Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор 60G65WE ( FGW60N65WE ) оригінал ( заміна для 60G65WD , RGT60TS65D ), TO247

432,40 ₴

2 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

2 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

60G65WE (FGW60N65WE) – IGBT-транзистор Fuji Electric серії High-Speed W з вбудованим діодом. Оригінал, корпус TO-247.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникFuji Electric
Напруга колектор-емітер Vces650 В (Tj 25 °C)
Струм колектора Ic83 А (Tc 25 °C); 60 А (Tc 100 °C)
Імпульсний струм Icp240 А
Напруга насичення Vce(sat)1.80 В (typ, Ic 60 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)
Потужність розсіювання Pd405 Вт (Tc 25 °C)
Заряд затвора Qg250 нКл (typ, Vcc 520 В, Ic 60 А, Vge 15 В)
Вхідна ємність Cies4300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Вбудований діодє
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал
Опис

60G65WE (FGW60N65WE) – IGBT-транзистор Fuji Electric серії High-Speed W з вбудованим діодом. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В при Tj 25 °C. Струм колектора Ic – 83 А при Tc 25 °C і 60 А при Tc 100 °C, імпульсний Icp – 240 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1.80 В (typ, Ic 60 А, Vge 15 В, Tj 25 °C), максимум 2.20 В; при Tj 175 °C – 2.10 В. Порогова напруга Vge(th) – 3.0–5.0 В (Vce 20 В, Ic 60 мА). Заряд затвора Qg – 250 нКл (typ, Vcc 520 В, Ic 60 А, Vge 15 В). Вхідна ємність Cies типово 4300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Вбудований діод має Vf 2.5 В (typ, If 60 А, Tj 25 °C) і trr 120 нс (typ, Vcc 400 В, If 30 А, -dIf/dt 500 А/мкс, Tj 25 °C). Потужність розсіювання IGBT – 405 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.

Це оригінальна деталь, не демонтаж. Згідно з назвою, 60G65WE може замінити 60G65WD і RGT60TS65D; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Параметри наведено за даташитом FGW60N65WE. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • Джерела безперебійного живлення (UPS)
  • Інвертори PV (сонячні)
  • Інверторні зварювальні апарати
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
JT050N065WED Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×60, Vce(sat) 1.6 ≤ 1.3×1.8, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Струм при Tc 100 °C нижчий, ніж у 60G65WE; перевірте запас за струмом. Купити
YGW75N65HP Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 75 ≥ 0.8×60, Vce(sat) 1.65 ≤ 1.3×1.8, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Порівняйте швидкість перемикання з вашим драйвером. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити 60G65WE?

Підходить IGBT у корпусі TO-247 з вбудованим діодом, Vces не нижче 650 В і Ic при Tc 100 °C не менше 60 А. У нашому каталозі є JT050N065WED і YGW75N65HP. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Що може замінити 60G65WE?

За назвою товару, 60G65WE може замінити 60G65WD і RGT60TS65D. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Для чого призначена серія High-Speed W?

Серія має малі втрати, низькі викиди перемикання та стійкість RBSOA і SCSOA. Її застосовують в UPS, PV-інверторах і зварювальних апаратах.

Datasheet

Документація виробника: FGW60N65WE (Fuji Electric).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

FGW60N65WE (Fuji Electric) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P

В наявності

208,68 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип. / 2.5 В макс.
Заряд затвора Qg189 нКл тип. / 284 нКл макс.
Вбудований діодтак
Розсіювана потужність Pd600 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P

IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
НомерIRGP20B60PD
МаркуванняGP20B60PD
ВиробникInfineon (International Rectifier)
ТипIGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)22 А
Vce(on)2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)220 Вт
Вхідна ємність Cies1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)65 А
Струм колектора Ic (100 °C)40 А
Напруга насичення Vce(sat)1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C
Вбудований швидкий діодє
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-3P
Вхідна ємність Cies2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В (Tvj ≥25 °C)
Струм колектора Ic (25 °C)80 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)275 Вт
Напруга насичення Vce(sat)1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C)
КорпусTO-247
Вбудований діодVrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс
Максимальна температура переходу Tj175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.