Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EES5 ( IKW50N65ES5 ) оригінал, TO247
376,00 ₴
4 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
4 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IKW50N65ES5 (маркування K50EES5) – IGBT Infineon TRENCHSTOP 5 на 650 В з діодом в корпусі TO-247. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Серія | TRENCHSTOP 5 S5 |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 100 °C | 60,5 А |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А (обмежено виводами) |
| Імпульсний струм | 200 А |
| Vce(sat) при 25 °C | 1,35 В тип. / 1,70 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А) |
| Діод у корпусі | є, RAPID 1 |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл |
| Ptot при 25 °C | 274 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IKW50N65ES5 (на корпусі маркування K50EES5) – IGBT Infineon серії TRENCHSTOP 5 S5 з діодом RAPID 1 в корпусі PG-TO247-3. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В (при VGE = 0 В, IC = 0,2 мА). Струм колектора 60,5 А при 100 °C і 80 А при 25 °C (у другому випадку обмежено виводами). Імпульсний струм – 200 А. Vce(sat) при VGE = 15 В і IC = 50 А та 25 °C: 1,35 В типове, 1,70 В максимальне; при 175 °C – 1,60 В. Діод у корпусі розрахований на повний номінальний струм, його VF – 1,45 В (тип.) при IF = 50 А. Ptot – 274 Вт при 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.
Стан – оригінал, не демонтаж. Заряд затвора Qg – 120 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В), тож драйвер має тягнути такий заряд. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, струм при 100 °C, Vce(sat), наявність діода й розпіновку в корпусі TO-247. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Резонансні перетворювачі
- Джерела безперебійного живлення
- Зварювальні перетворювачі
- Перетворювачі із середньою та високою частотою перемикання
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити IKW50N65ES5?
Шукайте IGBT з тим самим корпусом TO-247 і розпіновкою, Vces не нижче 650 В, струмом при 100 °C не менше 50 А і діодом у корпусі. Перевіряйте Vce(sat) і заряд затвора за datasheet. Прямих замін від виробника ми не маємо, а перевірених аналогів у нашому каталозі для цього номера немає.
Чи є діод у корпусі?
Так, у корпусі є діод RAPID 1 на повний номінальний струм. VF – 1,45 В (тип.) при IF = 50 А і 25 °C.
Що означає маркування K50EES5?
K50EES5 – маркування на корпусі, за datasheet це IKW50N65ES5.
Документація виробника: IKW50N65ES5 Datasheet Rev.2.3.
Параметри наведено за datasheet виробника Infineon IKW50N65ES5 (Rev. 2.3).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.