Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FGH40N60SMD оригінал, TO247
282,00 ₴
3 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
3 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор onsemi FGH40N60SMD (Field Stop, 600 В) з вбудованим антипаралельним діодом у корпусі TO-247. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT Field Stop з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Icm (TC = 25 °C) | 120 А |
| Vce(sat) (IC = 40 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) | 1,9 В тип., 2,5 В макс. |
| Заряд затвора Qg | 119 нКл тип. |
| Вхідна ємність Cies | 1880 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Pd (TC = 25 °C) | 349 Вт |
| Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
FGH40N60SMD – IGBT-транзистор onsemi серії Field Stop з вбудованим антипаралельним діодом у корпусі TO-247-3LD. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В (VGE = 0 В, IC = 250 мкА). Струм колектора Ic – 80 А при TC = 25 °C і 40 А при TC = 100 °C; імпульсний Icm – 120 А при TC = 25 °C. Vce(sat) – 1,9 В типово, 2,5 В макс. при IC = 40 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C. Заряд затвора Qg – 119 нКл типово при VCE = 400 В, IC = 40 А, VGE = 15 В. Вхідна ємність Cies типово 1880 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність Pd – 349 Вт при TC = 25 °C. Робоча температура переходу Tj – від -55 до +175 °C.
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте з datasheet напругу Vces, струм Ic при TC = 100 °C, Vce(sat), заряд затвора Qg, наявність діода та корпус TO-247. Якщо Qg у заміни суттєво більший, перевірте драйвер затвора. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Сонячні інвертори
- UPS
- Зварювальні апарати
- Телеком
- ESS
- PFC
Чим замінити FGH40N60SMD?
Заміну підбирайте за datasheet: корпус TO-247, Vces не нижче 600 В, Ic при TC = 100 °C не нижче 40 А з запасом, вбудований діод, порівнянні Vce(sat) і заряд затвора Qg. Аналоги виробник у прочитаних сторінках не називає.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є в FGH40N60SMD вбудований діод?
Так, антипаралельний діод. Vfm – 2,3 В типово при IF = 20 А, TC = 25 °C; час зворотного відновлення trr – 36 нс при TC = 25 °C (IF = 20 А, dIF/dt = 200 А/мкс).
Який струм витримує FGH40N60SMD?
Ic – 80 А при TC = 25 °C і 40 А при TC = 100 °C. Це струми за datasheet при вказаній температурі корпусу; у реальному пристрої все залежить від охолодження.
Документація виробника: FGH40N60SMD/D, April 2026 – Rev. 4.
Статус виробництва не підтверджено; аналоги виробник у прочитаних сторінках не називає.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.