Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KGF40N65KDC ( 40N65KDC ) оригінал, TO247
345,92 ₴
36 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
36 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
KGF40N65KDC (40N65KDC) – IGBT-транзистор KEC з вбудованим діодом у корпусі TO-247, оригінал. Застосовують для керування електродвигунами, в UPS і загальних інверторах.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KEC |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (Ta=25 °C) |
| Струм Ic (Tc=25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (Tc=100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1.75 В (VGE=15 В, IC=40 А, Ta=25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc=25 °C) | 208 Вт |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
KGF40N65KDC (40N65KDC) – IGBT-транзистор виробництва KEC в корпусі TO-247 з вбудованим діодом. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В (Ta=25 °C). Струм колектора Ic – 80 А при Tc=25 °C і 40 А при Tc=100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.75 В при VGE=15 В, IC=40 А, Ta=25 °C (максимум 2.3 В); при Tc=175 °C – 2.2 В. Заряд затвора Qg – 90 нКл (VCC=300 В, VGE=15 В, IC=40 А). Вхідна ємність Cies типово 2300 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Час спаду tf – 30 нс при Tc=25 °C (VCC=300 В, IC=40 А, VGE=15 В, Rg=10 Ом). Потужність розсіювання Pd – 208 Вт при Tc=25 °C і 104 Вт при Tc=100 °C. Максимальна температура переходу – 175 °C.
Це оригінальна деталь, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, струм Ic при Tc=100 °C, Vce(sat), заряд затвора Qg і наявність вбудованого діода, а також корпус і розпіновку. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Керування електродвигунами
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Загальні інвертори
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IHW40N120R3 | Vces 1200 ≥ 650, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) (Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) тип. 1.55 ≤ 1.3×1.75=2.27, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Vces значно вищий; перевірте режим драйвера й динамічні параметри за datasheet. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити KGF40N65KDC?
У каталозі є IGBT у TO-247, що проходять порівняння за Vces, Ic при Tc=100 °C і Vce(sat); вони перелічені в таблиці аналогів. Перед заміною порівняйте datasheet, зокрема заряд затвора Qg (90 нКл) і діод.
Як перевірити KGF40N65KDC?
Тестером у режимі діода перевірте відсутність пробою між колектором, емітером і затвором. Діод між емітером і колектором має поводитися як звичайний діод. Динамічні параметри так не виміряти.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Яка пряма напруга вбудованого діода?
Vf – 1.91 В при IF=20 А, Tc=25 °C (максимум 2.5 В); 1.76 В при Tc=175 °C. Час зворотного відновлення trr – 97 нс при IF=20 А, di/dt=200 А/мкс, Tc=25 °C.
Документація виробника: KGF40N65KDC Rev. 2.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.