Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DAXIN DXG40N65HSEU оригінал, TO247
188,00 ₴
16 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
16 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
DXG40N65HSEU – оригінальний IGBT-транзистор DAXIN з вбудованим діодом у корпусі TO-247. За даташитом DXG40N65HSEK: 650 В, 40 А.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,70 В (тип.) |
| Вбудований діод | так |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | DAXIN |
| Стан | Оригінал |
DXG40N65HSEU – IGBT-транзистор DAXIN з вбудованим діодом у корпусі TO-247. Точного даташиту на DXG40N65HSEU не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої деталі DXG40N65HSEK (Daxin): напруга колектор–емітер Vces 650 В, струм колектора Ic 80 А при TC = 25 °C і 40 А при TC = 100 °C, імпульсний струм Icm 160 А. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,70 В (VGE = 15 В, IC = 40 А), порогова напруга Vge(th) від 4,0 до 5,5 В, напруга затвор–емітер ±30 В. Заряд затвора Qg типово 165 нКл, вхідна ємність Cies типово 1630 пФ. Стійкість до короткого замикання 10 мкс. Розсіювана потужність Pd 367 Вт (TC = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус 0,34 °C/Вт, температура переходу до +150 °C.
Стан: оригінал, не демонтаж. Продається лише парна кількість (2, 4, 6 шт.). Заміну підбирайте за корпусом TO-247 і розпіновкою (G, C, E), з напругою не нижче 650 В, струмом не нижче 40 А при 100 °C і з вбудованим діодом. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- керування двигунами
- інвертори та силові ключі
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити DXG40N65HSEU?
Шукайте IGBT у корпусі TO-247 з вбудованим діодом, напругою колектор–емітер не нижче 650 В і струмом не нижче 40 А при TC = 100 °C. Параметри DXG40N65HSEU наведено за даташитом DXG40N65HSEK, тому перед заміною звірте їх зі схемою.
Як перевірити IGBT мультиметром?
Перевірте, що між затвором, колектором і емітером немає короткого замикання, а вбудований діод веде струм в одному напрямку. Повну перевірку роблять у схемі.
Звідки параметри DXG40N65HSEU?
Точного даташиту на DXG40N65HSEU не знайшли. Параметри взято з даташиту на DXG40N65HSEK (Daxin) у корпусі TO-247. Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Найближчий datasheet: DXG40N65HSEK (Daxin).
Точного даташиту на DXG40N65HSEU не знайдено. Параметри взято з даташиту на DXG40N65HSEK.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор RUH1H150R оригінал (заміна для RU1H150R ), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Shenzhen Ruichips Semiconductor |
| Тип каналу | N |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 100 В (VGS=0 В, IDS=250 мкА) |
| Струм Id (25 °C) | 150 А (TC=25 °C, VGS=10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 106 А (TC=100 °C, VGS=10 В) |
| Rds(on) | 3.2 мОм тип., макс. 4 (VGS=10 В, IDS=75 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, IDS=250 мкА) |
| Qg | 87 нКл тип. (VDS=80 В, VGS=10 В, IDS=75 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3650 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Pd | 200 Вт (TC=25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 240 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 160 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Час відновлення діода trr | 360 нс (Tj 175 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 750 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | Super-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.