Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE30TD60B оригінал, TO220
117,50 ₴
14 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
14 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
NCE30TD60B – IGBT-транзистор NCE Power з вбудованим діодом у корпусі TO-220 для кондиціонерів, інверторів і приводів. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT з вбудованим діодом |
| Виробник | NCE Power |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 60 А |
| Струм Ic при 100 °C | 30 А |
| VCE(sat) тип. | 1,7 В (IC 30 А, VGE 15 В, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 132 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3552 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Pd при 25 °C | 190 Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
NCE30TD60B – IGBT-транзистор NCE Power з вбудованим діодом у корпусі TO-220. За даташитом: напруга колектор–емітер Vces 600 В (при VGE = 0 В, IC = 1 мА), струм колектора Ic 60 А при Tc 25 °C і 30 А при Tc 100 °C. Напруга насичення VCE(sat) типово 1,7 В (макс. 1,9 В) при IC 30 А, VGE 15 В, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg 132 нКл (VCC 480 В, IC 30 А, VGE 15 В). Вхідна ємність Cies типово 3552 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Час спаду tf 16 нс при VCC 400 В, IC 30 А, Rg 5 Ом. Діод: пряма напруга Vf типово 1,7 В при IF 30 А, trr 178 нс при di/dt 200 А/мкс. Розсіювана потужність Pd 190 Вт при Tc 25 °C і 76 Вт при Tc 100 °C.
Стан – оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vces, струм Ic при 100 °C, напругу насичення, заряд затвора і наявність вбудованого діода, а корпус має бути той самий – TO-220. За даними виробника, пряма заміна – NCE30TD60BF. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Кондиціонери
- Інвертори
- Приводи електродвигунів
Чим замінити NCE30TD60B?
За даними виробника, пряма заміна – NCE30TD60BF. Якщо шукаєте інше, беріть IGBT з вбудованим діодом у корпусі TO-220: Vces не нижче 600 В, Ic при 100 °C не менше 30 А, порівнянна напруга насичення. Якщо заряд затвора суттєво більший за 132 нКл, перевірте драйвер.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи підходить NCE30TD60B для кондиціонера?
Кондиціонери, інвертори та приводи електродвигунів вказані серед застосувань у даташиті. Перед заміною звірте Vces 600 В та Ic 30 А при Tc 100 °C зі схемою.
Чи є в NCE30TD60B вбудований діод?
Так. Пряма напруга діода типово 1,7 В (макс. 1,9 В) при IF 30 А, trr 178 нс при IF 30 А, di/dt 200 А/мкс.
Документація виробника: NCE30TD60B (NCE).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.