Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор FGA60N60UFD ( FGA60N60 ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P
235,00 ₴
7 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
7 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FGA60N60UFD (FGA60N60) – IGBT Field Stop onsemi з вбудованим діодом для інверторів, UPS і PFC. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип | IGBT Field Stop з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic | 120 А (Tc 25 °C); 60 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 180 А (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.9 В тип., 2.4 В макс. (IC = 60 А, VGE = 15 В, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 298 Вт (Tc 25 °C); 119 Вт (Tc 100 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 2855 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-емітер Vges | ±20 В |
| Порогова напруга Vge(th) | 4.0–6.5 В (IC = 250 мкА, VCE = VGE) |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
FGA60N60UFD (FGA60N60) – IGBT Field Stop з вбудованим діодом виробництва onsemi (Fairchild) у корпусі TO-3P. Напруга колектор-емітер Vces – 600 В (при VGE = 0 В, IC = 250 мкА). Струм колектора Ic – 120 А при Tc 25 °C і 60 А при Tc 100 °C, імпульсний Icm – 180 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1.9 В типово, 2.4 В макс. при IC = 60 А, VGE = 15 В, Tc 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 2855 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 298 Вт при Tc 25 °C. Пряма напруга вбудованого діода Vfm – 2.0 В типово при IF = 30 А, 25 °C.
Стан: оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Під час підбору заміни порівнюйте Vces, Ic при Tc 100 °C, Vce(sat), наявність діода та корпус TO-3P. DigiKey пропонує як можливі заміни IXGH36N60B3, IXXH50N60B3 та IXXH50N60B3D1, але це не заміни від виробника: порівняйте їх datasheet. За даними DigiKey, модель знято з виробництва.
Де застосовують
- Сонячні інвертори, UPS, зварювальні апарати, PFC.
Чим замінити FGA60N60UFD?
Шукайте IGBT у корпусі TO-3P з Vces не нижче 600 В, вбудованим діодом і Ic при Tc 100 °C близьким до 60 А. DigiKey пропонує як можливі заміни IXGH36N60B3, IXXH50N60B3 і IXXH50N60B3D1, але це не заміни від виробника: перед заміною порівняйте їх datasheet. У нашому каталозі перевірених аналогів на цю картку поки немає.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи є в FGA60N60UFD вбудований діод?
Так. Пряма напруга діода Vfm – 2.0 В типово при IF = 30 А, 25 °C.
Де використовують FGA60N60UFD?
У сонячних інверторах, UPS, зварювальних апаратах і схемах PFC.
Документація виробника: FGA60N60UFD Rev. 1.4, 600 V, 60 A Field Stop IGBT.
Параметри наведено за datasheet onsemi на FGA60N60UFD.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.