Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор G20T65FULA ( BLG20T65FULA-A ) оригінал , TO220F
253,80 ₴
53 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
53 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
G20T65FULA (BLG20T65FULA-A) – IGBT-транзистор Belling зі швидким діодом у корпусі TO-220F, оригінал. Застосовують в BLDC-приводах, UPS, PFC і портативних енергостанціях.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Belling |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vces | 650 В (VGE=0 В, IC=250 мкА) |
| Струм Ic (Tc=25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (Tc=100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1.55 В (VGE=15 В, IC=20 А, Tj=25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 44 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 892 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TO-220F, Tc=25 °C) | 39 Вт |
| Вбудований діод | є |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
G20T65FULA (BLG20T65FULA-A) – IGBT-транзистор виробництва Belling в корпусі TO-220F з антипаралельним швидким діодом. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В (VGE=0 В, IC=250 мкА). Струм колектора Ic – 40 А при Tc=25 °C і 20 А при Tc=100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.55 В при VGE=15 В, IC=20 А, Tj=25 °C (максимум 1.95 В); при Tj=125 °C – 1.80 В, при Tj=175 °C – 1.90 В. Заряд затвора Qg – 44 нКл (VCC=520 В, IC=20 А, VGE=15 В). Вхідна ємність Cies типово 892 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd для корпусу TO-220F – 39 Вт при Tc=25 °C. Час витримки короткого замикання – 3 мкс (VGE=15 В, VCC≤400 В, Tj≤175 °C). Максимальна температура переходу – 175 °C.
Це оригінальна деталь, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, струм Ic при Tc=100 °C, Vce(sat), заряд затвора Qg і наявність вбудованого діода, а також корпус і розпіновку. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- BLDC-приводи
- UPS
- Приводи електродвигунів
- PFC
- Портативні енергостанції
Чим замінити G20T65FULA?
Шукайте IGBT у корпусі TO-220F з Vces не нижче 650 В, струмом Ic при Tc=100 °C не нижче 20 А і вбудованим швидким діодом. Порівняйте Vce(sat) і заряд затвора Qg (44 нКл). Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet.
Чи є у G20T65FULA вбудований діод?
Так, антипаралельний швидкий діод. Його Vf – 1.90 В при IF=20 А, Tj=25 °C (максимум 2.50 В).
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чому потужність розсіювання лише 39 Вт?
Це значення для ізольованого корпусу TO-220F при Tc=25 °C. У datasheet для корпусу TO-220 вказано 136 Вт, але в цій деталі корпус TO-220F.
Документація виробника: BLG20T65FULA-A.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор AOK60B60D1 ( K60B60D1 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Alpha and Omega Semiconductor (AOS) |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (Product Summary) | 60 А |
| Vce(sat) typ | 1.85 В при Ic=60 А |
| Vge(th) typ | 5.4 В при VCE=5 В, Ic=1 мА |
| Заряд затвора Qg | 75 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3288 пФ |
| Час спаду tf | 16 нс |
| Стійкість до КЗ tsc | 10 мкс |
| Тепловий опір перехід-корпус | 0.3 °C/Вт |
| Діапазон Tj, Tstg | -55…150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.