Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор FGH75T65 ( FGH75T65SQDT ) оригінал демонтаж б/в (заміна для FGH75T65SQD , FGH75T65SHD , FGH75T65SHDT , FGH75T65MQDT , FGH75T65UPD ), TO247
282,00 ₴
12 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
12 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FGH75T65 (FGH75T65SQDT) – IGBT Field Stop Trench на 650 В з вбудованим діодом, корпус TO247. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT Field Stop Trench 4-го покоління, з вбудованим діодом |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм IC (25 °C) | 150 А |
| Струм IC (100 °C) | 75 А |
| Імпульсний струм ICM | 300 А |
| Vce(sat) | 1.6 В тип., 2.1 В макс. (IC = 75 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 128 нКл (VCE = 400 В, IC = 75 А) |
| Вхідна ємність Cies | 4845 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
FGH75T65SQDT – IGBT-транзистор onsemi типу Field Stop Trench 4-го покоління з вбудованим діодом, корпус TO-247-3LD (колектор на фланці). Напруга колектор-емітер Vces – 650 В (при VGE = 0 В, IC = 1 мА). Струм колектора IC – 150 А при TC = 25 °C і 75 А при TC = 100 °C, імпульсний ICM – 300 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1.6 В (тип.) при IC = 75 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 4845 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 375 Вт при TC = 25 °C, Tj макс. – 175 °C. Вбудований діод: VFM 1.8 В (тип.) при IF = 75 А, TC = 25 °C; trr 76 нс при IF = 75 А, dIF/dt = 200 А/мкс, TC = 25 °C.
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. FGH75T65 може замінити FGH75T65SQD, FGH75T65SHD, FGH75T65SHDT, FGH75T65MQDT і FGH75T65UPD; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. У таблиці datasheet також є номер FGH75T65SQDT-F155. Qg – 128 нКл при VCE = 400 В, IC = 75 А. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Сонячні інвертори
- ДБЖ (UPS)
- Зварювальні апарати
- Телеком
- Накопичувачі енергії (ESS)
- PFC
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Які деталі може замінити FGH75T65?
За назвою товару – FGH75T65SQD, FGH75T65SHD, FGH75T65SHDT, FGH75T65MQDT і FGH75T65UPD. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Чим замінити FGH75T65SQDT?
Шукайте IGBT у корпусі TO-247 з вбудованим діодом, Vces не нижче 650 В і IC при TC = 100 °C не нижче 75 А. Порівняйте Vce(sat), Qg і datasheet.
Що відомо про діод у складі IGBT?
Діод вбудований: IF = 150 А при TC = 25 °C і 75 А при TC = 100 °C, trr 76 нс при IF = 75 А, dIF/dt = 200 А/мкс, TC = 25 °C (270 нс при TC = 175 °C).
Документація виробника: FGH75T65SQDT/D, IGBT – Field Stop, Trench, 650 V, 75 A.
Параметри наведено за datasheet виробника onsemi для FGH75T65SQDT (FGH75T65SQDT/D). Втрати вимикання Eoff не наведено.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 240 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 160 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Час відновлення діода trr | 360 нс (Tj 175 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 750 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | Super-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.