Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор FGH60N60UFD оригінал демонтаж б/в, TO247
235,00 ₴
6 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
6 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FGH60N60UFD – IGBT-транзистор Fairchild Semiconductor з вбудованим діодом, корпус TO-247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic | 120 А при Tc 25 °C; 60 А при Tc 100 °C |
| Vce(sat) | 1,9 В типово (IC 60 А, VGE 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 298 Вт при Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 188 нКл (VCE 400 В, IC 60 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2855 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
FGH60N60UFD – IGBT-транзистор виробництва Fairchild Semiconductor у корпусі TO-247 із вбудованим антипаралельним діодом. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА). Струм колектора Ic – 120 А при Tc 25 °C і 60 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1,9 В типово при IC 60 А, VGE 15 В, Tc 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 2855 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 298 Вт при Tc 25 °C. Максимальна температура переходу – 150 °C.
Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Для заміни дивіться на напругу Vces не нижче 600 В, струм Ic при Tc 100 °C не нижче 60 А, той самий корпус TO-247 і наявність діода. Заряд затвора Qg у цієї деталі – 188 нКл при VCE 400 В, IC 60 А, VGE 15 В, тому драйвер має його витягнути. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Сонячні інвертори
- ДБЖ
- Зварювальні апарати
- Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| NCE60TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 60 ≥ 0.8×60 = 48, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×1.9 = 2.47, діод є в обох, корпус TO-247 | Порівняйте заряд затвора та швидкість перемикання за datasheet. | Купити |
| IRGP4068D-E | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 48 ≥ 0.8×60 = 48, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.9 = 2.47, діод є в обох, корпус TO-247 | Запас за струмом мінімальний. | Купити |
| JT050N065WED | Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×60 = 48, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.6 ≤ 1.3×1.9 = 2.47, діод є в обох, корпус TO-247 | Запас за струмом мінімальний. | Купити |
| YGW75N65HP | Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×60 = 48, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.9 = 2.47, діод є в обох, корпус TO-247 | Тип IGBT може відрізнятися, перевірте драйвер затвора. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити FGH60N60UFD?
Підійде IGBT у корпусі TO-247 з Vces не нижче 600 В, Ic при Tc 100 °C не нижче 60 А та вбудованим діодом. У каталозі є кілька варіантів, вони наведені в таблиці аналогів. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чи є у FGH60N60UFD вбудований діод?
Так. Діод Vf 2,0 В типово при IF 30 А, trr 179 нс при IF 30 А, diF/dt 200 А/мкс.
Для чого використовують цей IGBT?
Сонячні інвертори, ДБЖ, зварювальні апарати та PFC, де потрібні малі втрати провідності й перемикання.
Документація виробника: FGH60N60UFD (Fairchild Semiconductor).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.