Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор BT60N60 ( BT60N60ANF ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P
235,00 ₴
3 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
3 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
BT60N60 (BT60N60ANF) – IGBT-транзистор Huajing Microelectronics на 600 В з антипаралельним діодом, корпус TO-3P. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 600 В |
| Vce(sat) | 2.2 В typ (макс. 2.9; Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Vge(th) | 5.0 В typ (Ic 1 мА, Vce = Vge) |
| Qg | 150 нКл typ (Vce 400 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2890 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Eoff | 1.13 мДж typ (Vce 400 В, Ic 60 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В) |
| tf | 45 нс typ (Vce 400 В, Ic 60 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В) |
| Діод | антипаралельний; Vf 1.8 В typ (If 30 А); trr 90 нс typ (If 20 А) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
BT60N60 (BT60N60ANF) – IGBT-транзистор Huajing Microelectronics у корпусі TO-3P (у документі TO-3PN) з вбудованим антипаралельним діодом. Напруга колектор–емітер Vce – 600 В. Напруга насичення Vce(sat) – 2.2 В (typ, макс. 2.9) при Ic 60 А, Vge 15 В. Порогова напруга Vge(th) – 5.0 В typ (мін. 3.5, макс. 6.5) при Ic 1 мА. Заряд затвора Qg – 150 нКл typ при Vce 400 В, Ic 60 А. Вхідна ємність Cies типово 2890 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Eoff – 1.13 мДж, час спаду tf – 45 нс (typ; Vce 400 В, Ic 60 А, Rg 10 Ом, Vge 15 В). Діод: Vf 1.8 В typ при If 30 А, trr 90 нс typ при If 20 А, di/dt 200 А/мкс. Максимальна температура переходу – 150 °C. Цифри взято з документації BT60N60ANF (Huajing Microelectronics).
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте Vce, струм колектора, Vce(sat) і корпус; значення порівнюйте при однакових умовах, а взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Чим замінити BT60N60?
У нашому каталозі готових аналогів для цієї деталі немає. Заміну підбирайте за напругою Vce, струмом колектора, Vce(sat) і корпусом, порівнюючи datasheet при однакових умовах.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи є в транзисторі вбудований діод?
Так, антипаралельний діод: Vf 1.8 В typ при If 30 А, trr 90 нс typ при If 20 А.
Яке керування затвором потрібне?
Порогова напруга Vge(th) – 5.0 В typ (мін. 3.5, макс. 6.5) при Ic 1 мА; Vce(sat) наведено при Vge 15 В. Заряд затвора Qg – 150 нКл typ при Vce 400 В, Ic 60 А.
Документація виробника: BT60N60ANF (Huajing Microelectronics).
Струм колектора Ic та потужність Pd не наведено: підписи в таблиці документа частково втрачені, значення не підтверджені.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.