Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор FGH50T65 ( FGH50T65UPD , FGH50T65SQD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
282,00 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FGH50T65 – IGBT-транзистор onsemi з вбудованим діодом у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT Field Stop Trench з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic | 100 А (Tc = 25 °C), 50 А (Tc = 100 °C) |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (Ic = 50 А, VGE = 15 В, Tc = 25 °C) |
| Pd | 340 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Qg | 230 нКл тип. (Vce = 400 В, Ic = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3450 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
FGH50T65 – IGBT-транзистор Field Stop Trench виробництва onsemi з вбудованим антипаралельним діодом, корпус TO-247-3LD. Напруга колектор–емітер Vces – 650 В при VGE = 0 В. Струм колектора Ic – 100 А при Tc = 25 °C і 50 А при Tc = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1,65 В (тип.) при Ic = 50 А, VGE = 15 В, Tc = 25 °C. Розсіювана потужність Pd – 340 Вт при Tc = 25 °C. Максимальна температура переходу Tj – 175 °C. Повний заряд затвора Qg – 230 нКл (тип.) при Vce = 400 В, Ic = 50 А, VGE = 15 В, тому драйвер затвора має бути розрахований на такий заряд. Вхідна ємність Cies типово 3450 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц).
Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівнюйте Vces, Ic при Tc = 100 °C, Vce(sat), Qg і наявність діода, а також корпус і розпіновку. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Сонячні інвертори, ДБЖ (UPS), зварювальні апарати, цифрові генератори живлення
- Телеком, системи накопичення енергії (ESS)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.
Як перевірити IGBT перед встановленням?
Мультиметром у режимі перевірки діодів прозвоніть виводи: між затвором і рештою виводів не має бути провідності. Перед монтажем звірте розпіновку з datasheet.
Чим замінити FGH50T65?
Підбирайте IGBT з діодом у корпусі TO-247 з Vces не нижче 650 В і порівнянними Ic при Tc = 100 °C, Vce(sat) та Qg. Готових аналогів у нашому каталозі зараз не позначено, тому порівнюйте datasheet самостійно.
Який струм витримує FGH50T65?
Ic – 100 А при Tc = 25 °C і 50 А при Tc = 100 °C. Імпульсний струм колектора Icm – 150 А, обмежений температурою переходу.
Документація виробника: FGH50T65UPD/D, Rev. 3 (документ описує варіант FGH50T65UPD).
Параметри наведено за datasheet onsemi на FGH50T65UPD; окремого datasheet на FGH50T65SQD ми не знайшли.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.