Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA60T65C2DH ( FHA60T65 ) оригінал, TO-3P
131,60 ₴
63 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
63 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FHA60T65C2DH ( FHA60T65 ) – IGBT-транзистор з вбудованим швидким діодом у корпусі TO-3P, оригінал. Для інверторів, приводу двигунів і схем PFC.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Feihong |
| Тип | IGBT-транзистор (Trench Field Stop) |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vces | 650 В (TC 25 °C) |
| Струм Ic (TC 25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (TC 100 °C) | 60 А |
| Вбудований діод | є |
| Потужність Pd | 465 Вт (TC 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Заряд затвора Qg | 254 нКл (VCE 520 В, IC 60 А, VGE 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 5500 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
FHA60T65C2DH – IGBT-транзистор Feihong типу Trench Field Stop у корпусі TO-3P, оригінал, не демонтаж. Усередині є антипаралельний швидкий діод. Цифри нижче наведено за даташитом найближчої деталі FHA60T65A (FEIHONG). Напруга колектор–емітер Vces – 650 В (TC 25 °C). Струм колектора Ic – 120 А при TC 25 °C і 60 А при TC 100 °C. Вхідна ємність Cies типово 5500 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 465 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу Tj – 175 °C. Порогова напруга Vge(th) типово 5,3 В при IC 1 мА.
Заряд затвора Qg – 254 нКл (VCE 520 В, IC 60 А, VGE 15 В), тож драйвер затвора має бути розрахований на такий заряд. Час спаду tf – 71 нс, енергія вимкнення Eoff – 2,13 мДж (TJ 25 °C, VCC 400 В, IC 60 А, RG 20 Ом). Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, Ic при 100 °C, наявність вбудованого діода та корпус. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта по всій Україні.
Де застосовують
- Інверторні джерела живлення, ДБЖ (UPS)
- Привод двигунів, зварювальні апарати
- Схеми PFC, перетворювачі середньої та високої частоти
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити FHA60T65C2DH?
Дивіться на Vces не нижче 650 В, Ic при 100 °C не нижче 60 А, наявність вбудованого діода та корпус TO-3P. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Як перевірити IGBT мультиметром?
Перевірка мультиметром: ключ розряджений і без живлення. Затвор не проводить на колектор і емітер, а вбудований діод між емітером і колектором проводить в один бік.
Чи є в транзисторі вбудований діод?
Так, антипаралельний швидкий діод. За даташитом найближчої деталі FHA60T65A (FEIHONG) його струм IF – 60 А при TC 100 °C.
Найближчий datasheet: FHA60T65A (FEIHONG).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.