Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DXG15N65FSEK оригінал ( заміна для DXG15N65FSEU ), TO220F
128,31 ₴
62 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
62 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
DXG15N65FSEK – оригінальний IGBT-транзистор 650 В з вбудованим діодом у корпусі TO-220F. Заміна для DXG15N65FSEU.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Вбудований діод | так |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,0…5,5 В |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
DXG15N65FSEK – IGBT-транзистор (біполярний транзистор з ізольованим затвором) з вбудованим діодом у корпусі TO-220F. Точного даташиту на DXG15N65FSEK не знайшли. Найближчий схожий даташит – DXG20N65FSEK (Daxin) у тому самому корпусі: напруга колектор–емітер Vces 650 В, напруга затвор–емітер ±30 В, порогова напруга Vge(th) від 4,0 до 5,5 В, стійкість до короткого замикання 10 мкс, температура переходу до +150 °C. Документ описує деталь на більший струм, тому струм колектора, потужність і напругу насичення з нього не наводимо.
Деталь оригінальна, не демонтаж. За назвою товару DXG15N65FSEK – заміна для DXG15N65FSEU. Заміну підбирайте за корпусом TO-220F і розпіновкою (G, C, E), з напругою не нижче 650 В і вбудованим діодом; струм звіряйте з документацією на вашу схему. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- керування двигунами
- інвертори та імпульсні блоки живлення
Чим замінити DXG15N65FSEK?
Шукайте IGBT у корпусі TO-220F з вбудованим діодом і напругою колектор–емітер не нижче 650 В. Струм колектора звіряйте з документацією на вашу схему. За назвою товару DXG15N65FSEK – заміна для DXG15N65FSEU.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Для чого використовують DXG15N65FSEK?
IGBT працює електронним ключем у силових колах: керування двигунами, інвертори, імпульсні блоки живлення.
Звідки параметри DXG15N65FSEK?
Точного даташиту на DXG15N65FSEK не знайшли. Параметри взято з найближчого схожого даташиту – DXG20N65FSEK (Daxin) у корпусі TO-220F. Струм і потужність там для деталі 20 А, тому їх не наводимо.
Найближчий datasheet: DXG20N65FSEK (Daxin).
Точного даташиту на DXG15N65FSEK не знайдено. Найближчий схожий даташит – DXG20N65FSEK (Daxin), корпус TO-220F. З нього взято тільки параметри, які не залежать від струму деталі.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А (обмежено виводами, кристал 60 А) |
| Імпульсний струм Icp | 240 А |
| Vce(sat) | 1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.