Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FGA60N65SMD оригінал, TO-3P
289,05 ₴
10 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
10 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FGA60N65SMD – IGBT-транзистор onsemi на 650 В з вбудованим діодом, корпус TO-3P. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Напруга Vces | 650 В (Tj 25 °C) |
| Струм Ic | 120 А при Tc 25 °C; 60 А при Tc 100 °C |
| Vce(sat) | 1,9 В типово (Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 600 Вт при Tc 25 °C |
| Заряд затвора Qg | 189 нКл типово (Vce 400 В, Ic 60 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 2915 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Стан | Оригінал |
FGA60N65SMD – IGBT-транзистор виробництва onsemi у корпусі TO-3PN (TO-3P-3LD) із вбудованим антипаралельним діодом, виконаний за технологією Field Stop. Напруга колектор–емітер Vces – 650 В при Tj 25 °C. Струм колектора Ic – 120 А при Tc 25 °C і 60 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1,9 В типово при Ic 60 А, Vge 15 В, Tc 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 2915 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 600 Вт при Tc 25 °C. Максимальна температура переходу – 175 °C.
Оригінал, не демонтаж. Для заміни дивіться на напругу Vces не нижче 650 В, струм Ic при Tc 100 °C не нижче 60 А, той самий корпус і наявність діода. Заряд затвора Qg – 189 нКл типово при Vce 400 В, Ic 60 А, Vge 15 В: драйвер має його витягнути. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Сонячні інвертори
- ДБЖ (UPS)
- Імпульсні блоки живлення (SMPS)
- Зварювальні апарати
- PFC
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити FGA60N65SMD?
Підійде IGBT у корпусі TO-3P з Vces не нижче 650 В, Ic при Tc 100 °C не нижче 60 А та вбудованим діодом. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чи є у FGA60N65SMD вбудований діод?
Так, антипаралельний діод: Vf 2,1 В типово при If 30 А (Tc 25 °C), trr 47 нс типово при If 30 А, dIf/dt 200 А/мкс.
Для чого використовують цей IGBT?
Сонячні інвертори, ДБЖ (UPS), імпульсні блоки живлення (SMPS), зварювальні апарати, PFC. Технологія Field Stop дає низькі втрати провідності та перемикання.
Документація виробника: FGA60N65SMD (onsemi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.