-220F, Vce(sat), наявність вбудованого діода та корпус. Якщо Ic у іншого IGBT вказано для неізольованого корпусу, значення не можна порівнювати напряму. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Жорстке перемикання (hard switching)
- Перетворювачі з низькими втратами перемикання
Чим замінити KGT15N60FDA?
Підходить IGBT з Vces не нижче 600 В, вбудованим діодом і корпусом TO-220F. Порівнюйте Ic при 100 °C саме для ізольованого корпусу, Vce(sat) і заряд затвора за datasheet.
Чи є у KGT15N60FDA вбудований діод?
Так. Vf діода – 1.6 В при If 15 А, TC 25 °C.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чому в документі два значення струму?
Документ дає Ic для двох корпусів. Для TO-220IS (як TO-220F) це 15 А при TC 25 °C, для TO-220AB – 30 А. У нас корпус TO-220F.
Документація виробника: KGT15N60FDA Revision No 3.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.