Транзистор DXG50N65HSEU ( DXG50N65HSE , DXG50N65HS ) оригінал(Заміна для CXG50N65HSEU ), TO247

DXG50N65HSEU (у назві також DXG50N65HSE і DXG50N65HS) – IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором) з вбудованим діодом у корпусі TO-247. Точного даташиту на DXG50N65HSEU не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі OST50N65HSZF (Oriental Semiconductor) у тому самому корпусі: напруга колектор–емітер Vces 650 В, струм колектора Ic 80 А при TC = 25 °C і 50 А при TC = 100 °C, імпульсний струм 200 А. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,45 В, не більше 1,75 В (VGE = 15 В, IC = 50 А), порогова напруга Vge(th) від 3,5 до 5,5 В. Напруга затвор–емітер ±20 В, імпульсно ±30 В. Заряд затвора Qg типово 110 нКл, вхідна ємність Cies типово 5765 пФ. Енергія перемикання при VCC = 400 В, IC = 50 А, RG = 10 Ом: Eon 1,19 мДж, Eoff 0,74 мДж, час спаду tf 72 нс. Стійкість до короткого замикання 10 мкс. Розсіювана потужність Pd 375 Вт (TC = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус 0,4 °C/Вт, температура переходу від -55 до +175 °C. Діод: прямий струм 50 А при TC = 100 °C, пряма напруга типово 1,3 В при IF = 50 А, час відновлення trr типово 117 нс.

Оригінал, не демонтаж. За назвою товару DXG50N65HSEU може замінити CXG50N65HSEU; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте за документацією. За даташитом OST50N65HSZF такі транзистори працюють в індукційних перетворювачах і джерелах безперебійного живлення. Заміну підбирайте за корпусом TO-247 і розпіновкою (G, C, E), з напругою не нижче 650 В, струмом не нижче 50 А при 100 °C і з вбудованим діодом. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

• індукційні перетворювачі
• джерела безперебійного живлення