Транзистор FGH75T65 ( FGH75T65SQDT ) оригінал демонтаж б/в (заміна для FGH75T65SQD , FGH75T65SHD , FGH75T65SHDT , FGH75T65MQDT , FGH75T65UPD ), TO247

FGH75T65SQDT – IGBT-транзистор onsemi типу Field Stop Trench 4-го покоління з вбудованим діодом, корпус TO-247-3LD (колектор на фланці). Напруга колектор-емітер Vces – 650 В (при VGE = 0 В, IC = 1 мА). Струм колектора IC – 150 А при TC = 25 °C і 75 А при TC = 100 °C, імпульсний ICM – 300 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1.6 В (тип.) при IC = 75 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 4845 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 375 Вт при TC = 25 °C, Tj макс. – 175 °C. Вбудований діод: VFM 1.8 В (тип.) при IF = 75 А, TC = 25 °C; trr 76 нс при IF = 75 А, dIF/dt = 200 А/мкс, TC = 25 °C.

Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. FGH75T65 може замінити FGH75T65SQD, FGH75T65SHD, FGH75T65SHDT, FGH75T65MQDT і FGH75T65UPD; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. У таблиці datasheet також є номер FGH75T65SQDT-F155. Qg – 128 нКл при VCE = 400 В, IC = 75 А. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

• Сонячні інвертори
• ДБЖ (UPS)
• Зварювальні апарати
• Телеком
• Накопичувачі енергії (ESS)
• PFC